专利名称：一种复合全桥差压测量单元的制作方法
技术领域：
一种复合全桥差压测量单元技术领域[0001]本实用新型涉及压力传感领域，特别是一种复合全桥差压测量单元。
背景技术：
[0002]目前，普通差压传感器大多只能测量正向压差，即在差压测量单元两端相同静压的基础上正压端大于负压端的压力差，而负压端的压力不能大于正压端，否则差压传感器会损坏。在某些场合，同一个差压传感器，正负压两端受到的压力可能来自不同的压力通道，正压端可能大于负压端，负压端可能大于正压端，因此普通的差压测量单元不能满足此种测量需求，在使用双压力敏感芯片分别独立测量时，电路结构复杂。发明内容[0003]本实用新型所要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提供一种复合全桥差压测量单元，克服现有的单压力敏感芯片实现差压测量时负压端压力不能大于正压端压力， 以及双压力敏感芯片分别独立测量时电路复杂的缺点。[0004]为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是一种复合全桥差压测量单元，包括两个压力敏感芯片，所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成，位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥，两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空。[0005]当正负端压力不相等时，可以输出可正可负的电压信号，该压力信号与压差大小成比例关系。[0006]为了保证产品的压力信号与压差大小成比例关系，所述两个压力敏感芯片的灵敏度应调整为相等。[0007]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型采用两个压力敏感芯片复合成新的全桥来测量差压，解决了传统差压传感器不能测量负差压以及电路复杂的问题。


[0008]图I为本实用新型一实施例电路原理图；[0009]其中[0010]I :负压端压力敏感芯片；2 :正压端压力敏感芯片；3 :负压端压力敏感芯片正输出；4 :正压端压力敏感芯片正输出；5 :复合全桥差压测量单元。
具体实施方式
[0011]如图I所示，本实用新型一实施例包括两个压力敏感芯片，所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成，位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥，两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空。[0012]负压端压力敏感芯片为一独立常规的表压敏感芯片，安装在负压压力感测部位， 正压端压力敏感芯片为一独立常规的表压敏感芯片，安装在正压压力感测部位，正压端压力敏感芯片正输出半桥与负压端压力敏感芯片正输出半桥复合成新的全桥构成复合全桥差压测量单元，负压端压力敏感芯片和正压端压力敏感芯片的负输出半桥悬空不用。[0013]该差压测量单元负压端所受的压力可以大于正压端压力，当正压端压力大于负压端压力时，输出为正；当正压端压力小于负压端压力时输出为负。
权利要求1.一种复合全桥差压测量单元，包括两个压力敏感芯片，其特征在于，所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成，位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥，两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空。
专利摘要本实用新型公开了一种复合全桥差压测量单元，包括两个压力敏感芯片，所述压力敏感芯片由惠斯登电桥组成，位于正压端的惠斯登电桥的正输出半桥和位于负压端的惠斯登电桥的正输出半桥组成复合全桥，两个惠斯登电桥的负输出半桥均悬空，本实用新型采用两个压力敏感芯片复合成新的全桥来测量差压，解决了传统差压传感器不能测量负差压以及电路复杂的问题。
文档编号G01L13/06GK202814623SQ201220330880
公开日2013年3月20日 申请日期2012年7月10日 优先权日2012年7月10日
发明者金忠, 谢贵久, 吴迪, 龙悦, 颜志红, 何迎辉 申请人:中国电子科技集团公司第四十八研究所