专利名称：一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备的制作方法
技术领域：
一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备技术领域[0001]本实用新型涉及测试设备相关技术领域，特别是一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备。
背景技术：
[0002]娃树脂封装的发光二极管(Light Emitting Diode, LED),因其良好的聚光性能被大量应用于汽车仪表面板产品中。这类LED存在的风险是若硅树脂和LED管灯丝没有很好的结合，会导致加热冷却后硅树脂和LED元器件之间出现裂缝甚至脱落，最终使灯光效果不能达到要求。现有生产制造中的测试方法及设备由于缺少快速加热冷却的测试条件，所以不能够有效地检测存在上述风险的产品。实用新型内容[0003]本实用新型提供一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，以解决现有技术由于缺少快速加热冷却的测试条件，而不能对硅树脂封装LED进行有效检测的技术问题。[0004]采用的技术方案如下[0005]—种娃树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，用于对若干个待测发光二极管进行测试，包括主恒流源、若干个副恒流源电路和测试部，所述主恒流源与若干个副恒流源电路并联后与测试部串联，所述副恒流源电路包括一个副恒流源和若干个副恒流源开关，副恒流源与并联后的若干个副恒流源开关串联，所述测试部包括一个数据采集板卡，以及与数据采集板卡并联的若干测试通道，每条测试通道包括依次串联的第一测试开关、第一测试点、待测发光二极管、第二测试点和第二测试开关。[0006]进一步的，每个副恒流源电路包括一个副恒流源和两个副恒流源开关。[0007]进一步的，所述副恒流源电路为一个，所述主恒流源的输出为I毫安，所述副恒流源的输出为179毫安。[0008]进一步的，所述副恒流源开关为程控开关。[0009]进一步的，所述副恒流源开关在闭合12毫秒后断开。[0010]进一步的，所述测试电路还包括数据采集板卡，第一测试点和第二测试点分别与数据采集板卡连接。[0011]进一步的，所述测试通道为32条。[0012]本实用新型用瞬间电流冲击的热效应来模拟实际环境的极端温度，从而对硅树脂封装LED进行有效检测，同时使用了用简单程控开关的方式实现了精确地时序控制。本实用新型设计预留32路测试通道，可以基本兼容现有仪表面板的所有产品。因此，本实用新型测试一台仪表产品仅需4-5秒钟，测试效率得到了很大的提高。


[0013]图I为本实用新型实施例的测试时序图；[0014]图2为本实用新型实施例的电路原理图。
具体实施方式
[0015]
以下结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的说明。[0016]本实用新型提出了一种基于“瞬时大电流冲击”测试理念的新型测试电路，用于实现对硅树脂封装LED性能的有效检测。[0017]如图I所示，本实施例的条件模拟分为两个部分加热和冷却，以实现对时间环境的极端温度的模拟。加热部分采用180mA的瞬间大电流冲击以对待测LED进行加热。冷却部分采用ImA的正常电流供电。[0018]在时序控制方面，首先使得对待测LED输入的ImA正常电流在Ims之内变为180mA 的大电流，180mA的大电流持续12ms后，在Ims之内的变为ImA正常电流。[0019]判定方法，在冷却过程中(即图I中的A点和B点)测量两个瞬时电压值，两点电压的变化量必须小于26mV，则判断该待测LED为合格LED。[0020]如图2所示为本实用新型实施例的电路原理图。一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，用于对若干个待测发光二极管进行测试，包括主恒流源21、一个副恒流源电路22和测试部23，所述主恒流源21与副恒流源电路22并联后与测试部23串联，副恒流源电路22包括一个副恒流源221和两个副恒流源开关2221和2222，副恒流源221与并联后的两个副恒流源开关2221和2222串联。[0021]测试部23包括一个数据采集板卡231，以及与数据采集板卡231并联的若干测试通道。[0022]测试通道包括依次串联的第一测试开关(2321-1，2321-2，…2321_n)、第一测试点(2322-1，2322-2，…2322-n)、待测发光二极管(2323-1，2323-2，... 