专利名称：半导体芯片耐高压测试装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件进行耐压测试的装置，尤其涉及一种防止半导体 高压芯片测试时出现打火的测试装置。
背景技术：
目前很多半导体分立器件的测试均曝露于空气中进行测试，而电源两极间电压过 高时容易发生打火现象，在半导体分立器件中有很多属于高压芯片，在空气中测试时极易 产生打火现象而影响芯片的测试。测试不准确，既浪费工时，又不能为客户提供合格的产 品，为很多半导体器件供应商因此类原因客诉带来很大的麻烦，包括供应商的信誉度和相 关赔偿。在半导体市场竞争越演越烈的今天，拥有一流的测试技术，保证产品质量是每个 半导体分立器件制造厂必备的利器，因此为了保证高压半导体分立器件测试的准确性，研 究一种能防止测试打火的方法就具有很重要的意义。
发明内容本实用新型针对以上问题，提供了一种能避免检测时出现打火现象，进而提高检 测精度的半导体芯片耐高压测试装置。本实用新型的技术方案是所述测试装置包括高压直流电源、检测仪表、承载被测 芯片的测试台和测试针，所述测试装置还包括阻燃的保护气体管路，所述保护气体管路的 出气口对应所述测试针的针尖位置。本实用新型在原有测试装置上增设了阻燃性的保护气体管路，阻燃气体(如N2 等)施放于测试针尖位置，在其周围形成一个保护环境，能有效避免打火现象的发生，进而 避免打火对检测精度的影响，能提高半导体高压芯片的测试精度。本实用新型可有效防止 半导体高压芯片测试时产生的打火现象，保证芯片测试的准确性。

图1是本实用新型的结构示意图图中1是保护气体管路，2是流量表，3是测试针，4是出气口，5是被测芯片，6是测试台。
具体实施方式
本实用新型如图1所示，所述测试装置包括高压直流电源、检测仪表、承载被测芯 片5的测试台6和测试针3，所述测试装置还包括阻燃的保护气体管路1，所述保护气体管 路1的出气口4对应所述测试针3的针尖位置。从而在测试点周围形成保护气氛。为控制 保护效果，在管路上还可以设置流量表2，实时观测气体流量。本发明的气体管道出气口接近测试芯片，距离以测试时没有打火现象为宜。气体流量的大小可由气体管道的粗细作适当调整，气体管道越粗，气体流量要增大，气体管道越 细，气体流量相应减小。
权利要求半导体芯片耐高压测试装置，所述测试装置包括高压直流电源、检测仪表、承载被测芯片的测试台和测试针，其特征在于，所述测试装置还包括阻燃的保护气体管路，所述保护气体管路的出气口对应所述测试针的针尖位置。
专利摘要半导体芯片耐高压测试装置。涉及一种防止半导体高压芯片测试时出现打火的测试装置。能避免检测时出现打火现象，进而提高检测精度。测试装置包括高压直流电源、检测仪表、承载被测芯片的测试台和测试针，所述测试装置还包括阻燃的保护气体管路，所述保护气体管路的出气口对应所述测试针的针尖位置。本实用新型在原有测试装置上增设了阻燃性的保护气体管路，阻燃气体(如N2等)施放于测试针尖位置，在其周围形成一个保护环境，能有效避免打火现象的发生，进而避免打火对检测精度的影响，能提高半导体高压芯片的测试精度。本实用新型可有效防止半导体高压芯片测试时产生的打火现象，保证芯片测试的准确性。
文档编号G01R31/26GK201740845SQ201020185398
公开日2011年2月9日 申请日期2010年5月11日 优先权日2010年5月11日
发明者汪良恩 申请人:扬州杰利半导体有限公司