专利名称：一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法
技术领域：
本发明有关一种硅片上金属硅化物的检测方法，尤其是有关一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法。
背景技术：
在深亚微米集成电路加工中，通常都采用硅化钛来减小硅电阻，完成晶体管之间的互连，所以硅化钛的成长质量对集成电路的成品率有很重要的影响。对已经制成好的集成电路芯片进行解析时，对硅化钛的形成进行快速有效的检验对于集成电路制成解析是非常重要的。
在集成电路解析中，一般都是通过作断面电子扫描显微镜的方法来确认硅化钛的成长厚度和连续性。但是由于是检查剖面，所以不可能有效地确认大面积上的硅化钛成长的均匀性，而且制作电子扫描显微镜的断面样品还需要比较精细的加工。
因此，应该设计一种检测硅片上金属硅化物成长质量的方法，能够方便快捷地检测出硅片表面硅化物的成长质量。

发明内容
为改变已有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种快速的分析检验方法来对制成结束后的硅片进行解析，分析金属硅化物的成长质量。。
为了实现本发明的发明目的，本发明的一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，其特征在于首先使用强酸腐蚀的方法将硅片表面的金属配线和二氧化硅去除，接着使用电子扫描显微镜对硅片表面观察来确定硅化钛的成长质量。
由于采用上述技术方案，本发明的是采用通过表面观测的方式来确认金属硅化物的成长质量，通过电子扫描显微镜对硅片表面的观测来确定金属硅化物的成长质量，对样品加工和准备都不需要很高的要求，而且结果也很直观。
具体实施例方式
下面结合附图
和实施例对本实用新型作进一步描述。
首先将制成好的集成电路硅片要观察的区域做成样品，因为要用作表面观察，所以可以做相对断面观察样品要大的样品，减小的样品的制作难度。
然后用高浓度的HF氢氟酸(浓度大于90％)将样品浸泡15分钟左右，再用清水将样品清洗干净。这时的样品表面就只留下硅，和一些多晶硅栅了，因为HF会把硅衬底以上的金属和二氧化硅都腐蚀掉。硅化钛一般都是成长在硅衬底和多晶栅上的，所以这时通过电子扫描显微镜对样品表面观测，就可以很方便的检测硅化钛的成长连续性和厚度。
观察硅化钛成长的连续性硅化钛是金属钛和硅合金后形成的，而且硅化钛也会被HF给腐蚀掉，所以在成长硅化钛的区域，经过HF处理后在电子扫描显微镜下会显得凹凸不平，如果在硅化钛的成长区域内发现有光滑的硅表面出现，就可以很容易判断出硅化钛的成长不连续。
观察硅化钛成长的厚度由于在集成电路中的互连孔都是开孔到硅化钛上的，而且对互连孔在硅化钛上的深度都要求不能穿过硅化钛，一般都是在停在硅化钛的一半深度左右，所以在经过氢氟酸处理过的样品上，在正常状态下通过电子扫描显微镜是不能看到有圆孔的痕迹在硅衬底上的，如果能够观测到有圆的互连孔的痕迹，那就是说明互连孔已经穿过了硅化钛，如果确认了互连孔的开孔工艺没有问题，就可以很容易的确认是硅化钛的成长厚度不够。
同理，本发明也可以用于其它金属硅化物，而氢氟酸也可以用其它高强度的酸替代。
综上所述，本发明的能够完成发明人的发明目的，使用本发明的硅片上金属硅化物的成长质量的检测方法，可以方便地使用表面观察的方法来检测金属硅化物的成长质量，这样对样品加工和准备都不需要很高的要求，而且检测的结果也很直观。
权利要求
1.一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，其特征在于首先使用强酸腐蚀的方法将硅片表面的金属配线和二氧化硅去除，接着使用电子扫描显微镜对硅片表面观察来确定硅化钛的成长质量。
2.如权利要求1所述的硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，其特征在于所述强酸为氢氟酸。
3.如权利要求2所述的硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，其特征在于所述氢氟酸浓度为大于90％。
4.如权利要求1或2或3所述的硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，其特征在于使用酸腐蚀的时间为15分钟以上。
5.如权利要求1或2或3所述的硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，其特征在于所述金属硅化物为硅化钛。
全文摘要
本发明一种硅片上金属硅化物成长质量的检测方法，可以用以方便快捷地使用表面观测的方法检测硅片表面硅化钛的成长质量，其步骤为首先使用浓度为90％以上的氢氟酸腐蚀15分钟以上的方法将硅片表面的金属配线和二氧化硅去除，接着使用电子扫描显微镜对硅片表面观察来确定硅化钛的成长质量。使用本发明的方法，可以对硅片的加工和准备都不需要很高的要求，而且结果也很直观。
文档编号G01N23/225GK1727870SQ200410053298
公开日2006年2月1日 申请日期2004年7月29日 优先权日2004年7月29日
发明者王飞, 孙宏 申请人:上海华虹Nec电子有限公司