专利名称：多晶硅铸锭炉测温装置的制作方法
技术领域：
多晶硅铸锭炉测温装置技术领域:本实用新型涉及多晶硅锭的制造装置，特别涉及一种多晶硅铸锭炉测温装置。
背景技术：
:多晶硅铸锭炉是多晶硅料转化为多晶硅锭工艺过程中的必备设备，而多晶硅锭经工艺处理后又是光伏发电和半导体行业中的基础原料。多晶硅锭作为现代信息社会的关键支撑材料，是目前世界上最重要的多晶材料之一，它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料，也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。在多晶硅铸锭炉铸锭过程中，需要实时的测量热场的温度，便于作业人员及时调节工艺参数，保证硅锭能正常生长。现有的多晶硅铸锭炉，都不采用热电偶测温，容易造成测温不准确，生产成本高等现象。发明内容:鉴于此，有必要设计一种多晶硅铸锭炉测温装置。一种多晶硅铸锭炉测温装置，设置在多晶硅铸锭炉内部的下半部分，包括:热场件、热交换台底部保温层、闷盖、测温装置；其中，热场件、热交换台底部保温层通过支撑杆固定在下腔体上，闷盖设置在多晶硅铸锭炉下腔体的中心处，在闷盖上开有通孔，在多晶硅铸锭炉内部并且垂直正对该孔的热场件、热交换台底部保温层也开有通孔，测温装置穿过并固定在上述三处通孔位置，测温装置的顶部接触石墨坩埚底板。优选的，测温装置包括:外套杆、内套杆、热电偶、锁紧套杆、信号输出端子、PLC控制电路；其中，热电偶外面套有氧化锆制成的内套杆，在内套杆的末端通过锁紧套杆将内套杆与热电偶的结合体固定在闷盖上，在热场件之上的内套杆部分外套有外套杆，信号输出端子位于热电偶底端连接着热电偶与PLC控制电路。优选的，多晶硅铸锭炉测温装置还包括抽真空装置，该抽真空装置包括:三通、波纹管、真空计、气动阀、四通、球阀；其中，三通上端口通过锁紧套杆与内套杆底端密封固定，三通下端口与密封盖密封，三通侧端口与波纹管连通，波纹管的另一端连通四通，四通的另外三个端口连接真空计、气动阀、和球阀。气动阀另一端与真空泵连接，球阀另一端与氩气瓶连接。作业过程中，通过热场件的加热，使得热电偶将信号通过信号输出端子传递给PLC控制电路，PLC控制电路控制显示面板显示出温度值，可以测量到热场内部温度；真空泵通过气动阀控制，可保证热电偶内的真空度；氩气通过球阀控制，保证作业时所需氩气的流量。本实用新型通过在多晶硅铸锭炉下腔体的中心处设置带有热电偶的测温装置，可以实时的获得热场的温度，便于作业人员及时调节工艺参数，保证硅锭能正常生长。


:附图1是一较佳实施方式的多晶硅铸锭炉测温装置的剖视图。附图2是一较佳实施方式的多晶硅铸锭炉测温装置的立体图。图中:热场件1、热交换台底部保温层2、支撑杆3、下腔体4、闷盖5、外套杆6、内套杆7、锁紧套杆8、热电偶9、信号输出端子10、三通11、波纹管12、四通13、气动阀14、真空计15、球阀16。
具体实施方式
:如图1、图2所示，一种多晶硅铸锭炉测温装置，设置在多晶硅铸锭炉内部的下半部分，包括:热场件1、热交换台底部保温层2、闷盖5、测温装置；其中，热场件1、热交换台底部保温层2通过支撑杆3固定在下腔体4上，闷盖5设置在多晶硅铸锭炉下腔体4的中心处，在闷盖5上开有通孔，在多晶硅铸锭炉内部并且垂直正对该孔的热场件1、热交换台底部保温层2也开有通孔，测温装置穿过并固定在上述三处通孔位置，测温装置的顶部接触石墨樹祸底板。在本实施方式中，测温装置包括:外套杆6、内套杆7、热电偶9、锁紧套杆8、信号输出端子10、PLC控制电路；其中，热电偶9外面套有氧化锆制成的内套杆7，在内套杆7的末端通过锁紧套杆8将内套杆7与热电偶9的结合体固定在闷盖5上，在热场件I之上的内套杆7部分外套有外套杆6，信号输出端子10位于热电偶9底端连接着热电偶9与PLC控制电路。在本实施方式中，多晶硅铸锭炉测温装置还包括抽真空装置，该抽真空装置包括:三通11、波纹管12、真空计15、气动阀14、四通13、球阀16 ;其中，三通11上端口通过锁紧套杆8与内套杆7底端密封固定，三通11下端口与密封盖密封，三通11侧端口与波纹管12连通，波纹管12的另一端连通四通13，四通13的另外三个端口连接真空计15、气动阀14、和球阀16。气动阀14另一端与真空泵连接，球阀16另一端与氩气瓶连接。作业过程中，通过热场件I的加热，使得热电偶9将信号通过信号输出端子10传递给PLC控制电路，PLC控制电路控制显示面板显示出温度值，可以测量到热场内部温度；真空泵通过气动阀14控制，可保证热电偶9内的真空度；氩气通过球阀16控制，保证作业时所需IS气的流量。
权利要求1.一种多晶硅铸锭炉测温装置，其特征在于，包括:热场件、热交换台底部保温层、闷盖、测温装置；其中，闷盖设置在多晶硅铸锭炉下腔体的中心处，在闷盖上开有通孔，在多晶硅铸锭炉内部并且垂直正对该孔的热场件、热交换台底部保温层也开有通孔，测温装置穿过并固定在上述三处通孔位置，测温装置的顶部接触石墨坩埚底板。
2.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉测温装置，其特征在于:测温装置包括:外套杆、内套杆、热电偶、锁紧套杆、信号输出端子、PLC控制电路；其中，热电偶外面套有氧化锆制成的内套杆，在内套杆的末端通过锁紧套杆将内套杆与热电偶的结合体固定在闷盖上，在热场件之上的内套杆部分外套有外套杆，信号输出端子位于热电偶底端连接着热电偶与PLC控制电路。
3.如权利要求2所述的多晶硅铸锭炉测温装置，其特征在于:多晶硅铸锭炉测温装置还包括抽真空装置，该抽真空装置包括:三通、波纹管、真空计、气动阀、四通、球阀；其中，三通上端口通过锁紧套杆与内套杆底端密封固定，三通下端口与密封盖密封，三通侧端口与波纹管连通，波纹管的另一端连通四通，四通的另外三个端口连接真空计、气动阀、和球阀。
专利摘要一种多晶硅铸锭炉测温装置，设置在多晶硅铸锭炉内部的下半部分，包括热场件、热交换台底部保温层、闷盖、测温装置；测温装置包括外套杆、内套杆、热电偶、锁紧套杆、信号输出端子；作业过程中，通过热场件的加热，使得热电偶将信号通过信号输出端子传递给PLC，PLC通过控制程序显示出温度值，可以测量到热场内部温度；便于作业人员及时调节工艺参数，保证硅锭能正常生长。
文档编号G01K7/01GK202936519SQ20122054387
公开日2013年5月15日 申请日期2012年10月23日 优先权日2012年10月23日
发明者吴学军, 周凯平 申请人:宁夏日晶新能源装备股份有限公司