山东科威数控机床有限公司铣床官方网站今天是:2025-06-09切换城市[全国]-网站地图
推荐产品 :
推荐新闻
技术文章当前位置:技术文章>

绝缘材料荷电的测试方法

时间:2025-06-09    作者: 管理员

专利名称:绝缘材料荷电的测试方法
技术领域
本发明涉及一种在扫描电子显微镜中,对绝缘材料表面荷电的测量和评价方法。
目前在扫描电镜中采用的消除非导电样品表面荷电效应的主要方法有1、样品表面的导电处理在非导电样品表面喷镀一层金属膜(Au,Ag,Pd等),或碳膜。在入射电子的辐照下,连续的导电膜使样品与地相连,从而避免了电荷在绝缘材料表面因积累而充电。然而,导电膜对样品的成像及微区元素分析均可能造成一些不利影响。例如,喷镀的导电膜可能会掩盖样品表面的某些真实细节,形成赝像,还给成分分析带来误差。此外,导电膜的镀膜工艺也应严格控制。如果镀膜时间过长,会给导热性能很差的绝缘材料的表面造成辐照损伤;如果喷镀时间过短,则可能使导电膜不连续,不能完全消除荷电现象。2、采用扫描电镜的低真空操作模式普通扫描电镜的真空度在10-3Pa~10-4Pa(帕)。降低真空度后,可以直接对非导电样品进行观察和记录,而不必在样品表面喷镀导电层。但要以损失图像的分辨率为代价。此外,由于样品在导电、导热及化学性能方面存在差异,成像时需要针对不同的样品,选择不同的工作压力,才能把非导电样品产生的荷电现象减到最小或完全消除,得到最佳的电子图像。3、采用环境扫描电镜二十世纪八十年代发展起来的环境扫描电镜,其样品室的真空度可在10-4Pa~2600Pa的很大范围内变化。从而使非导电的无机材料、生物材料及含油、含水的材料在没有表面导电膜的情况下直接进行观察和分析,而不产生荷电现象。环境扫描电镜的成像条件对减小和消除非导电样品的荷电现象有较严格的要求。如,样品室的压力、温度、湿度等环境参数,以及仪器的操作参数,如入射电子束能量及强度、样品倾角等。
上述减小和消除非导电样品在电子辐照下产生的荷电效应的方法都是行之有效的。但在这些方法中,都没有涉及到对样品荷电效应的测量,以及对荷电补偿效果的评价。即,在目前的扫描电镜中,还不能做到实时监测样品表面荷电及荷电的变化,而是根据经验来判断荷电现象是否消除,即根据观察和记录到的图像质量来判断样品表面是否还存在充电现象,再来调整扫描电镜的成像条件及镀膜工艺。
因此,需要在扫描电镜中建立测量荷电的方法,实时测量和评价非导电样品的荷电效应及其变化,调整成像条件和样品表面条件,从而减小或消除荷电现象,获得高质量的电子显微图像和提高分析精度。

发明内容
本发明的目的是提供一种在扫描电镜中原位监测非导电样品荷电效应的方法。原位测试及实时处理样品产生的吸收电流信号,用来评价非导电样品的荷电程度及荷电变化。同时,所测量的吸收电流信号还可以用来优选扫描电镜的环境参数和成像参数,评价导电膜的质量,从而有效地减小和消除非导电样品的荷电效应,达到提高电子显微分析对非导电样品的成像质量和分析精度的目的。
本发明中所用到的吸收电流测试原理参见图3表述如下在电子束的辐照作用下,根据电流的结点守恒定律,入射电子的电流Ip等于从样品表面发射出的二次电子电流Is、背散射电子电流Ib、吸收电流Ia、以及穿透样品的电流It之和,即Ip=Is+Ib+Ia+It(1)图3示意图给出在入射电子Ip的辐照作用下,从样品中产生的Is、Ib、Ia和It电子信号。对于块状样品,It为0。除了从样品中产生二次电子和背散射电子之外,如果在样品和地之间接入高灵敏度的微小电流测试仪—皮安表(pA-电流表),就可以测出样品对地的电流信号,即吸收电流Ia。
本发明中采用pA-电流表,通过对吸收电流的检测判断样品是否为良导体,当样品为良导体时,吸收电流Ia值在10-6~10-10A范围;并且,对于同种材料、在相同的成像条件下,入射电子束在良导体表面扫描一帧的时间内的吸收电流Ia为一恒定值。若样品为不良导体或绝缘体时,Ia值则在10-11~10-12A范围内不断变化,并且Ia为波动值。这是由于,在非导电材料的情况下,入射电子除了从样品表面发射出去二次电子和背散射电子之外,多余的入射电子被束缚在非导电样品中,造成的局部充电和随后的无规则的间歇放电,会使一幅扫描图像的吸收电流发生较大变化。因此,若在电子束扫描的过程中将一幅扫描图像的吸收电流由pA-电流表逐点收集下来,并进行处理,就可以用来评价非导电样品表面的荷电程度。
本发明的技术方案形成参见

