专利名称：一种igbt过流保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种过流保护电路，特别涉及一种IGBT过流保护电路。
背景技术：
风能，作为一种新型能源，日益受到世人关注。随着风力发电技术的不断发展，在能源利用中，风电已成为主要能源支柱之一。变频器是风机控制的核心部件，而IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是变频器的重要部件，对其可靠保护至关重要。在现有设计中采用的是二极管或二极管与电阻配合的电流检测方案，电阻和每个二极管的通态压降为固定值，使得IGBT集电极C与驱动模块之间的电压不能连续可调。且为实现IGBT和驱动模块之间的良好配合，需选择合适的二极管和电阻，两者之间的不同配合，所需二极管的型号和数量也不同，此外当混合驱动模块本身的过流保护临界电压动作值高时，还需增加二极管和电阻的数量，使系统可靠性降低故障率提高。 如图1、2所示，为现有的过流保护电路图，在IGBT过流保护中，电流检测是利用在某一正向栅压Uge下，正向导通管压降Uce (ON)与集电极电流Ie成正比的特性，通过检测Uce(ON)的大小来判断Ie的大小。不同型号的混合驱动模块(是集驱动与保护功能于一体的集成电路)，其本身的过流保护临界电压动作值是固定的(一般为7 10V)，因而存在一个与I GBT配合的问题。通常采用的方法是在I GBT集电极与驱动模块之间串联二极管(如图I所示)，或同时串联二极管和电阻(如图2所示)，且通过调整二极管和电阻的型号与个数，使二极管和电阻通态压降之和等于或略大于驱动模块过流保护动作电压与IGBT的通态饱和压降Uce (ON)之差。
发明内容本实用新型的主要目的是提供一种IGBT过流保护电路，其是针对目前风电变频器中，由混合驱动模块驱动的IGBT过流检测特点所设计，其通过在过流检测中由可调电阻代替二极管和电阻，提高检测精度，增加系统可靠性，降低故障率。为了达到上述目的，本实用新型的提供一种IGBT过流保护电路，其包括，—晶体管，其具有一基极、一发射极及一集电极；—第一电阻，其具有一第一端及一第二端，所述第一电阻的第一端连接所述晶体管的基极，所述第一电阻的第二端连接所述晶体管的发射极；一二极管，其具有一正极及一负极，所述二极管的正极连接所述晶体管的发射极，所述二极管的负极连接所述晶体管的集电极；一可调电阻，其具有一第一端、一第二端及一滑动端，所述可调电阻的第一端接地，所述可调电阻的第二端连接一驱动模块的一输入端，所述可调电阻的滑动端连接所述晶体管的集电极，所述驱动模块的另一输入端连接所述晶体管的发射极，所述驱动模块的输出端连接晶体管的基极。本实用新型可提高检测精度，增加系统可靠性，降低故障率。
图I为现有的过电流保护电路图；图2为现有的过电流保护电路图；图3为本实用新型IGBT过流保护电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。 如图3所示，为本实用新型IGBT过流保护电路的电路图，如图所示，本实用新型的IGBT过电流保护电路包括一晶体管1，所述的晶体管I具有一基极11、一发射极12及一集电极13 ;—第一电阻2,其具有一第一端21及一第二端22,所述第一电阻2的第一端21连接所述晶体管I的基极11，所述第一电阻2的第二端22连接所述晶体管I的发射极12 ；一二极管3，其具有一正极31及一负极32，所述二极管的正极31连接所述晶体管I的发射极12，所述二极管3的负极32连接所述晶体管I的集电极13 ;—可调电阻4，其具有一第一端41、一第二端42及一滑动端43，所述可调电阻4的第一端41接地，所述可调电阻4的第二端42连接一驱动模块5的一输入端，所述可调电阻4的滑动端43连接所述晶体管I的集电极13。上述驱动模块5的另一输入端连接所述晶体管I的发射极12，所述驱动模块5的输出端连接晶体管I的基极11。由于在晶体管I的集电极13与驱动模块5之间设置有可调电阻4，通过调节其电阻值，使通态压降等于或略大于驱动模块过流保护动作电压与IGBT的通态饱和压降Uce (ON)之差，实现驱动模块和IGBT的可靠配合。由于可调电阻其阻值连续可调，IGBT集电极C与驱动模块之间的电压就可连续可调，提高了调节精度，且根据不同的IGBT和驱动模块5配合，选择相应型号的可调电阻即可，增加系统可靠性和降低故障率。综上所述，本实用新型是针对目前风电变频器中，由混合驱动模块驱动的IGBT过流检测特点所设计，在过流检测中由可调电阻代替二极管和电阻，提高检测精度，增加系统可靠性，降低故障率。以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离以下所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改，变化，或等效，但都将落入本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种IGBT过流保护电路，其特征在于，其包括， 一晶体管，其具有一基极、一发射极及一集电极； 一第一电阻，其具有一第一端及一第二端，所述第一电阻的第一端连接所述晶体管的基极，所述第一电阻的第二端连接所述晶体管的发射极； 一二极管，其具有一正极及一负极，所述二极管的正极连接所述晶体管的发射极，所述二极管的负极连接所述晶体管的集电极； 一可调电阻，其具有一第一端、一第二端及一滑动端，所述可调电阻的第一端接地，所述可调电阻的第二端连接一驱动模块的一输入端，所述可调电阻的滑动端连接所述晶体管的集电极，所述驱动模块的另一输入端连接所述晶体管的发射极，所述驱动模块的输出端连接晶体管的基极。
专利摘要本实用新型公开一种IGBT过流保护电路，其包括，一晶体管，其具有一基极、一发射极及一集电极；一第一电阻，其具有一第一端及一第二端，所述第一电阻的第一端连接所述晶体管的基极，所述第一电阻的第二端连接所述晶体管的发射极；一二极管，其具有一正极及一负极，所述二极管的正极连接所述晶体管的发射极，所述二极管的负极连接所述晶体管的集电极；一可调电阻，其具有一第一端、一第二端及一滑动端，所述可调电阻的第一端接地，所述可调电阻的第二端连接一驱动模块，所述可调电阻的滑动端连接所述晶体管的集电极。本实用新型可提高检测精度，增加系统可靠性，降低故障率。
文档编号G01R19/00GK202433435SQ201220026510
公开日2012年9月12日 申请日期2012年1月19日 优先权日2012年1月19日
发明者刘志, 宋志强, 张少杰, 陈宇, 黄玉龙 申请人:华锐风电科技(集团)股份有限公司