专利名称：用于工件上先后形成的层之间的重叠补偿的方法和装置的制作方法
用于工件上先后形成的层之间的重叠补偿的方法和装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2008年5月22日提交的美国临时申请No. 61/071，871的优先权， 其全部内容通过引用结合于此。
本申请还要求于2009年5月22日提交的代理人案号为^74_000056/US/01和P00326US 的、属于 Mikael Wahlsten 和 Fredrik Sj5str0m的美国申请 No._的优先权，其全部内容通过引用结合于此。技术领域
示例性实施例涉及光掩膜、模板、基板、器件或者其它依赖于在相同工件上进行多 次曝光和/或图案形成步骤的工件的制造方法。更具体地，示例性实施例通过解决在所述 图案形成步骤之间的工件的变形，来提供用于改善多次图案形成步骤之间的对准的方法和直ο背景技术
相移光掩膜(phase shift photomask,PSM)的制造是一个基于层间良好重叠的示 例性处理方法。PSM常用于改善由步进光刻机(stepper)在晶片上重现(!^produce)的图 像的曝光的图像质量。制造PSM有许多传统方法。但是，通常所有这些方法都要求在第一 层与后续层之间的充分精确的对准。
半色调(Half Tone,HT)掩膜的生产是另一个层间充分精确的重叠是重要的示例。 在HT光掩膜生产中，制造由具有不同透射范围(例如，大约O %、大约50%和大约100%)的 区域构成的掩膜。通常，这种处理需要对工件进行至少两次图案形成步骤，并具有中间处理 步骤。这些类型的掩膜通常用于组合两个或两个以上的图案，以生成TFT阵列背板(array backplane)，这减小了某种设计所需的物理掩膜的数量。
制造三维(3D)结构，通常用于压印模板或者其它依赖于3D结构的制造技术，也通 过在图案形成步骤之间具有中间处理步骤(例如，显影和/或蚀刻)的先后图案形成步骤 来形成。在这些制造过程中，图案形成或限定步骤之间充分精确的重叠对确保结构质量来 说是十分重要的。
上述工件、掩膜、基板、模板等通常用于显示器用途的制造过程中，例如薄膜 晶体管液晶 H Tj^ 器(thin-film transistor-liquid crystal display, TFT-LCD)，有 机发光二极管(organic light emitting diode，0LED)、表面传导电子发射显示器 (surface-conduction electron-emitter display, SED)、等离子(plasma display panel，PDP)、场发射显示器(field emission display，FED)、低温多晶硅液晶显示器(low temperature poly-silicon LCD，LTPS-LCD)和类似的显示器技术。其它的应用领域是在 半导体器件和支持结构的制造中，例如存储器(例如，静态随机存取存储器(SRAM)、动态随 机存取存储器(DRAM)、闪速存储器(FLASH)、铁电体、铁磁体等)、集成电路(IC)、印刷电路 板(PCB)，IC基板，电荷耦合器(CCD)传感器、互补型金属氧化物半导体(CM0Q传感器、全息图(hologram)、印刷线路板(PWB)等。
在直接形成图案或者“无掩膜”图案形成技术中，层到层(layer-to-layer)的 重叠也是较关键的特性。在这些技术中，模板或者光掩膜通常是被快速图案生成器(fast pattern generator)取代。用于无掩膜生产的快速图案生成器(被称为“直接写入工具”) 具有在相同的工件上重叠后续图案的能力；即直接重叠在意图器件上。
传统上，图案化地形成第二和后续层通常依赖于点对准。当使用点对准时，图案化 地形成在参考层上的有限数量的对准标记对后续图案形成步骤起引导作用。因此，待形成 的第一层包含对准标记，并且在显影、蚀刻、抗蚀剂自旋(resist spinning)或者其它处理 之后，工件就准备好用于下一层曝光。
