专利名称：半导体器件性能测试装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件测试领域，特别是半导体器件性能测试装置。
背景技术：
在现有技术中，测试半导体器件在不同的电压下的性能是分别将半导体器件连接在不同的电压上进行测试，这样就要分别地连接，具有效率低、操作繁琐的缺点。
发明内容本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供一种效率高、测试简单的半导体器件性能测试装置。本实用新型的技术方案是这样实现的半导体器件性能测试装置，包括一个测试仪和电源，其特征是它还包括一个电压自动调节器，所述的电源经过电压自动调节器，电压自动调节器还连接测试仪。本实用新型的有益效果是这样结构的半导体器件性能测试装置具有效率高、测试简单的优点。

图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进一步的描述。如图1所示，半导体器件性能测试装置，包括一个测试仪和电源，其特征是它还包括一个电压自动调节器，所述的电源经过电压自动调节器，电压自动调节器还连接测试仪。使用时，所述的电源接半导体器件和测试仪，所述的电压自动调节器可以自动变化电压，不用多次连接不同的电压进行测试，具有简单高效的优点。
权利要求1.半导体器件性能测试装置，包括一个测试仪和电源，其特征是它还包括一个电压自动调节器，所述的电源经过电压自动调节器，电压自动调节器还连接测试仪。
专利摘要本实用新型涉及半导体器件测试领域，特别是半导体器件性能测试装置。半导体器件性能测试装置，包括一个测试仪和电源，其特征是它还包括一个电压自动调节器，所述的电源经过电压自动调节器，电压自动调节器还连接测试仪，这样结构的半导体器件性能测试装置具有效率高、测试简单的优点。
文档编号G01R31/26GK202159118SQ20112028602
公开日2012年3月7日 申请日期2011年8月9日 优先权日2011年8月9日
发明者刘宝成 申请人:河南恒昌电子有限公司