专利名称：半导体器件在位检测装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件测试领域，尤其涉及一种半导体器件在位检测装置。
背景技术：
在半导体器件自动烧录机或测试分选机中，通过半导体器件在位检测装置对芯片在位检测，目前采用对射式红外检测。如

图1-2所示，红外发射(或接收)器件2’固定在PCB1’上，红外接收(或发射)器件4’固定在PCB3’上，当半导体器件6’不在位时，红外发射器件2’发射的光线会到达红外接收器件4’ ；当半导体器件在位时会挡住红外光线，红外接收器件4’接收不到光线。这样会存在以下2个问题1、外部光线会对接收产生影响，严重情况下，可能产生误检；2、由于测试环境中的灰尘或芯片本身脱落的杂屑会覆盖在传感器上，导致传感器失效。

实用新型内容本实用新型的目的在于，提供一种半导体器件在位检测装置，可以防止外部光线和灰尘、杂屑对传感器的影响。为了实现上述目的，本实用新型提供一种半导体器件在位检测装置，其包括本体、反射器、红外接收器、及红外发射器，该红外接收器及红外发射器设于一 PCB上而形成一传感器，该本体包括半导体器件，该传感器及反射器分别设于本体上半导体器件的相对两侧，且红外接收器与红外发射器分别与反射器相对设置。其中，所述本体还包括轨道盖板、及与轨道盖板相对的轨道，该传感器设于轨道盖板上，反射器设于轨道上。其中，所述本体还包括与半导体器件连接的挡料器。本实用新型的有益效果本实用新型杜绝了半导体器件自动烧录机或测试分选机在工作中因环境中的灰尘或芯片本身脱落的杂屑导致传感器失效问题。为了能更进一步了解本实用新型的特征以及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。
以下结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式
详细描述，将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为现有的半导体器件在位检测装置的结构示意图；图2为图1的A-A向视图；图3为本实用新型的半导体器件在位检测装置的结构示意图；[0015]图4为图3的A-A向视图。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其效果，以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。如图3-4所示，本实用新型的半导体器件在位检测装置包括本体10、反射器4、红外接收器3、及红外发射器2，该红外接收器3及红外发射器2设于一 PCBl上而形成一传感器，该本体包括半导体器件6，该传感器及反射器4分别设于本体上半导体器件6的相对两侦牝且红外接收器3与红外发射器2分别与反射器4相对设置。该本体10包括轨道盖板7、与轨道盖板7相对的轨道5、与半导体器件6连接的挡料器8。由焊接在PCBl上的红外发射器2和红外接收器3以及反射器4组成，因为发射和接收在轨道5的上部，所以灰尘和杂屑不会对传感器造成任何影响。而反射器4和水平面的角度大于50度，灰尘和杂屑也不会停留在反射器上。在PCBl上焊接红外发射器2和红外接收器3，将其固定在轨道盖板7上；在轨道5上固定反射器4。当没有半导体器件6在工位时，红外发射器2发出的红外线被反射器4反射后被红外接收器件3接收；当半导体器件6被挡料器8挡在工位时，红外发射器件2发出的红外线被半导体器件6吸收，而不被反射。所以红外接收器件3不能接收到。以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本实用新型权利要求的保护范围。
权利要求1.一种半导体器件在位检测装置，其特征在于，包括:本体、反射器、红外接收器、及红外发射器，该红外接收器及红外发射器设于一 PCB上而形成一传感器，该本体包括半导体器件，该传感器及反射器分别设于本体上半导体器件的相对两侧，且红外接收器与红外发射器分别与反射器相对设置。
2.如权利要求1所述的半导体器件在位检测装置，其特征在于，所述本体还包括轨道盖板、及与轨道盖板相对的轨道，该传感器设于轨道盖板上，反射器设于轨道上。
3.如权利要求1所述的半导体器件在位检测装置，其特征在于，所述本体还包括与半导体器件连接的挡料器。`
专利摘要本实用新型提供一种半导体器件在位检测装置，其包括本体、反射器、红外接收器、及红外发射器，该红外接收器及红外发射器设于一PCB上而形成一传感器，该本体包括半导体器件，该传感器及反射器分别设于本体上半导体器件的相对两侧，且红外接收器与红外发射器分别与反射器相对设置。本实用新型杜绝了半导体器件自动烧录机或测试分选机在工作中因环境中的灰尘或芯片本身脱落的杂屑导致传感器失效问题。
文档编号G01V8/14GK202916452SQ20122058759
公开日2013年5月1日 申请日期2012年11月8日 优先权日2012年11月8日
发明者王焕平 申请人:王焕平