在图案化地形成工件的后续层之前，对准标记被图案形成系统读取。为了能够将 后续层装配在第一层上或者与第一层成特定的关系，系统计算变换因子(transformation factor)(例如，旋转、平移、比例缩放、正交等)。这些计算出的变换因子被用在后续图案形 成步骤中，以实现在图案化地形成的层之间的恰当的重叠。
理论上，通过计算和使用变换因子(例如，平移、旋转、比例缩放和/或正交)，能够 实现充分精确的重叠。但是，这只在工件被视为基本上是刚性的时候才如此。
遗憾的是，在光掩膜的制造中，例如，掩膜本身不能被认为是刚性体。而是，在第一 或者后续图案形成步骤期间，板会发生变形或畸变。这种变形可能由工件背面的颗粒、图案 形成条件的变化、图案设计、向板支承件上的放置等因素引起。因为这些变形通常导致局部 的和几何学上的复杂变形或畸变，它们无法通过使用简单的全局参数来得到补偿。
传统上，可在第一层或参考层中增加额外的对准标记，以实现对图案形成步骤之 间的工件畸变情况的更好的近似。然而，附加对准标记的引入通常是不可能的，因为工件的 主要部分被功能图案覆盖，因此无法包含对准标记。
此外，要实现对畸变将发生在何处进行可接受的提前预测也是比较困难的(如果 不是完全不可能的话)，因此，在特定区域增加对准标记的数量不是一个切实可行的解决方 案。通常，对准标记只容许在图案区域或者图像场的周围，并且通常被布置为比较靠近工件 的周缘。
美国专利No. 7，148，971提出了在写入器和测量机器中使用Z-校正 (Z-correction)的可能。Z-校正使参考坐标系的校准(calibration)能够独立于参考层 的Z-形状。这种测量系统在市场上有售，但不是所有的大光掩膜制造商都获取了这类机 器。因此，它还不是普遍接受的标准。
市场上的当前趋势是，大的光掩膜将变得越来越高级，并且对于TFT光掩膜，第二 层写入将变得更加普遍。在未来，掩膜可能将变得更加高级，包含多于两个层。对于更加高 级的掩膜，层间重叠对于获得最终产品的良好产出率更加重要，因为通常使用多于一层写 入的板是在掩膜组中最关键的层。
另一个正在成长的在写入通道间需求充分精确的重叠的技术领域是使用光刻 (photolithographic)方法的三维(3D)写入。多通道写入(Multi-pass writing)可用于 通过在每次曝光之间进行处理步骤以提供3D形状，来生成三维结构。这要求在每个被写通 道之间相对良好的对准。发明内容
为了满足以上指出的未来的需求，本发明提出了方法和装置，用于抑制、减小和 /或消除由在工件上先后图案化地形成的层之间的工件畸变造成的对层到层的重叠的不 利影响。本发明的方法和装置抑制、减小和/或消除对层到层畸变的不利影响，而不损害 (compromise)原始图案设计或者减小用于形成图案的可用的工件表面面积。
根据示例性实施例的方法和装置不会影响写入器的绝对配准(absolute registration) 0
示例性实施例可适用于对绝对配准没有非常严格要求的多层写入(multiple layer writing)的领域。因此，示例性实施例对测量机器或者验证最终板的配准的工具没 有任何额外的要求。
至少一些示例性实施例提供了这样的方法和装置，其用于通过引入改进的补偿工 件畸变的对准方法，来改善在工件上先后图案化地形成的层之间的重叠。
示例性实施例还提供了用于生成图案的方法和装置，其中，第一参考层与后续层 之间的相对差异被补偿，而不影响装置的绝对配准。因此，使用根据示例性实施例的方法对 最终用户来说可以是透明的、大致透明的或者完全透明的，并且对测量机器或检验配准的 工具没有任何附加的要求。
示例性实施例还提供了用于改善后续层与在先层(previous layer)的对准性的 方法和装置，而无需在在先层中引入更多的对准标记。
示例性实施例还提供了用于改善层到层的重叠的方法和装置，基于描述图像形成 步骤之间的工件畸变和/或变形的“无网格” /连续的一维或多维补偿。
至少一个示例性实施例提供了一种用于在工件上形成图案并进行对准 (patterning and aligning)的方法。根据至少这个示例性实施例，此方法包括获取工件 的第一 Z-形状；在工件上图案化地形成参考网格；获取工件的第二 Z-形状；基于获取的第 一和第二 Z-形状计算补偿值集合；基于计算出的补偿值集合更新参考网格；和图案化地形 成工件的后续层。
