专利名称：全cmos精确电流采样电路的制作方法
技术领域：
本发明属于电子技术领域，涉及H桥功率驱动器集成电路，同时涉及电流采样电路。
背景技术：
由于直流电机的广泛应用，推出了一批功能齐全，使用简单的直流电机驱动器，它们包括有半桥、双半桥、四半桥、单H桥、双H桥等。在H桥功率驱动电路中，需要准确、高效地检测功率开关管的电流值，所以电流检测方法的设计有很重要的意义，同时电流采样技术对于功率器件和负载的过流保护也极其重要。功率电路中常用的电流采样方法有电阻采样、磁采样、SENSEFET采样等，SENSEFET采样电流方法如

图1所示。图中Kelvin线表示考虑了电路中的电流流过金属线造成的电压差的影响。通常SENSEFET的栅宽远小于MainFET的栅宽，希望Isense与IOUT的比例关系由功率管功率管sense MOS和DMOS的W/L之比决定，按1/N的比例采样。工作在饱和区的 MOS管漏极电流为，以N管为例
权利要求
1.全CMOS精确电流采样电路，包括功率管(MNl)和采样管(MN2)，功率管(MNl)的漏极和采样管(M^)的漏极连接电源电压VDD，栅极接第一输入电压(VDCl)，其特征在于，还包括第一运放(Al)、第二运放(A2)和MOS管(MN3)，功率管(MNl)的源极接第一运放(Al)的负极和MOS管(MN3)的漏极，采样管(MN2)的源极接第一运放(Al)的正极，第一运放(Al) 的输出端接第二运放的正极，基准源(VREF)连接第二运放m的负极，第二运放(A2)的输出端接MOS管(MN3)的栅极，MOS管(MN3)的源极接地。
2.如权利要求1所述的全CMOS精确电流采样电路，其特征在于，所述功率管(MN1)、采样管(MN2)和MOS管(MN3)皆为NMOS管。
全文摘要
全CMOS精确电流采样电路，涉及电子技术领域。本发明包括功率管和采样管，功率管的漏极和采样管的漏极连接电源电压VDD，栅极接第一输入电压，还包括第一运放、第二运放和MOS管，功率管的源极接第一运放的负极和MOS管的漏极，采样管的源极接第一运放的正极，第一运放的输出端接第二运放的正极，基准源连接第二运放的负极，第二运放的输出端接MOS管的栅极，MOS管的源极接地。本发明通过两级运放的增益和负反馈技术，提高了传统电流采样电路的采样精度。
文档编号G01R19/00GK102156211SQ20101059894
公开日2011年8月17日 申请日期2010年12月21日 优先权日2010年12月21日
发明者于廷江, 吴琼乐, 方健, 李文昌, 杨毓俊, 柏文斌, 王泽华, 管超, 陈吕赟, 黎俐 申请人:成都成电硅海科技股份有限公司