图1和图2,其绝缘材料荷电的测试方法是采用S-450扫描电镜扫描材料样品,在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中,由pA-电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流Ia,扫描一帧图像时收集到的吸收电流值Ia、即测量数据点的值,通过计算机进行实时存储和处理,即将信号数据流进行编排、绘图和显示,用以判断样品表面的荷电效应;本发明的测试方法程序为1、进行由扫描电镜扫描一帧材料样品图像、与pA-电流表收集一帧扫描图像的吸收电流Ia基本同步的参数设置;参数设置方法为确定S-450扫描电镜的记录成像的时间为固定时间100s,通过调整采集步长和积分时间来保证在电子束扫描一帧图像的过程中、即100s的时间内,扫描一帧图像时收集到的吸收电流值Ia、即测量数据点的值,电流测量的积分时间是由现有的pA-电流表随测试的电流值的不断变化而自动改变记录的,通过选择pA-电流表的转换开关的档位及相应的控制程序来确定积分时间可变动的范围,转换开关的档位是在扫描材料样品之前确定的,采集步长是根据样品的导电性能确定;参数设置为吸收电流Ia数据的收集范围、即吸收电流数据的动态范围设定为[-10,10],数据的采集步长、即收集数据的间隔设定为0.01~0.03,当采集到100s时,即中断测量数据点的数据,积分时间20ms~160ms;测量数据点即吸收电流值Ia的取值计算方法为在数据的动态范围[-10,10]内,调整采集步长为0.01,吸收电流Ia计算值为2001个;是由数据的动态范围[-10,10]的差值20除以步长0.01得出,同理,吸收电流Ia计算值1001个(步长0.02)、667个(步长0.03);例如Al范围[-10,10];步长0.064;积分时间320ms;数据312个。
Al2O3范围[-10,10];步长0.01;积分时间20ms~160ms;数据744个。
Al2O3喷金范围[-10,10];步长0.01;积分时间20ms~160ms;数据1417个。
输出电流值在无测试信号输入时,系统输出的电流信号保持在10-14A数量级。在电子束辐照作用下,输出的吸收电流信号在10-10~10-13A范围内变化。
实验表明,收集数据的数量与样品电导性能密切相关,当样品出现荷电现象时,相应的吸收电流值小,数据的数量也少。因此,需要根据样品的荷电程度适当调整收集数据流的积分时间。
电流测量的积分时间的长短是随样品导电性的降低而增加,即随输入到皮安-电流表中吸收电流信号的大小及信号最大值和最小值间的差值大小而变化,值小或差值大积分时间长,值大或差值小积分时间短;2、扫描一帧图像时收集到的吸收电流值Ia、即测量数据点的值,按通常方式通过数据线输入计算机生成文本文件、进行数据的分析、绘图、存储和显示。
在数据流的读入时,为了防止测试微小电流(10-12A量级)而引起采集时间超时(>100s),选择皮安-电流表中确定转换开关的档位在短的(20ms~160ms)积分时间范围内,及0.01步长;
如当样品表面荷电严重时,相应的吸收电流值很小,变化很大,收集的电流数据也减少。在此设置条件下,扫描一帧图像可以收集到几百~上千个数据点。绝缘材料荷电的测试方法中采用带有检测吸收电流信号的接口的S-450扫描电镜扫描材料样品,材料样品吸收电流Ia由信号输入数据线经型号HP16054A的输入接口流入pA-电流表,带有编程的Hp IEEE标准IEEE488总线接口板收集由pA-电流表输出的数据流,输入到计算机中进行实时存储和处理;控制程序采用HP VEE 4.0编写。