此方法还包括在获取工件的第二 Z-形状之前对工件进行处理。根据至少一些示 例性实施例，可在获取工件的第二 Z-形状之前对工件进行处理。可在获取工件的第一 Z-形 状之前或者之后图案化地形成对准标记。
可基于计算出的补偿值集合来计算至少一个全局变换；并且可基于此全局变换来 更新参考网格。
根据至少一些示例性实施例，参考网格可由第一图案生成器图案化地形成，而后 续层可由第二图案生成器图案化地形成。由第一 Z-形状与第二 Z-形状之间的差异引起的 重叠误差可被补偿，而不改变绝对配准。
根据至少一些示例性实施例，第一 Z-形状的获取可包括在工件上的多个测量点 的每一点处测量Z-方向上的高度来生成第一高度测量值集合。第二 Z-形状的获取可包括 在工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方向上的高度来生成第二高度测量值集合。
根据至少一些示例性实施例，补偿值集合包括对应于多个测量点的每一点的补偿 值。在此示例中，各补偿值的计算可包括计算在多个测量点中的每一点处的第一高度测量 值与第二高度测量值之间的差异，并基于计算出的差异和工件的厚度来计算对测量点的补7偿值。
至少一个其它的示例性实施例提供一种用于在工件上形成图案的装置。此装置包 括用于获取工件的第一 Z-形状的构件(means)；用于图案化地形成参考网格的构件；用 于处理工件的构件；用于获取工件的第二 Z-形状的构件；用于基于第一和第二 Z-形状计 算补偿值集合的构件；用于基于补偿值集合更新参考网格的构件；和用于图案化地形成工 件的后续层的构件。
此装置还可包括用于基于计算出的补偿值集合来计算至少一个全局变换的构 件；和用于基于全局变换来更新参考网格的构件。此装置还可包括用于图案化地形成对准 标记的构件。
用于获取第一 Z-形状的构件可包括用于在工件上的多个测量点的每一点处测 量Z-方向的高度来生成第一高度测量值集合的构件。用于获取第二 Z-形状的构件可包括 用于在工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方向的高度来生成第二高度测量值集合的 构件。
根据至少一些示例性实施例，补偿值集合包括对应于多个测量点的每一点的补偿 值。用于计算各补偿值的构件可包括用于计算在多个测量点中的每一点处的第一高度测 量值与第二高度测量值之间的差异的构件；和用于基于计算出的差异和工件的厚度来计算 对测量点的补偿值的构件。
至少一个其它的示例性实施例提供一种用于在工件上形成图案的装置。此装置包 括图案生成装置和Z-校正与处理模块。图案生成装置构造成图案化地形成工件的至少第 一和第二层，在图案化地形成工件的第一层之前或之后获取工件的第一 Z-形状，并且在图 案化地形成工件的第二层之后获取工件的第二 Z-形状。Z-校正与处理模块构造成基于第 一和第二 Z-形状计算补偿值，并且基于计算出的补偿值更新参考网格。
根据至少一个示例性实施例，图案生成装置包括放置工件的工作台、构造成获取 工件的第一和第二 Z-形状的测量工具、和构造成图案化地形成工件的至少第一和第二层 的图案生成工具。
补偿值集合可包括对应于多个测量点的每一点的补偿值。测量工具构造成通过在 工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方向上的高度来生成第一高度测量值的集合，从 而获取第一Z-形状。测量工具还构造成通过在工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方 向上的高度来生成第二高度测量值的集合，从而获取第二 Z-形状。
Z-校正与处理模块构造成通过计算在多个测量点中的每一点处的第一高度测量 与第二高度测量之间的差异来计算各补偿值，并且基于此计算出的差异和工件的厚度来计 算对测量点的补偿值。


总的发明构思将由以下给出的相关于附图的示例性实施例的描述而变得更加明 显，其中
图1显示由颗粒引起的在板的X-Y平面中的示例性畸变；
图2示意在图1中所描述的板的两次测量之间在Z-形状的示例性差异；
