专利名称：敏感光阻耐受程度检测方法及晶圆缺陷检验方法
技术领域：
本发明涉及一种光阻耐受程度检测方法及晶圆检验方法，尤其涉及一种可利用深紫外光源的敏感光阻耐受程度检测方法及晶圆缺陷检验方法。
背景技术：
随着集成电路器件尺寸不断缩小，工艺过程的复杂度不断提高，在线监控过程中需要具有更高分辨率和能够充分抑制工艺干扰的缺陷检测设备。目前被采用的深紫外光源缺陷检测设备因其具有突出的降噪能力和高分辨率而被广泛的运用。但是，深紫外光源缺陷检测设备的波长在^Onm至300nm左右，其波长范围与光刻工艺中使用的深紫外曝光设备的波长近似(约为M8nm)，在使用该检测设备对敏感光阻进行缺陷检测时，长时间扫描对深紫外光敏感的光阻，会对该光阻图形造成曝光过量，图形受到破坏。因此，在实际生产中，会避免使用深紫外光源，以保证图形关键尺寸的完好。这样就会牺牲深紫外光源在对敏感光阻扫描缺陷时的优越性。因此，本领域的技术人员致力于开发一种能够利用深紫外光源检测敏感光阻耐受程度的方法，并进而检验晶圆缺陷的方法。

发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的是提供了一种能够利用深紫外光源检测敏感光阻耐受程度的方法，并进而检验晶圆缺陷的方法。本发明的一种敏感光阻耐受程度检测方法，包括以下步骤 步骤1，将敏感光阻置于试验片上，并建立深紫外光源扫描程式； 步骤2，选定测试扫描区域；
步骤3，对选定区域扫描；
步骤4，检查敏感光阻图形是否发生变化；
步骤5，如敏感光阻图形无变化，则继续扫描，如有变化，则记录深紫外光源程式对所选区域的扫描次数；
步骤6，将步骤4所得扫描次数记录为所述敏感光阻的最大耐受扫描次数。在本发明的一个较佳实施例中，所述深紫外光源的波长为260rniT300nm。本发明还提供了一种应用上述的敏感光阻耐受程度检测方法进行晶圆缺陷检验的方法，包括以下步骤
步骤1，确定晶圆中所需检验的敏感光阻；
步骤2，应用上述的敏感光阻耐受程度检测方法检测步骤1中所述敏感光阻，得到所述敏感光阻的最大耐受扫描次数；
步骤3，调整深紫外光源缺陷扫描设备在扫描过程中经过晶圆中所述敏感光阻所在区域的最大扫描次数，使得最大扫描次数小于所述敏感光阻的最大耐受扫描次数。在本发明的另一较佳实施例中，所述深紫外光源缺陷扫描设备的深紫外光源的波
3长为 ^0nnT300nm。本发明通过测定敏感光阻被深紫外光源扫描的最大耐受次数从而检测出了敏感光阻对该深紫外光的耐受程度。并进一步通过控制对该区域的扫描次数以控制深紫外光受光量，防止敏感光阻损坏，保证了图形尺寸的完好，方法简单，易于实行。


图1是本发明的一个实施例的流程示意图2是本发明的一个实施例的深紫外光源缺陷扫描设备对晶圆扫描原理的示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明做具体的描述。如图1中所示，本发明的一种敏感光阻耐受程度检测方法，包括以下步骤 步骤1，将敏感光阻置于试验片上，并建立深紫外光源扫描程式；
步骤2，选定测试扫描区域；
步骤3，对选定区域扫描；
步骤4，检查敏感光阻图形是否发生变化；
步骤5，如敏感光阻图形无变化，则继续扫描，如有变化，则记录深紫外光源程式对所选区域的扫描次数；
步骤6，将步骤4所得扫描次数记录为所述敏感光阻的最大耐受扫描次数。本发明通过将敏感光阻置于深紫外光源的扫描之下，从而得出了敏感光阻对深紫外光源的最大的耐受扫描次数。假设敏感光阻对深紫外光的耐受程度可表示为C (受照射光阻特性，与光阻厚度、 粘度、类型等相关)、t (照射时间)、1 (光照强度)的函数
P=f(CpE, t, I) P为光阻耐受程度
