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利用MonteCarlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法

时间:2025-05-06    作者: 管理员

专利名称:利用Monte Carlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法
技术领域
本发明涉及一种物质识别的方法。
背景技术
传统的X射线检测技术和设备,有性能可靠、操作简单、易于维护、图像清晰直观并且价格低廉等优点。但是大多数安检设备都是利用普通射线成像系统来进行安全检查,类似枪支和刀具之类的比较坚硬的金属制品很容易被识别,但是探测爆炸物要比探測武器困难得多,因为现在的爆炸物大多是塑胶炸弹,其主要成分为HMX(奥克托今)、RDX(黑索今),它们极易被伪装成任何形状,就像我们每天的日常生活用品一祥,很难被普通的射线成像系统检测出来。随着恐怖事件的屡次发生,如何有效而准确地检测出藏匿在行李包裹的夹层中、厚的鉄板暗格里、甚至是集装箱中的危险品成为目前的一大难点。由于爆炸物和 危险品的种类繁多,且物质形态千差万別,要准确、快速地检查出爆炸物等违禁品,无疑提高了对安检设备的技术要求。近年来,X射线背散射技术也应用在大型物品的安全检查中。利用车辆偷运炸药、毒品和人员偷渡等往往采用对车辆进行改造,制造厚铁的暗格、夹层等手段,其原因是铁板对X射线的吸收较强,隐藏于厚重鉄板后的炸药、毒品等有机物在传统的X射线检查中被遮挡,难以发现。但有效原子序数低的有机物(毒品和爆炸物等)对X射线的散射效应强,利用双能X射线成像方法可实现对原子序数低的有机物(毒品和爆炸物等)的探測,特别是对位于被检物浅层区(夹层等)的有机物探測其散射信号很强。

发明内容
本发明是为了解决目前在安检过程中,物质识别准确率低的问题,从而提供ー种利用Monte Carlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法。利用Monte Carlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法,它由以下步骤实现步骤一、利用Monte Carlo方法模拟能量为9MeV和能量为6MeV的电子束轰击钨靶过程,产生轫致辐射,获得X射线谱;步骤ニ、对步骤一获得的X射线谱进行准直,准直后扫描待测样品,获得扫描图像;步骤三、分析步骤ニ获得的扫描图像,获得待测样品的识别曲线,根据该识别曲线与物质原子之间的关系,实现物质识别。步骤一中能量为9MeV和能量为6MeV的电子束的为O. 2cm。步骤一中钨靶的直径为I. 5cm、厚度为O. 2cm。步骤ニ中对步骤一获得的X射线谱进行准直采用铅准直的方法实现。有益效果本发明利用Monte Carlo方法模拟双能X射线成像的方法进行物质识另|J,能够更有效地识别被检测物品,提取更多的物质信息,从而提高检查准确率,降低误报率。本发明尤其适用于港口、码头等大型货物的检测,以及对违禁品(毒品、炸药)的识别。