图3是示意根据一个示例性实施例的在工件上形成图案的方法的流程简图4是示意根据另一个示例性实施例的在工件上形成图案的方法的流程简图；和
图5示意根据一个示例性实施例的图案生成系统。
具体实施方式
以下描述参考附图进行。示例性实施例的描述是为了示意本发明，而非限制本发 明的范围。
要注意的是，本发明的方法以描绘为流程图表(flowchart)或流程简图的处 理流程(process)进行描述。虽然流程图表或流程简图可将操作描述为连续处理流程 (sequential process)，但是这些操作可平行、同时或同步地进行。此外，操作的次序 (order)可重新布置。当处理流程的操作完成时，可结束处理流程，但也可有图中未包含 的附加的步骤(例如，重复)。处理流程可对应于方法、函数、过程(procedure)、子例程 (subroutine)、子程序(subprogram)等。当处理流程对应于函数时，它的结束可对应于函 数返回到调用函数或者主函数。
此外，在此描述的方法可通过硬件、软件、固件(firmware)、中间件(middleware)、 微代码(microcode)、硬件描述语言或者它们的任意组合来实施。当以软件、固件、中间件 或者微代码实施时，用以执行必要的任务的程序代码或者代码段可被存储在机器或者计 算机可读介质例如存储介质中。处理器、现场可编程门阵列(field programmable gate array, FPGA)、专用集成电路(application specific integrated circuit, ASIC)等可 执行必要的任务。术语“存储介质”可表示用于存储数据的一个或多个设备，包括只读 存储器(read only memory, ROM)、随机存取存储器(random access memory, RAM)、磁荷 随机存取存储器(magnetic RAM)、磁心存储器(core memory)、磁盘存储介质(magnetic disk storage medium)、光学存储介质(optical storage medium)、快闪存储设备(flash memory device)禾口 /或其它用于存储信息的机器可读介质(machine readable medium)。 术语“计算机可读介质(computer-readable medium) ”可包括但不限于便携的或者固定 的存储设备、光学存储设备、无线信道(wireless channel)或者各种其它的能够存储、容纳 或者携载指令和/或数据的介质。
代码段可表示过程、函数、子程序、程序、例程、子例程、模块、软件包(software package)、类(class)，或者指令、数据结构或者程序语句(program statement)的任意组 合。代码段可被结合到另一个代码段或者硬件电路，方法是传送和/或接收信息、数据、变 元(argument)、参数或者存储器内容。信息、变元、参数、数据等可经由任何适合的手段来传 递、转发、或者传送，包括存储器共享、消息传递、令牌传递(token passing)、网路传送等。
示例性实施例提供用于生成图案的方法和装置，其中，由工件(例如，大面积光掩 膜)与工作台(stage)之间的颗粒引发的畸变可被补偿。
图1示意在有和没有颗粒存在时板上的许多测量标记的X-Y位置的两次测量之 间的差异。图2是显示两次测量之间板的Z-形状的示例差异的透视图。具体地，图1和 2显示在平的基板载体(substrate carrier)与10毫米(mm)厚的石英光掩膜(quartz photomask)之间夹带的(trapped) 15微米(μ m)颗粒的影响。
如果颗粒不存在于图案化地形成的包含对准标记的第一层(在此也称为参考 层)时，但存在于图案化地形成的后续层(subsequent layer)时，则图案或图案层之间的充分精确的重叠可能无法实现。以下情况下尤其如此仅有基于第一层中的对准标记 的测量计算出的全局参数(例如，比例缩放(scale)、正交(orthogonality)、旋转、平移 (translation)等)用于写入的变换(transformation)，或者参考网格(reference grid) 用于后续的图案形成步骤。
