专利名称：基片缺陷和污染检测探头结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种检测探头结构，尤其涉及一种对半导体基片的缺陷和污染进行检测的探头结构。
背景技术：
通过外置机械手自动传输基片进行无接触式检测，并根据检测结果分别的放进不同定义的片盒内的一种必要检测过程。用户可以将不同参数的基片进行后续的再加工、销售和选用，能实时的为用户提供准确数据并自动分类，便于用户方便设置。但是，在国内，目前没有单位生产、提供类似的产品，国外制造公司也主要集中在不多的几家公司，且售价很高。而国内大部分企业都是通过人工进行相关的检测，但人工方法极易造成检测精度不高。

实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种能够检测基本的缺陷和污染的探头结构，以解决现有的对基片的缺陷和污染的检测精度不高的问题。为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为本实用新型一种基片缺陷和污染检测探头结构，包括一工作台，其中，所述工作台水平设于一平台上，所述工作台上方倾斜设置有两探头，所述两探头的底部斜向相对。本实用新型基片缺陷和污染检测探头结构的一实施例中，其中，所述工作台分为上层和下层，所述上层面积小于所述下层面积。本实用新型基片缺陷和污染检测探头结构的一实施例中，其中，还包括支架，所述两探头固定在所述支架上。本实用新型基片缺陷和污染检测探头结构的一实施例中，其中，所述两探头的倾斜角度为30度到60度，所述两探头的底部距离所述工作台中心的距离相等。本实用新型基片缺陷和污染检测探头结构的一实施例中，其中，所述两探头为电荷藕合器件两探头为相互耦合的图像传感器。本实用新型基片缺陷和污染检测探头结构的一实施例中，其中，所述上层与所述下层均为厚度较薄的矩形台。本实用新型基片缺陷和污染检测探头结构的一实施例中，其中，所述支架与所述平台的材料均为大理石。本实用新型由于采用了上述技术，使之具有的积极效果是基片缺陷和污染检测探头结构，通过该结构的能够以自动对基片的缺陷和污染进行检测，减少人工检测导致的精度不高的问题，能有有效地提高产品的良品率。

图1是本实用新型的基片缺陷和污染检测探头结构的示意图。
具体实施方式

以下结合附图给出本实用新型基片缺陷和污染检测探头结构的具体实施方式
。图1为本实用新型的基片缺陷和污染检测探头结构的示意图，请参见图1所示。本实用新型的一种基片缺陷和污染检测探头结构，该结构主要由一水平设置在平台6上工作台7和位于该工作台7的上方倾斜设置的探头1和探头2组成，且探头1与探头2的底部应为相对。其中，工作台7分为两层，上层5的面积小于下层4的面积，上层5与所述下层 4的形状均可为厚度较薄的矩形台。平台6上固定有支架3，探头1和探头2均固定在支架 3上。其中，上述的探头1和探头2相对于水平的工作平台的倾斜角度为30度到60度， 较佳可以选择为45度，且探头1和探头2的底部距离所述工作台中心的距离相等。探头1和探头2可以为电荷藕合器件图像传感器(Charge Coupled Device，简称 CXD)，且探头1和探头2相互耦合。其中，上述支架3与平台7的材料均可以为大理石。综上所述，本实用新型基片缺陷和污染检测探头结构，通过该结构的能够自动对基片的缺陷和污染进行检测，减少人工检测导致的精度不高的问题，能有有效地提高产品的良品率。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种基片缺陷和污染检测探头结构，包括一工作台，其特征在于，所述工作台水平设于一平台上，所述工作台上方倾斜设置有两探头，所述两探头的底部斜向相对。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述工作台分为上层和下层，所述上层面积小于所述下层面积。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括支架，所述两探头固定在所述支架上。
4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述两探头的倾斜角度为30度到60度， 所述两探头的底部距离所述工作台中心的距离相等。
5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述两探头为电荷藕合器件两探头为相互耦合的图像传感器。
6.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述上层与所述下层均为厚度较薄的矩形台。
7.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述支架与所述平台的材料均为大理石。
专利摘要本实用新型公开了一种基片缺陷和污染检测探头结构，包括一工作台，其中，所述工作台水平设于一平台上，所述工作台上方倾斜设置有两探头，所述两探头的底部斜向相对。本实用新型基片缺陷和污染检测探头结构，通过该装置能够自动对基片的缺陷和污染进行探测，减少人工检测导致的精度不高的问题，能有有效地提高产品的良品率。
文档编号G01N21/94GK202221413SQ201120265448
公开日2012年5月16日 申请日期2011年7月26日 优先权日2011年7月26日
发明者丁天祥, 李正贤 申请人:上海卓晶半导体科技有限公司