从上述函数可知，对于特定的深紫外光学检测系统及特定的光阻，敏感光阻的耐受程度与照射时间直接相关。如图2中所示，在光学缺陷检测系统中，深紫外光源与被扫描晶圆以一定的相对速度运动，图2中所示的箭头即为深紫外光源在晶圆上的行经路线。因此，在确定光源移动速度情况下，敏感光阻被照射时间与光源经过同一区域的次数线性相关。本发明通过测定敏感光阻被深紫外光源扫描的最大耐受次数从而检测出了敏感光阻对该深紫外光的耐受程度。本发明方法简单，易于实行。在本发明的较佳实施例中，深紫外光源的波长为260nnT300nm。此外，本发明的一种应用上述的敏感光阻耐受程度检测方法进行晶圆缺陷检验的方法，包括以下步骤
步骤1，确定晶圆中所需检验的敏感光阻；
步骤2，应用上述的敏感光阻耐受程度检测方法检测步骤1中所述敏感光阻，得到所述敏感光阻的最大耐受扫描次数；
步骤3，调整深紫外光源缺陷扫描设备在扫描过程中经过晶圆中所述敏感光阻所在区域的最大扫描次数，使得最大扫描次数小于所述敏感光阻的最大耐受扫描次数。
本发明的晶圆缺陷检验方法通过检测出敏感光阻的最大耐受扫描次数，从而得到晶圆上敏感光阻所在区域对深紫外光的最大耐受次数，并进一步通过控制对该区域的扫描次数以控制深紫外光受光量，使得深紫外光源能够应用到敏感光阻的缺陷检测中，并防止敏感光阻损坏，保证了图形尺寸的完好，在定量的光学扫描时能够使深紫外光源发挥其优越性。在本发明的较佳实施例中，深紫外光源缺陷扫描设备的深紫外光源的波长为 260nnT300nm。以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
权利要求
1.一种敏感光阻耐受程度检测方法，其特征在于，包括以下步骤步骤1，将敏感光阻置于试验片中，并建立对其的深紫外光源扫描程式；步骤2，选定测试扫描区域；步骤3，对选定区域扫描；步骤4，检查敏感光阻图形是否发生变化；步骤5，如敏感光阻图形无变化，则继续扫描，如有变化，则记录深紫外光源程式对所选区域的扫描次数；步骤6，将步骤4所得扫描次数记录为所述敏感光阻的最大耐受扫描次数。
2.如权利要求1所述的敏感光阻耐受程度检测方法，其特征在于，所述深紫外光源的波长为 ^0nnT300nm。
3.一种应用如权利要求1或2所述的方法进行晶圆缺陷检验的方法，其特征在于，包括以下步骤步骤1，确定晶圆中所需检验的敏感光阻；步骤2，应用权利要求1所述的方法检测步骤1中所述敏感光阻，得到所述敏感光阻的最大耐受扫描次数；步骤3，调整深紫外光源缺陷扫描设备在扫描过程中经过晶圆中所述敏感光阻所在区域的最大扫描次数，使得最大扫描次数小于所述敏感光阻的最大耐受扫描次数。
4.如权利要求3所述的晶圆缺陷检验的方法，其特征在于，所述深紫外光源缺陷扫描设备的深紫外光源的波长为^0ηπΓ300ηπι。
全文摘要
本发明的一种敏感光阻耐受程度检测方法将敏感光阻置于试验片上并建立深紫外光源扫描程式；扫描选定测试扫描区域并检查敏感光阻图形是否发生变化；如变化，则记录深紫外光源程式对所选区域的扫描次数。一种晶圆缺陷检验的方法得到敏感光阻的最大耐受扫描次数；调整扫描次数小于敏感光阻的最大耐受扫描次数。本发明通过测定敏感光阻被深紫外光源扫描的最大耐受次数从而检测出了敏感光阻对该深紫外光的耐受程度。并进一步通过控制对该区域的扫描次数以控制深紫外光受光量，防止敏感光阻损坏，保证了图形尺寸的完好，方法简单，易于实行。
文档编号G01N21/88GK102435547SQ20111027269
公开日2012年5月2日 申请日期2011年9月15日 优先权日2011年9月15日
发明者倪棋梁, 朱陆军, 王恺, 郭明升, 陈宏璘, 龙吟 申请人:上海华力微电子有限公司