此外，在没有可测量的对准标记的工件(例如，光掩膜、基板、晶片等)的一个区域 内存在的畸变，无法通过测量已有的对准标记而被直接补偿。对于这种特殊的情况，当在工 件的局部畸变(例如，由于颗粒引起)附近没有可测量的对准标记时，难以或者甚至不可能 通过分析工件表面的被测量形式中的变化来充分精确地(良好地)评估X-Y平面中的局部畸变。
X-Y平面中的局部畸变可基于Z-方向上的测量而被检测出来，上面讨论的局部 畸变的特殊问题可通过对畸变的Z-形状进行补偿而至少部分地得到缓解，正如美国专利 No. 7，148，971所描述的，其全部内容通过引用结合于此。然而，在多层写入策略中或者对于 具有多次曝光且带有中间处理步骤的图案形成方式，存在与美国专利No. 7，148,971中所 描述的Z-形状补偿方法相关的一些考虑，其将在下面讨论，并且可通过示例性实施例来解 决。
图5显示根据一个示例性实施例的图案生成系统。
参考图5，图案生成系统500包括大面积(LA)图案生成装置20，图案生成装置20 也可用作测量装置。图案生成装置20包括图案写入工具或者写入头21和测量工具22。图 案写入工具21可包括将从激光器发射的激光束导向工件11的反射镜(例如，一个或多个 空间光调制器(spatial light modulator，SLM)。
测量工具22可为任何已知的能够测量在图案生成装置20与工件11的表面13之 间的高度Hz的工具。工件11可以是，例如半导体晶片、塑料材料(聚对苯二甲酸乙二醇酯 (Polyethylene Ter印hthalate，PET)、聚萘二酸乙二醇酉旨(Polyethylene Naphthalate, PEN)等)、镀铬石英掩膜(chrome coated quartz mask)、柔性材料、金属等。工件11的更 具体地示例包括用于显示器制造的玻璃基板、用于光刻(lithography)的光掩膜、半导体 晶片、合成橡胶基模板(elastomer based template)等。
工件11布置在工作台23上，表面13朝上放置。在图案形成(写入)处理中，图 案写入工具21能够在工作台23的整个表面的上方平移或运动。
在一个示例中，工作台23被赋予能力或者手段来相对于图案写入工具21在X方 向上运动，并且图案写入工具21安装到布置在梁25上的滑动支承件对，滑动支承件M使 图案写入工具21相对于工作台23在Y方向上运动。在另一个示例中，工作台23可配备 为在X和Y方向上都运动，而图案写入工具21保持静止。工作台23可配备有气承(air bearing)或者其它运动装置，以使工作台23能够在X和/或Y方向上运动。在又一个示例 中，图案写入工具21可配备为在X和Y方向上都运动，而工作台23保持静止。
仍然参考图5，在一个示例中，图案生成装置20还设置有带角度的脚板(foot plate)沈，脚板沈通过气垫(air cushion) 27布置成距工件11的表面13的上方一个恒定 距离。脚板26和图案写入工具21经由柔性连接件28连接到滑动支承件24，以使滑动支 承件M与图案写入工具21/脚板沈之间的距离能够依据工件11的表面13的粗糙度而变 化。
测量工具22可测量在Z-方向的变化距离(高度Hz)来计算在Z-方向的表面13 的粗糙度或者Z-形状。平行于工件11的表面13的脚板沈的尺寸具有用于来自图案写入 工具21的激光束的开口，并且可相对较大(例如，在每侧大约5mm)，以使测量可用于检测在 相对较长的距离上的高度或者Z-形状的偏差。由于脚板沈与工件11之间的恒定距离，脚 板26下方的气垫27起图案生成装置20的自动聚焦器件的作用。
仍然参考图5，图案生成系统500还包括Z-校正与处理模块30。Z-校正与处理模 块30图示为模块或组块(block)，其可代表位于计算机的处理器、FPGA、ASIC等之内的模块 结构，从而使该计算结构成为特殊用途的、结构化的计算机或处理器，，而非一般用途的计 算机或者处理器。在一个示例中，图5中所示的Z-校正与处理模块30可构成传统图案生 成系统的一个单独的模块部分或硬件部件。Z-校正与处理模块30的功能将在后面参考图 3和4进行更详细的描述。