2323-n)、第二测试点 (2324-1，2324-2，…2324-n)和第二测试开关(2325-1，2325-2，…2325-n)。[0023]其中，主恒流源21的输出为I毫安，副恒流源221的输出为179毫安。[0024]而副恒流源222开关为程控开关，副恒流源开关222在闭合12毫秒后断开。[0025]以测量待测发光二极管2323-1为例。瞬时冲击前，先把第一测试开关2321-1和第二测试开关2324-1闭合，并使用数据采集板卡231连续采集发光二极管2323-1两端电压。瞬时冲击时，闭合副恒流源开关2321和2322，主恒流源21和副恒流源221共同输出 180mA的大电流对LEDOl进行冲击，过12ms后断开副恒流源开关2221和2222，冲击结束。 瞬时冲击后，数据采集板卡继续采集，持续时间大于50ms，待采集结束后将数据传出进行分析。分析数据时先寻找电压波形的上升沿，再找下降沿，找到后计算这两点之间的时间是否为12ms，再分别寻找下降沿后7ms和47ms的电压值，计算其差值。如果确定冲击时间为 12ms，并且电压差值小于设定值(可以设定为26mV)，则认为产品OK ;否则为不良品。[0026]本实用新型提供了两个程控恒流源替代一个程控恒流源的硬件结构，因此大大简化了复杂时序的控制。同时由于使用了精密恒流源(精度达到uA级)，通过开关而非靠发指令控制电流，这样做可以避免因为控制过程时间不准导致冲击时间达不到要求。另外，测试过程不是靠定时来测电压，而是采集整个过程的电压值，再具体分析。这样避免了因为定时不准确带来的测量误差。最后，每一块产品冲击2-3次，全程采集所有的数据点经过数学计算后保留有效数据进行判断，避免数据采集过程中异常情况的发生。
权利要求1.一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，用于对若干个待测发光二极管进行测试，其特征在于，包括主恒流源、若干个副恒流源电路和测试部，所述主恒流源与若干个副恒流源电路并联后与测试部串联，所述副恒流源电路包括一个副恒流源和若干个副恒流源开关，副恒流源与并联后的若干个副恒流源开关串联，所述测试部包括一个数据采集板卡，以及与数据采集板卡并联的若干测试通道，每条测试通道包括依次串联的第一测试开关、第一测试点、待测发光二极管、第二测试点和第二测试开关。
2.根据权利要求I所述的一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，其特征在于，每个副恒流源电路包括一个副恒流源和两个副恒流源开关。
3.根据权利要求I所述的一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，其特征在于，所述副恒流源电路为一个，所述主恒流源的输出为I毫安，所述副恒流源的输出为179晕安。
4.根据权利要求I所述的一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，其特征在于，所述副恒流源开关为程控开关。
5.根据权利要求I所述的一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，其特征在于，所述测试设备还包括数据采集板卡，第一测试点和第二测试点分别与数据采集板卡连接。
6.根据权利要求I所述的一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，其特征在于，所述测试通道为32条。
专利摘要本实用新型涉及测试设备相关技术领域，特别是一种硅树脂封装发光二极管的电流冲击测试设备，包括主恒流源、若干个副恒流源电路和测试部，所述主恒流源与若干个副恒流源电路并联后与测试部串联，所述副恒流源电路包括一个副恒流源和若干个副恒流源开关，副恒流源与并联后的若干个副恒流源开关串联，所述测试部包括一个数据采集板卡，以及与数据采集板卡并联的若干测试通道，每条测试通道包括依次串联的第一测试开关、第一测试点、待测发光二极管、第二测试点和第二测试开关。本实用新型用瞬间电流冲击的热效应来模拟实际环境的极端温度，从而对硅树脂封装LED进行有效检测，同时使用了用简单程控开关的方式实现了精确地时序控制。
文档编号G01R31/26GK202815168SQ20122048708
公开日2013年3月20日 申请日期2012年9月24日 优先权日2012年9月24日
发明者林振国, 黄晓彬, 梁元 申请人:惠州市德赛西威汽车电子有限公司