图I是产生电子束的面源、钨靶及点探測器之间的空间结构示意图;图2是双能成像物质识别原理示意图;图3是前向散射的原理示意图;图4是6MeV电子束的轫致辐射谱示意图;图5是9MeV电子束的轫致辐射谱示意图;图6是6MeV电子束的轫致辐射角分布示意图;图7是9MeV电子束的辆致福射角分布不意图;图8是不同材料识别曲线不意图;图9是不同材料前向散射光子数与散射角的关系示意图;图10是MCNP 程序流程示意图。
具体实施例方式具体实施方式
一、利用Monte Carlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法,它由以下步骤实现步骤一、利用Monte Carlo方法模拟能量为9MeV和能量为6MeV的电子束轰击钨靶过程,产生轫致辐射,获得X射线谱;步骤ニ、对步骤一获得的X射线谱进行准直,准直后扫描待测样品,获得扫描图像;步骤三、分析步骤ニ获得的扫描图像,获得待测样品的识别曲线,根据该识别曲线与物质原子之间的关系,实现物质识别。步骤一中能量为9MeV和能量为6MeV的电子束的为O. 2cm。步骤一中钨靶的直径为I. 5cm、厚度为O. 2cm。步骤ニ中对步骤一获得的X射线谱进行准直采用铅准直的方法实现。原理本发明的双能X射线成像物质识别方法是通过不同能量的X射线在物质中的衰减值进行计算(物质对高能X射线衰减与对低能X射线衰减的比值K只与物质的原子序数Z有夫),再将已有的数据和计算结果进行对比,从而确定被测材料的种类(有效原子序数),实现物质识别。设P (EM,E)表示最高能量为EM(高⑶、低(L)能射线分别对应和EL)的X射线能谱分布;μ (Ε,Ζ)表示能量为E的X射线穿过原子序数为Z的被检测材料时的质量衰减系数,t为X射线穿过的被检测物质的质量厚度,那么高低能X射线穿过被检测材料之后的透明度定义为
(Μ^{ΕΑ1.Ε)β-^ Ετ —丄 dE _Λ/' _厂fか.、厚
^ ClE(I^其中Em代表Eh或者Ep再定义α Μ = -1ηΤΜ (2)根据每种物质的α曲线(αΗ,a L- α Η)就可以进行物质识别。模拟6MeV和9MeV电子束轰击钨靶的轫致辐射过程,其系统的空间结构如图I所不。其中,面源I产生的电子束直径为O. 2cm,圆心坐标为(0,-I,O),钨靶2是直径为
I.5c m、厚度为O. 2cm的圆柱,圆柱底面圆心在原点。在以原点为圆心,半径为2cm的上半圆上每隔15°放置ー个点探测器3进行计数。利用MCNP 4C模拟得到6MeV和9MeV电子直线加速的轫致辐射谱及角分布,为了尽量缩短模拟计算时间,保证误差在可以接受的范围内,取NPS为2. OX IO6。MCNP程序流程示意图如图10所示。物质识别曲线(α曲线)的模拟对双能X射线成像物质识别方法进行模拟,其系统的空间结构如图2所示。原则上应该是利用上一步模拟得到的X射线谱,经过准直后,直接进行待测样品扫描。为了节省计算时间,増加统计精度,在编写INP文件时,把第一歩所得轫致辐射X射线谱进行微分,以直方图的形式输入。本发明预先对三种金属单质Pb (铅)、Fe (鉄)、Al (铝)、ー种化合物KC1 (氯化钾)、两种有机物=RDX(黑索今)和CH2(聚こ烯)共六种物质进行了模拟计算,得到了各自的识别曲线(α曲线)。在选择待测样品5的厚度时,均使所得数据点均匀分布在待测样品5的射程之内。其中Pb (铅)样品的厚度分别为I. 8cm 18cm,以I. 8cm为间隔;Fe (铁)样品厚度分别为3cm 30cm,以3cm为间隔;A1 (招)样品厚度分别为6cm 60cm,以6cm为间隔;KC1 (氯化钾)和RDX(黑索今)的样品厚度分别为8cm 80cm,以8cm为间隔;CH2 (聚こ烯)的样品厚度分别为20cm 200cm,以20cm为间隔。NPS取5X 106,选用Fl卡(面流量计数卡)进行计数。材料參数如表I所示表I材料參数表
材料密度(g/cm3)有效原子序数
Pb11.482 Fe7.8656 Al2.713 KCl丨.98418.12 RDX丨.866.95 CH20.955.53前向散射的模拟为了更精确的物质识别,本发明还包括对X射线的康普顿散射(前向散射)进行了蒙卡模拟,其系统的空间结构如图3所示。面源I选取6MeV电子轫致辐射谱,模拟选取Fe (铁)、Al (铝)、KCl (氯化钾)、RDX(黑索今)、CH2(聚こ烯)等五种材料,厚度均为3cm。用点探测器对散射的X射线进行计数,5°开始每隔2°放置ー个点探測器,NPS取5X106。数据处理及分析模拟得到6MeV/9MeV电子束轫致辐射谱如图4和图5所示6MeV和9MeV电子的轫致辐射谱形状很相近,都在较低能量段有较高的光子产额,差别在于9MeV电子轫致辐射谱的光子平均能量较大。