图3是示意根据一个示例性实施例的在工件上形成图案方法的流程简图。图3中 所示的方法可在图5中所示的图案生成系统500中实施。并且，为了清楚起见，图3中所示 的方法也将如此进行讨论。然而，示例性实施例对于其它的图案生成装置和系统也是适用 的。
参考图3，在步骤S302，图案生成装置20获取工件11的第一 Z-形状Z1。工件的 Z-形状的形式可为测量值Hzi的映像(mapping)或集合，其中各测量值Hzi为工件11在给 定测量点(或者对准标记)处在Z-方向上的高度测量值。
更详细地，测量工具22在工件11上的多个测量点的每一点处测量图案生成装置 20与工件11之间的高度Hz，来产生对工件11的多个测量值。测量点之间的Z-方向距离 变化或者高度Hz表示工件11在工件11上的给定点处的粗糙度。高度测量值Hzi的映像表 示工件11在给定时间的Z-形状。
在被获取后，工件11的第一 Z-形状Zl被发送到Z-校正与处理模块30。Z-校正 与处理模块30将获取的第一 Z-形状Zl存储在存储器(未示出)中。
返回到图3，在步骤S304，图案生成装置20工件11上图案化地形成第一层或者参 考层。此时，工件11被分成多个测量点或者对准标记(未示出)。这些测量点在位置上可 对应于上面参考步骤S302所描述的测量点。装置20可以任何已知的方式11在工件11上 图案化地形成参考层。由于用于此操作的方法是已知的，所以详细的讨论将省略。
在步骤S306，处理工件11。例如，可对工件11进行一次或多次显影 (development)、蚀刻(etching)、抗蚀剂自旋(resist spinning)或者其它的处理可。因为 这类处理是已知的，所以为简洁起见省略详细的讨论。在步骤S308，工件11准备好在参考 层上图案化地形成后续层。
在S310，装置20以与上面参考步骤S302所述的相同方式重新获取工件11的Z-形 状(第二 Z-形状τ )。获取的工件11的第二 Z-形状Ζ2被发送到Z-校正与处理模块30。 Z-校正与处理模块30将获取的第二 Z-形状Ζ2也存储在存储器(未示出)中。
在S312，Z-校正与处理模块30基于第一和第二 Z-形状Zl和Ζ2计算在X和Y网 格中的补偿值K的集合SL·在X和Y中的此补偿值集合SK如同地图一样地描述了高度Hz 在整个表面上在X和Y网格上的每一点处是如何变化的。在一个示例中，Z-校正与处理模 块30基于分别代表第一和第二 Z-形状Zl和Ζ2的第一和第二组高度测量值中的相应高度测量值之间的差(或者比较)，来计算对多个测量点中的每一点的补偿值。例如，X和Y网 格中的各补偿值可由如下所示的方程式ι给出。
权利要求
1.一种用于在工件上形成图案并进行对准的方法，此方法的特征在于 获取工件的第一 ζ-形状(S302，S404)；在工件上图案化地形成参考网格(S304，S402)； 获取工件的第二 Z-形状(S310)； 基于获取的第一和第二 Z-形状计算补偿值集合(S312)； 基于计算出的补偿值集合更新参考网格(S318)；和 图案化地形成工件的后续层(S320)。
2.如权利要求1所述的方法，特征还在于 在获取工件的第二 Z-形状之前处理工件(S306)。
3.如权利要求1或2所述的方法，特征还在于在获取工件的第一 Z-形状之后图案化地形成对准标记(S304)。
4.如权利要求1或2所述的方法，特征还在于在获取工件的第一 Z-形状之前图案化地形成对准标记(S402)。
5.如权利要求1至4的任何一项所述的方法，特征还在于 基于计算出的补偿值集合计算至少一个全局变换(S316)；和 基于全局变换更新参考网格(S316)。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述至少一个全局变换为仿射变换、投影变换或者 其它类型的线性变换。
7.如权利要求1-6的任何一项所述的方法，其中，参考网格由第一图案生成器图案化 地形成，而后续层由第二图案生成器图案化地形成。
8.如权利要求1-7的任何一项所述的方法，其中，由第一Z-形状与第二 Z-形状之间的 差异引起的重叠误差被补偿而不改变绝对配准。
9.如权利要求1-8的任何一项所述的方法，其中，第一Z-形状的获取的特征在于 在工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方向上的高度，以生成第一高度测量值集合。