在HP VEE4.0的编程软件中,调整数据的量化范围(即数据的动态范围)和采集步长,就可以控制量化点的数目(即数据的收集数目)。在本工作中,是采取固定数据的动态范围,通过调整采集步长,得到吸收电流的测量数目。
采用实时收集和处理吸收电流的方法,检测非导电样品在入射电子辐照下引起的荷电现象。调整测试电流的收集参数,包括积分时间、步长,实现电子束扫描一帧图像的过程中(100s),收集到足够多(数百个以上)的吸收电流Ia值。实时对收集到吸收电流信号进行存储和处理,包括分析和绘图,用来评价非导电样品的荷电效应,优化了扫描电镜的工作条件,包括环境参数和操作参数;以及评价非导电样品表面导电膜的质量。
图4三种Al2O3样品条件的荷电测量结果比较示意图;图5其中图5(a)为Al2O3样品直接在扫描电镜的高真空模式中观察,产生明显的荷电现象的图像,图5(b)在低真空模式下成像,使荷电明显减轻的图像;图6良导体(Cu)、半导体(95%ZrO2-5%Y2O3)和绝缘体(Al2O3)的吸收电流曲线对比图。
(1)加速电压5~30kV(2)入射电子束电流10-8~10-12A(3)样品工作距离5~15mm(4)扫描时间/帧100s.
(5)真空度2×10-3Pa的高真空模式;及(1~4)×10-2Pa的变压模式。2.pA-电流表型号HP 4140B;测量在入射电子辐照下,样品中产生pA数量级的微小电流信号。pA-电流表通过接口接在扫描电镜中的样品和地之间。
测试范围为±100V;±0.001×10-12A~±1.999×10-2A,共11个量级。最大测试峰值为±19mA。3.信号输入数据线输入接口型号HP16054A接口。因为信号电流非常小,接口具有强的抗外界电磁干扰能力,以保证在测试吸收电流的过程中,有很高的灵敏度和精度。4.信号输出接口采用带有编程的HP IEEE标准IEEE488总线接口板,收集数据流。总线接口板带有驱动程序,可进行地址设定和数据编排,可设定触发时间、测量时间和中断时间。控制程序采用HP VEE 4.0编写。5.计算机吸收电流(数据流)的处理,包括收集、存储、分析、绘图及显示。
数据流的处理采用Excel软件编写。6、采用Al2O3样品进行荷电的测量分析样品(1)Al2O3为绝缘陶瓷材料。因此,直接在扫描电镜的高真空模式下观察,Al2O3样品会产生明显的荷电现象。采用在较低真空模式下成像和在样品表面镀Au膜这两种方法,可以使样品表面的荷电现象得到不同程度的减小。本例通过为扫描电镜配置的吸收电流检测系统,收集、存储和实时处理Al2O3样品在高真空、低真空和表面镀Au膜三种条件下的吸收电流,评价样品表面的荷电效应及荷电的补偿效果,以及导电Au膜的镀膜效果。(2).扫描电镜成像参数加速电压20kV;入射电子束电流10-10A;样品工作距离10mm;扫描时间/帧100s;真空度2.9×10-3Pa(高真空模式);3×10-2Pa(低真空模式);图像放大倍率100×(3)吸收电流信号的检测流程①参数设置数据的动态范围[-10,10];采集步长为0.01;收集时间100s;积分时间160ms时,Al2O3在100s的扫描时间内,可以得到700~1500个电流数据点。②数据流的读入收集一幅扫描图像的吸收电流。在上述三种条件下,pA-表显示出Al2O3的吸收电流值,计算机逐一从pA-表读入700~1500个数据。③生成数据文件以文本格式生成700~1500个数据点的文件。④数据分析、绘图和结果存储采用Excel软件进行数据存储、分析及绘图(表2和图4)。(4)测试结果的说明图5为Al2O3样品直接在扫描电镜的高真空模式中观察,产生明显的荷电现象的图像,(图5(a)),以及在低真空模式下成像,使荷电明显减轻,得到清晰图像的情况,(图5(b))。与高真空条件相比,在低真空模式下成像所测试的吸收电流值有所增加(表1和图4)。由此可见,样品电流的Ia值可用来评价荷电的变化,即反映出荷电补偿效果。
