专利名称：一种可控硅故障检测电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种检测电路，尤其是涉及一种用于检测可控硅故障状态的检测电路。
背景技术：
可控硅具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。可控硅虽然应用广泛，但故障检测手段有限，在实际运行过程中，仅能依靠被控制设备的异常运行来判断可控硅是否处于故障状态。对于电器的安全运行非常不利。

实用新型内容本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种可控硅故障检测电路，该检测电路通过检测光电耦合器输出端是否有电平跳变，及时判断出可控硅是否故障并给出故障信号。本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现一种可控硅故障检测电路，包括整流桥、光电耦合器和限流电阻，所述的整流桥的第一输入端子通过一个限流电阻连接可控硅的一端，第二输入端子连接可控硅的另一端，所述的光电耦合器的第一输入端子连接整流桥的第一输出端子，所述的光电耦合器的第二输入端子连接整流桥的第二输出端子。当可控娃导通时，光电I禹合器输出高电平；当可控娃不导通时，光电I禹合器输出低电平；可控硅出现故障后，不论其导通与否，光电耦合器的输出端均不产生电平变化，由此可以判断可控硅是否故障。所述的光电耦合器为带基极的光电耦合器，该光电耦合器的基极端设有电阻和电容，所述的电阻和电容并联设置并接地。光电稱合器的电源端设有一电阻,通过该电阻连接电源，光电稱合器的输出端设有一上拉电阻，通过该上拉电阻连接电源。所述的整流桥包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管，所述的第一二极管的阳极为第一输入端子，连接第四二极管的阴极，所述的第二二极管的阴极为第一输出端子，连接第一二极管的阴极，所述的第三二极管的阴极为第二输入端子，连接第二二极管的阳极，所述的第四二极管的阳极为第二输出端子，连接第三二极管的阳极。与现有技术相比，本实用新型通过检测光电耦合器输出端是否有电平跳变，及时判断出可控硅是否故障并给出故障信号。

图I为本实用新型的电路结构示意图；[0012]图2为本实用新型中整流桥的详细结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。实施例如图I所示，一种可控硅故障检测电路，其特征在于，包括整流桥BDl、光电耦合器U1、电容Cl、限流电阻R3、上拉电阻R2以及电阻Rl和R4。光电耦合器Ul为带基极的光电耦合器，该光电耦合器Ul的基极端BASE与并联设置的电阻R4和电容Cl连接后接地，光电耦合器Ul的电源端VCC设有电阻Rl，通过电阻Rl连接电源，为光电耦合器Ul提供工作电压。光电耦合器Ul的输出端OUT设有一上拉电阻R2，通过该上拉电阻R2连接电源。 整流桥BDl的具体结构如图2所示，第一二极管Dl的阳极为输入端子1，连接第四二极管D4的阴极，第二二极管D2的阴极为输出端子2，连接第一二极管Dl的阴极，所述的第三二极管D3的阴极为输入端子3，连接第二二极管D2的阳极，所述的第四二极管D4的阳极为输出端子4，连接第三二极管D3的阳极。所述的整流桥BDl的第一输入端子I通过一个限流电阻R3连接可控硅的一端，第二输入端子2连接可控硅的另一端，所述的光电耦合器Ul的第一输入端子A连接整流桥BDl的第一输出端子2,所述的光电稱合器Ul的第二输入端子C连接整流桥BDl的第二输出端子4。当可控硅没有导通时，阳极和阴极之间没有电流流过，整流桥BDl无输出。此时光电耦合器Ul不导通，输出端OUT由于通过连接上拉电阻R2输出高电平，如果需要输出低电平，可在输出端OUT后加反向器即可。当可控硅导通后，阳极和阴极之间有电流流过，经过整流桥BDl整流后输出到光电率禹合器Ul的输入端,光电I禹合器Ul导通,输出低电平,如需输出高电平,可在输出端OUT后加反向器即可。由于可控硅出现故障后，其导通状态的变化不再改变光电耦合器Ul的输出端VOUT的电平变化，因此可通过输出端OUT的电平状态，判断可控硅是否故障，第一时间判断出故障状态。
权利要求1.一种可控硅故障检测电路，其特征在于，包括整流桥(BDl)、光电耦合器(Ul)和限流电阻(R3)，所述的整流桥(BDl)的第一输入端子(I)通过一个限流电阻(R3)连接可控硅的一端，第二输入端子(2)连接可控娃的另一端，所述的光电稱合器(Ul)的第一输入端子(A)连接整流桥(BDl)的第一输出端子(2)，所述的光电耦合器(Ul)的第二输入端子(C)连接整流桥(BDl)的第二输出端子⑷。
2.根据权利要求I所述的一种可控硅故障检测电路，其特征在于，所述的光电耦合器(Ul)为带基极的光电耦合器，该光电耦合器(Ul)的基极端(BASE)设有电阻(R4)和电容(Cl)，所述的电阻(R4)和电容(Cl)并联设置并接地。
3.根据权利要求I所述的一种可控硅故障检测电路，其特征在于，所述的光电耦合器(Ul)的电源端(VCC)设有一电阻(Rl)，通过该电阻(Rl)连接电源，光电耦合器(Ul)的输出端(OUT)设有一上拉电阻(R2)，通过该上拉电阻(R2)连接电源。
4.根据权利要求I所述的一种可控硅故障检测电路，其特征在于，所述的整流桥(BDl)包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)和第四二极管(D4)，所述的第一二极管(Dl)的阳极为第一输入端子(I)，连接第四二极管(D4)的阴极，所述的第二二极管(D2)的阴极为第一输出端子(2)，连接第一二极管(Dl)的阴极，所述的第三二极管(D3)的阴极为第二输入端子(3)，连接第二二极管(D2)的阳极，所述的第四二极管(D4)的阳极为第二输出端子(4)，连接第三二极管(D3)的阳极。
专利摘要本实用新型涉及一种可控硅故障检测电路，包括整流桥、光电耦合器和限流电阻，所述的整流桥的第一输入端子通过一个限流电阻连接可控硅的一端，第二输入端子连接可控硅的另一端，所述的光电耦合器的第一输入端子连接整流桥的第一输出端子，所述的光电耦合器的第二输入端子连接整流桥的第二输出端子。与现有技术相比，本实用新型通过检测光电耦合器输出端是否有电平跳变，及时判断出可控硅是否故障并给出故障信号。
文档编号G01R31/26GK202433488SQ20112052369
公开日2012年9月12日 申请日期2011年12月14日 优先权日2011年12月14日
发明者钱丙军 申请人:上海亿盟电气自动化技术有限公司