同时也得到了 6MeV/9MeV电子束轫致辐射角分布,如图6和图7所示显然,0° (透射情況)所得光子数最多,0°到90°光子数下降的非常迅速,说明模拟所得的X射线谱前向性很好,在角度为90°时光子数出现突变,可能与光子的反射等有夫。6种材料的物质识别曲线把对应的轫致辐射谱进行微分,之后扫描Pb (铅)、Fe (鉄)、Al (铝)、KCl (氯化钾)、RDX (黑索今)和CH2 (聚こ烯)六种样品,对所得数据进行处理得到各自的α曲线如图8所示,可以看出随着有效原子序数的増加,不同材料的识别曲线有明显的单调关系;有效原子序数越大(如铅),识别曲线近似斜率越小;有效原子序数差值越大,识别曲线分开的也就越明显;有效原子序数差值较小的两种材料,识别曲线会非常接近,如图中RDX(黑索今)和CH2(聚こ烯)差值为I. 42,二者的识别曲线比较接近,会给物质识别带来很大的误差。为了更准确的识别物质,必须尽可能多的提取材料的相关信息(如密度)。模拟微分轫致辐射谱扫描Fe (铁)、A1 (铝)、KC1 (氯化钾)、RDX (黑索今)、CH2 (聚 こ烯)等五种材料,记录了前向散射散射角从5°到41°的数据,结果如图9所示,可以看出入射X射线谱一定^MeV电子轫致辐射谱),材料厚度相同(3cm)的情况下,前向散射光子数随着密度的増大而增大;密度的差值越大,曲线分的越开,物质识别就更容易。图中KCl和RDX的两条曲线10°以后几乎重合,是因为这两种材料密度(KCl密度I. 984、RDX1. 86)非常接近,差值仅为O. 124,这种情况下很难通过密度来识别物质,但可以通过有效原子序数加以区分(如图7所示)。本发明利用Monte Carlo方法模拟物质识别曲线和前向散射光子分布,为物质识别提供更多的イ目息,提闻了物质识别的精确度,进而提闻安检系统的材料分辨能力,对社会
安全有重要意义。
权利要求
1.利用MonteCarlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法,其特征是它由以下步骤实现 步骤一、利用Monte Carlo方法模拟能量为9MeV和能量为6MeV的电子束轰击钨靶过程,产生轫致辐射,获得X射线谱; 步骤二、对步骤一获得的X射线谱进行准直,准直后扫描待测样品,获得扫描图像; 步骤三、分析步骤二获得的扫描图像,获得待测样品的识别曲线,根据该识别曲线与物质原子序数之间的关系,实现物质识别。
2.根据权利要求I所述的利用MonteCarlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法,其特征在于步骤一中能量为9MeV和能量为6MeV的电子束的为O. 2cm。
3.根据权利要求I所述的利用MonteCarlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法,其特征在于步骤一中钨靶的直径为I. 5cm、厚度为O. 2cm。
4.根据权利要求I所述的利用MonteCarlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法,其特征在于步骤二中对步骤一获得的X射线谱进行准直采用铅准直的方法实现。
全文摘要
利用Monte Carlo方法模拟双能X射线成像进行物质识别的方法,涉及一种双能X射线成像进行物质识别的方法。它是为了解决目前在安检过程中,物质识别准确率低的问题。其方法步骤一、利用Monte Carlo方法模拟能量为9MeV和能量为6MeV的电子束轰击钨靶过程,产生轫致辐射,获得X射线谱;步骤二、对步骤一获得的X射线谱进行准直,准直后扫描待测样品,获得扫描图像;步骤三、分析步骤二获得的扫描图像,获得待测样品的识别曲线,根据该识别曲线与物质原子之间的关系,从而实现物质识别。本发明适用于安防检查。
文档编号G01V5/00GK102662196SQ20121014194
公开日2012年9月12日 申请日期2012年5月9日 优先权日2012年5月9日
发明者关世荣, 周巍, 庞杨, 张慧, 梅雪松, 滕立才, 韩业辉, 黄龙川 申请人:黑龙江省科学院技术物理研究所

  • 专利名称:一种500kV主变局部放电试验用新型均压罩的制作方法技术领域:本实用新型涉及一种用于500kV变压器局部放电试验的均压罩,属于高电压试验技术领域。背景技术:在对500kV变压器进行局部放电试验时需要对变压器出线套管将军帽处进行均压
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