专利名称：考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法
技术领域：
本发明涉及绝缘子污闪特性的研究方法，具体地说是一种考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法。
背景技术：
正确评估自然积污绝缘子的外绝缘状态，找到自然积污绝缘子污闪电压与表面污秽度等值盐密、灰密及污秽分布不均匀度之间的量化关系，对于实现绝缘子污闪的预测、预防具有重要意义。然而，在目前电力系统状态检修体制下，输电线路停电机会极少，带电运行绝缘子的取样十分困难。在同一基铁塔上，通常只能取到疒3串带电的自然积污绝缘子串。如何充分利用数量有限的自然积污绝缘子，选取合理的试验研究方法，对其污闪特性进行评估 是值得研究的问题。目前，通常采用的方法是，对于同一基铁塔上取到的带电绝缘子串，选取部分绝缘子(m片)进行污秽度测试，其余绝缘子(η片)进行污闪电压试验，在此基础上进行数据分析。然而，这种方法存在一定的局限性。由于绝缘子悬挂位置的差异等原因，各片绝缘子的积污状况存在一定差异。若利用m片绝缘子的污秽数据对其余η片绝缘子的污闪电压数据进行分析并不是十分合理；此外，若对η片绝缘子先进行污闪试验再测试污秽度，由于污闪试验中在雾的作用下部分表面污秽会流失，此污秽度测量需要校正才能反映绝缘子污闪前的积污状态。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服上述现有技术存在的缺陷，提供一种考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法，通过对“先污闪试验后测污秽度”的绝缘子进行污秽度校正，得到更为准确的自然积污绝缘子污闪电压的校正公式。为此，本发明采用的技术方案如下考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法，其特征在于，将取自同一基铁塔的自然积污绝缘子分成两部分，一部分用于表面等值盐密和灰密测试分析，另一部分用于污闪试验；考虑到污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失，对污闪试验后绝缘子的污秽度测试数据进行修正，在此基础上，对污闪电压、等值盐密、整片灰密、上下表面等值盐密比数据进行回归分析，得到自然积污绝缘子表面污秽度对污闪电压及泄漏电流最大值的影响规律。本发明以同一基铁塔取样的m+n片绝缘子为研究对象，所述研究方法的具体步骤如下(a)测试m片绝缘子的污秽度，得到各片绝缘子的上表面等值盐密Sli±、上表面灰密Gli ±、下表面等值盐密Sli τ、下表面灰密Gli τ，其中i=l，2，……，m ；(b)计算m片绝缘子的整片等值盐密Sli、整片灰密Gli、上下表面等值盐密比Ksli、上下表面灰密比Keii ；
(C)对η片绝缘子分别进行污闪试验，得到各片绝缘子的污闪电压Uw，其中j=l, 2，......，η ；(d)污闪试验后，测试η片绝缘子的污秽度(部分污秽已流失)，得到η片绝缘子的上表面等值盐密S2j±、上表面灰密G2j±、下表面等值盐密S2jT、下表面灰密G2jT ；(e)计算η片绝缘子的整片等值盐密S2j、整片灰密G2j、上下表面等值盐密比KS2J、上下表面灰密比Ke2j ；(f)考虑污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失，计算等值盐密折算系数Cis、灰密折算系数ae、上下表面等值盐密比折算系数aKS和上下表面灰密比折算系数aKe:
权利要求
1.考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法，其特征在于，将取自同一基铁塔的自然积污绝缘子分成两部分，一部分用于表面等值盐密和灰密测试分析，另一部分用于污闪试验；考虑到污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失，对污闪试验后绝缘子的污秽度测试数据进行修正，在此基础上，对污闪电压、等值盐密、整片灰密、上下表面等值盐密比数据进行回归分析，得到自然积污绝缘子表面污秽度对污闪电压及泄漏电流最大值的影响规律。
2.根据权利要求I所述的考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法，其特征在于，以同一基铁塔取样的m+n片绝缘子为研究对象，所述研究方法的具体步骤如下 a)测试m片绝缘子的污秽度，得到各片绝缘子的上表面等值盐密Sli±、上表面灰密GliI、下表面等值盐密SliT、下表面灰密GliT,其中i=l, 2，......，m ； b)计算m片绝缘子的整片等值盐密Sli、整片灰密Gli、上下表面等值盐密比Lsii、上下表面灰密比Keii ； c)对n片绝缘子分别进行污闪试验，得到各片绝缘子的污闪电压Ufp其中j=1，2，......，n ； d)污闪试验后，测试n片绝缘子的污秽度，得到n片绝缘子的上表面等值盐密S2j±、上表面灰密G2j ±、下表面等值盐密& T、下表面灰密G2」T ; e)计算n片绝缘子的整片等值盐密S2j、整片灰密G2j、上下表面等值盐密比Ks2j、上下表面灰密比Ke2j.； f)考虑污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失，计算等值盐密折算系数as、灰密折算系数a ^、上下表面等值盐密比折算系数Ciks和上下表面灰密比折算系数aK(；:
全文摘要
本发明公开了一种考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法。通常采用的方法是，对于同一基铁塔上取到的带电绝缘子串，选取部分绝缘子进行污秽度测试，其余绝缘子进行污闪电压试验，在此基础上进行数据分析，这种方法存在一定的局限性。本发明的特征在于，将取自同一基铁塔的自然积污绝缘子分成两部分，一部分用于表面等值盐密和灰密测试分析，另一部分用于污闪试验；考虑到污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失，对污闪试验后绝缘子的污秽度测试数据进行修正，在此基础上，对污闪电压、等值盐密、整片灰密、上下表面等值盐密比数据进行回归分析。本发明能够更为有效的得到自然积污绝缘子串污闪电压与绝缘子表面污秽度之间的函数关系。
文档编号G01R31/12GK102707209SQ20121019425
公开日2012年10月3日 申请日期2012年6月13日 优先权日2012年6月13日
发明者刘黎, 梅冰笑, 王少华, 罗盛, 胡文堂, 董建洋 申请人:浙江省电力公司电力科学研究院