10.如权利要求9所述的方法，其中，第二Z-形状的获取的特征在于在工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方向上的高度，以生成第二高度测量值集合。
11.如权利要求10所述的方法，其中，补偿值集合包括对应于多个测量点的每一点的 补偿值，各补偿值的计算的特征在于计算在多个测量点中的一个测量点处的第一高度测量值与第二高度测量值之间的差 异；禾口基于计算出的差异和工件的厚度计算对该测量点的补偿值。
12.一种用于在工件上形成图案的装置(500)，此装置的特征在于 用于获取工件(11)的第一 Z-形状的构件02)；用于在工件上图案化地形成参考网格的构件； 用于处理工件的构件； 用于获取工件的第二 Z-形状的构件02)； 用于基于第一和第二 Z-形状计算补偿值集合的构件(30)；用于基于该补偿值集合更新参考网格的构件(30)；和 用于图案化地形成工件的后续层的构件01)。
13.如权利要求12所述的装置，特征还在于用于基于计算出的补偿值集合计算至少一个全局变换的构件(30)；和 用于基于该全局变换更新参考网格的构件(30)。
14.如权利要求12或13所述的装置，特征还在于 用于图案化地形成对准标记的构件01)。
15.如权利要求12至14的任何一项所述的装置，其中，用于获取第一Z-形状的构件的 特征在于用于在工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方向上的高度以生成第一高度测量值 集合的构件02)。
16.如权利要求15所述的装置，其中，用于获取第二Z-形状的构件的特征在于用于在工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方向上的高度以生成第二高度测量值 集合的构件02)。
17.如权利要求16所述的装置，其中，补偿值集合包括对应于多个测量点的每一点的 补偿值，用于计算各补偿值的构件的特征在于用于计算在多个测量点中的一个测量点处的第一高度测量值与第二高度测量值之间 的差异的构件(30)；和用于基于计算出的差异和工件的厚度计算对该测量点的补偿值的构件(30)。
18.一种用于在工件(11)上形成图案的装置(500)，此装置的特征在于 图案生成装置(21)，其构造成，图案化地形成工件的至少第一和第二层，在图案化地形成工件的第一层之前或之后获取工件的第一 Z-形状，和 在图案化地形成工件的第二层之后获取工件的第二 Z-形状；和 Z-校正与处理模块(30)，其构造成， 基于第一和第二 Z-形状计算补偿值集合，和 基于计算出的补偿值集合更新参考网格。
19.如权利要求18所述的装置，其中，图案生成装置的特征在于 用于载置工件的工作台03)；构造成获取工件的第一和第二 Z-形状的测量工具0 ；和 构造成图案化地形成工件的至少第一和第二层的图案生成工具。
20.如权利要求19所述的装置，其中，补偿值集合包括对应于多个测量点的每一点的补偿值，并且测量工具构造成通过在工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方向上的高度来生成 第一高度测量值集合，从而获取第一 Z-形状，测量工具构造成通过在工件上的多个测量点的每一点处测量Z-方向上的高度来生成 第二高度测量值集合，从而获取第二 Z-形状，和Z-校正与处理模块构造成计算各补偿值，方法是通过计算在多个测量点中的一个测量点处的第一高度测量值与第二高度测量值之间的差异；和基于计算出的差异和工件的厚度计算对该测量点的补偿值。
全文摘要
本发明提供在工件上形成图案的方法和装置。在此描述的方法和装置通过引入改进的补偿工件畸变的对准方法，来改善在工件上先后图案化地形成的层之间的重叠。
文档编号G01B11/25GK102037312SQ200980118589
公开日2011年4月27日 申请日期2009年5月22日 优先权日2008年5月22日
发明者米凯尔·瓦尔斯滕, 肖斯特罗姆·弗雷德里克 申请人:麦克罗尼克迈达塔有限责任公司