专利名称：一种温度传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于传感器 技术领域，尤其是涉及ー种温度传感器。
背景技术：
利用物质各种物理性质随温度变化的规律把温度转换为电量的是温度传感器。温度传感器是温度测量仪表的核心部分，品种繁多。按测量方式可分为接触式和非接触式两大类，按照传感器材料及电子元件特性分为热电阻和热电偶两类。现有的温度传感器多为钼温度传感器，该温度传感器在一个陶瓷衬底上施加了 ー个钼薄膜电阻，陶瓷衬底通常由氧化铝组成，在构成钼薄膜电阻的区域中，在陶瓷衬底的表面设有ー层保护釉，其中钼薄膜电阻通常被构成波状的钼层附帯地具有连接面，该连接面与导线连接形成导电连接以取得传感器信号，而为了固定端子导线设有ー个釉层。以上结构，选择陶瓷衬底制作难度较大，而且陶瓷材料易于损坏从而造成传感器的寿命缩短。

实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于提供ー种结构简单新颖，制作容易、測量精度高的温度传感器。本实用新型的技术方案如下ー种温度传感器，其要点是包括硅片衬底，在所述硅片衬底上设有ー层绝缘层，在所述绝缘层上设置有钼薄膜电阻和引线层，所述钼薄膜电阻两端分别连接有所述引线层。采用以上结构，选用硅片作为衬底，选材容易，制作难度小，同时硅片衬底在受热情况下不易损坏，使用寿命长。作为优选为了提高本实用新型的測量精度，所述钼薄膜电阻呈方形的锯齿结构。作为优选为了实现传感器信号的可靠传输，所述引线层的材料为金。有益效果本实用新型采用硅片衬底以及分别设置钼薄膜电阻和引线层，从而使得本实用新型容易制作，同时提高了传感器的測量精度和灵敏度；本实用新型具有结构简单、安全可靠、计量准确等特点。

图I是本实用新型的结构意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进ー步的说明。请參见图I :ー种温度传感器，包括硅片衬底1，在所述硅片衬底I上设有ー层绝缘层2，在所述绝缘层2上设置有钼薄膜电阻3和引线层4，所述钼薄膜电阻3呈方形的锯齿结构，该钼薄膜电阻3两端分别连接有所述引线层4，所述引线层4的材料为金。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不以本实用新型为限制，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之
权利要求1.ー种温度传感器,其特征在于包括娃片衬底(I)，在所述娃片衬底(I)上设有ー层绝缘层(2)，在所述绝缘层(2)上设置有钼薄膜电阻(3)和引线层(4)，所述钼薄膜电阻(3)两端分别连接有所述引线层(4)。
2.根据权利要求I所述的ー种温度传感器，其特征在于所述钼薄膜电阻(3)呈方形的锯齿结构。
3.根据权利要求I所述的ー种温度传感器，其特征在干所述引线层(4)的材料为金。
专利摘要本实用新型公开了一种温度传感器，包括硅片衬底，在所述硅片衬底上设有一层绝缘层，在所述绝缘层上设置有铂薄膜电阻和引线层，所述铂薄膜电阻两端分别连接有所述引线层。采用以上结构，本实用新型选用硅片作为衬底，选材容易，制作难度小，同时硅片衬底在受热情况下不易损坏，使用寿命长，具有结构简单、安全可靠、计量准确等特点。
文档编号G01K7/18GK202403827SQ20112054933
公开日2012年8月29日 申请日期2011年12月23日 优先权日2011年12月23日
发明者汪松林 申请人:重庆市伟岸测器制造股份有限公司