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一种直接显示电流传输比的光耦测量装置的制作方法

时间:2025-05-06    作者: 管理员

专利名称:一种直接显示电流传输比的光耦测量装置的制作方法
技术领域
本发明涉及光耦性能参数的测量和测试领域,特别涉及光耦电流传输比的测量和测试装置。该光耦测量装置可以直接显示电流传输比,因而可有效地提高光耦测试效率。
背景技术
光耦合器(Opticalcoupler,英文缩写为0C)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是一种以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,并从输出端流出,从而实现“电-光-电”转换。这种以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器,由于具有体积小、寿命长、无触点、抗干扰能力强、输出和输入之间绝缘、单向传输信号等优点,因而在各种行业上获得广泛的应用。例如,在开关电源中,利用线性光耦合器就可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变开关管的占空比,由此达到开关电源的精密稳压。光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降Vf、正向电流If、电流传输比 CTR(Current Transfer Ratio)、输入级与输出级之间的绝缘电阻、输出端的光敏半导体集电极-发射极反向击穿电压、集电极-发射极饱和压降V。E(sat)。其中,电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流Ic与直流输入电流If的百分比,如下式所示
权利要求
1.一种直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于,依次包括供电装置、恒流输出装置、被测光耦接口、采样电阻及数显表头,其中所述采样电阻与所述数显表头并接; 所述恒流输出装置设定为测试条件规定的光耦直流输入电流;所述采样电阻的阻值设定为一电压测量常数与所述直流输入电流的比值,该电压测量常数取值为10的整数次幂。
2.如权利要求1所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于,所述数显表头设置为不显示小数点的默认状态,量程为20mV、200mV或2000mV ;所述电压测量常数相应为 ImVUOmV 或 IOOmV。
3.如权利要求1所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于,包括自校准电路,连接于所述恒流输出装置与所述采样电阻之间。
4.如权利要求3所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于,所述自校准电路为一开关或一继电器。
5.如权利要求1 4任一项所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于, 所述供电装置为一直流稳压电源。
6.如权利要求5所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于,所述恒流输出装置为一精密恒流源。
7.如权利要求6所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于,所述直流稳压电源的正输出端连接所述精密恒流源的输入脚及被测光耦输入端发光二极管的阳极接线端口;所述直流稳压电源的负输出端连接所述精密恒流源的接地脚及被测光耦输出端光敏半导体管的发射极接线端口;所述精密恒流源的输出脚连接被测光耦输入端发光二极管的阴极接线端口; 所述采样电阻的一端连接所述直流稳压电源的正输出端,另一端连接被测光耦输出端光敏半导体管的集电极接线端口 ;所述自校准电路的一端连接被测光耦输入端发光二极管的阴极接线端口,另一端连接被测光耦输出端光敏半导体管的集电极接线端口; 所述数显表头的测量端口与所述采样电阻并接。
8.如权利要求6所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于,所述直流稳压电源的正输出端连接所述精密恒流源的输入脚及被测光耦输出端光敏半导体管的集电极接线端口;所述直流稳压电源的负输出端连接所述精密恒流源的接地脚及被测光耦输入端发光二极管的阴极接线端口;所述精密恒流源的输出脚连接被测光耦输入端发光二极管的阳极接线端口 ; 所述采样电阻的一端连接所述直流稳压电源的负输出端,另一端连接被测光耦输出端光敏半导体管的发射极接线端口 ;所述自校准电路的一端连接被测光耦输入端发光二极管的阳极接线端口,另一端连接被测光耦输出端光敏半导体管的发射极接线端口; 所述数显表头的测量端口与所述采样电阻并接。
9.如权利要求6所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于,所述采样电阻包括多个电阻,所述精密恒流源为一可调精密恒流源,通过一多点测量控制装置同步控制所述可调精密恒流源的输出电流取值及所述采样电阻的取值。
10.如权利要求9所述的直接显示电流传输比的光耦测量装置,其特征在于,所述多点测量控制装置为一双刀多掷开关或一组继电器。
全文摘要
本发明公开一种直接显示电流传输比的光耦测量装置,依次包括供电装置、恒流输出装置、被测光耦接口、采样电阻及数显表头,其中所述采样电阻与所述数显表头并接;所述恒流输出装置设定为测试条件规定的光耦直流输入电流;所述采样电阻的阻值设定为一电压测量常数与所述直流输入电流的比值,该电压测量常数取值为10的整数次幂。本发明测量装置可直接显示光耦电流传输比测量结果,有效提高了测试效率。
文档编号G01R31/00GK102175941SQ20111003419
公开日2011年9月7日 申请日期2011年1月31日 优先权日2011年1月31日
发明者尹向阳, 王保均 申请人:广州金升阳科技有限公司

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