屏蔽结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提出了一种屏蔽结构，使传感器免受外界条件的干扰，包括顶部金属遮挡物以及侧面金属遮挡物，所述侧面金属遮挡物包围所述传感器，所述顶部金属遮挡物形成于所述传感器的上方，并与所述侧面金属遮挡物相连。在传感器的侧面形成侧面金属遮挡物，在传感器的上方形成顶部金属遮挡物，由于所述侧面金属遮挡物包围传感器，能够对来自传感器侧面的光线进行屏蔽，并且顶部金属遮挡物能够屏蔽来自传感器顶部的光线，从而能够实现全面的对传感器进行外界条件屏蔽，提高传感器的精度。
【专利说明】屏蔽结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种屏蔽结构。
【背景技术】
[0002]传感器(transducer/sensor)是一种检测装置,能感受到被测量的信息,并能将感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。因此，传感器被广泛应用在工业和消费电子领域。
[0003]大部分传感器需要对外界条件进行屏蔽，例如光线，以防止外界条件对传感器进行干扰。在现有技术中，传感器的屏蔽通常采用金属进行遮挡，请参考图1和图2，图1为现有技术中屏蔽结构的俯视图，图2为现有技术中屏蔽结构的剖面示意图，传感器10形成于衬底30上，金属遮挡物20形成于所述传感器10的上方，对来自上方的光线进行遮挡，防止光线干扰所述传感器10。
[0004]然而，由于上述屏蔽结构无法屏蔽来自传感器10侧面的光线，因而会影响所述传感器10的精度。因此，如何对所述传感器10进行有效的外界干扰屏蔽，是本领域技术人员急需解决的技术问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提供一种屏蔽结构，能够全面的对传感器进行外界条件屏蔽，提高传感器的精度。
[0006]为了实现上述目的，本实用新型提出了一种屏蔽结构，使传感器免受外界条件的干扰，所述结构包括顶部金属遮挡物以及侧面金属遮挡物，所述侧面金属遮挡物包围所述传感器，所述顶部金属遮挡物形成于所述传感器的上方，并与所述侧面金属遮挡物相连。
[0007]进一步的，所述侧面金属遮挡物设有开口。
[0008]进一步的，所述开口至少为一个。
[0009]进一步的，所述侧面金属遮挡物包括多个通孔连线以及金属层，所述通孔连线连接相连的金属层。
[0010]进一步的，所述顶部金属遮挡物通过所述通孔连线与所述金属层相连。
[0011]进一步的，所述传感器形成于一衬底的表面。
[0012]进一步的，所述通孔连线连接所述金属层与衬底。
[0013]进一步的，所述金属层的层数为I?10层。
[0014]进一步的，所述侧面金属遮挡物的俯视图为方形、圆形或者椭圆形。
[0015]与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在:在传感器的侧面形成侧面金属遮挡物，在传感器的上方形成顶部金属遮挡物，由于所述侧面金属遮挡物包围传感器，能够对来自传感器侧面的光线进行屏蔽，并且顶部金属遮挡物能够屏蔽来自传感器顶部的光线，从而能够实现全面的对传感器进行外界条件屏蔽，提高传感器的精度。【专利附图】

【附图说明】
[0016]图1为现有技术中屏蔽结构的俯视图；
[0017]图2为现有技术中屏蔽结构的剖面示意图；
[0018]图3为本实用新型一实施例中屏蔽结构的俯视图；
[0019]图4为本实用新型一实施例中屏蔽结构沿图3的X方向的剖面示意图；
[0020]图5为本实用新型一实施例中屏蔽结构沿图3的Y方向的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0021]下面将结合示意图对本实用新型的屏蔽结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。
[0022]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0023]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
[0024]请参考图3、图4和图5，在本实施例中，提出了一种屏蔽结构，使传感器100免受外界条件的干扰，所述结构包括顶部金属遮挡物200以及侧面金属遮挡物300，所述侧面金属遮挡物300包围所述传感器100，所述顶部金属遮挡物200形成于所述传感器100的上方，并与所述侧面金属遮挡物300相连。
[0025]在本实施例中，所述侧面金属遮挡物300设有开口，所述开口为引线区域，用于填充形成引线，方便所述传感器100与引线连接，其中，所述开口的个数大于等于I个，然而所述开口的越少越好，这样便于遮挡更多光线。
[0026]在本实施例中，所述侧面金属遮挡物300包括多个通孔连线320以及金属层310，所述通孔连线320连接相连的金属层310，此结构可以与半导体后段形成金属互连线结构的工艺一道形成，无需额外添加步骤形成，有利于降低生产成本，其中，所述通孔连线320可以为铜或者钨，所述金属层310的材质可以为铜。
[0027]其中，所述顶部金属遮挡物200通过通孔连线320与所述金属层310相连，所述金属层310的层数可以根据实际设计需要，即比所述传感器100需要的金属层数多I层即可，在本实施例中所述金属层310的层数为I?10层，仅选取2层作为示意，如图4和图5所
/Jn ο
[0028]在本实施例中，所述传感器100形成于一衬底400的表面，所述通孔连线320连接所述金属层310与衬底400。
[0029]在本实施例中，所述侧面金属遮挡物300的俯视图为方形，在本实用新型的其他实施例中，所述侧面金属遮挡物300的俯视图还可以为圆形、椭圆形或者其他多边形。[0030]综上，在本实用新型实施例提供的屏蔽结构中，在传感器的侧面形成侧面金属遮挡物，在传感器的上方形成顶部金属遮挡物，由于所述侧面金属遮挡物包围传感器，能够对来自传感器侧面的光线进行屏蔽，并且顶部金属遮挡物能够屏蔽来自传感器顶部的光线，从而能够实现全面的对传感器进行外界条件屏蔽，提高传感器的精度。
[0031]上述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不对本实用新型起到任何限制作用。任何所属【技术领域】的技术人员，在不脱离本实用新型的技术方案的范围内，对本实用新型揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本实用新型的技术方案的内容，仍属于本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种屏蔽结构，使传感器免受外界条件的干扰，其特征在于，所述结构包括顶部金属遮挡物以及侧面金属遮挡物，所述侧面金属遮挡物包围所述传感器，所述顶部金属遮挡物形成于所述传感器的上方，并与所述侧面金属遮挡物相连。
2.如权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述侧面金属遮挡物设有开口。
3.如权利要求2所述的屏蔽结构，其特征在于，所述开口至少为一个。
4.如权利要求2所述的屏蔽结构，其特征在于，所述侧面金属遮挡物包括多个通孔连线以及金属层，所述通孔连线连接相连的金属层。
5.如权利要求4所述的屏蔽结构，其特征在于，所述顶部金属遮挡物通过所述通孔连线与所述金属层相连。
6.如权利要求5所述的屏蔽结构，其特征在于，所述传感器形成于一衬底的表面。
7.如权利要求6所述的屏蔽结构，其特征在于，所述通孔连线连接所述金属层与衬底。
8.如权利要求4所述的屏蔽结构，其特征在于，所述金属层的层数为I?10层。
9.如权利要求1所述的屏蔽结构，其特征在于，所述侧面金属遮挡物的俯视图为方形、圆形或者椭圆形。
【文档编号】G01D11/24GK203629599SQ201320804357
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2013年12月9日 优先权日:2013年12月9日
【发明者】蒲贤勇, 程勇 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司