采用表面喷镀导电膜是消除非导电样品表面荷电的有效方法。Al2O3样品表面经过3分钟喷镀Au膜后,Ia值明显增加,且波动范围很小,表明样品荷电现象基本消除(表2和图4)。但是,Al2O3喷镀膜后,其Ia值仍然达不到金属样品吸收电流值(如图6中Cu的吸收电流曲线)的稳定程度。说明喷镀的Au膜不够连续或不够均匀。由此可见,Ia值还可以用来评价导电膜的镀膜质量。7、应用例各类样品的吸收电流Ia(表3和图6)金属及合金样品在入射电子束辐照下,样品表面不会产生荷电现象。因此,它们的吸收电流,Ia,在同一入射电子能量的情况下为一恒定值,为10-11数量级。如Al、Cu、Fe、Ag、Ta、40%Cr-60%Cu等。
半导体样品在入射电子束辐照下,样品表面一般也不会产生荷电现象。因此,它们的吸收电流,Ia,在同一入射电子能量的情况下为一恒定值,为10-10~10-11数量级。如单晶硅、95%ZrO2-5%Y2O3和ZnO氧化物等。
绝缘样品在入射电子束辐照下,样品表面会出现不同程度的荷电现象。因此,它们的吸收电流,Ia,为波动值,变化范围为10-11~10-12数量级。如SiO2、Al2O3、90%Y2O3-10%La2O3、La2O3、等。
从图6中的良导体(Cu)、半导体(95%ZrO2-5%Y2O3)和绝缘体(Al2O3)的吸收电流曲线的对比可以看出,吸收电流值的大小及曲线的变化幅度可以反映出样品导电性能存在差异而造成的荷电现象。
以上测试结果表明,为扫描电镜配置的荷电测试装置,可以检测样品的吸收电流Ia。将入射电子束在非导电样品表面逐点扫描采集的样品电流Ia值进行收集、存储、分析和绘图。根据Ia值及其幅度的变化,确定非导电材料表面的荷电效应、扫描电镜的环境参数和操作参数,以及评价非导电样品导电膜的镀膜质量。达到优化电子显微分析的成像条件,减小及消除非导电材料的荷电效应,提高图像质量和分析精度的目的。表1pA-表提供的电流测量的积分时间

表2表明样品荷电现象基本情况

表3各类样品的吸收电流Ia值

权利要求
1.一种绝缘材料荷电的测试方法,其特征在于,采用S-450扫描电镜扫描材料样品,在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中,由pA-电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流Ia,扫描一帧图像时收集到的吸收电流值Ia、即测量数据点的值,通过计算机进行实时存储和处理,即将信号数据流进行编排、绘图和显示,用以判断样品表面的荷电效应;本发明的测试方法程序为1)进行由扫描电镜扫描一帧材料样品图像、与pA-电流表收集一帧扫描图像的吸收电流Ia基本同步的参数设置;参数设置方法为确定S-450扫描电镜的记录成像的时间为固定时间100s,通过调整采集步长和积分时间来保证在电子束扫描一帧图像的过程中、即100s的时间内,扫描一帧图像时收集到的吸收电流值Ia、即测量数据点的值,电流测量的积分时间是由现有的pA-电流表随测试的电流值的不断变化而自动改变记录的,通过选择pA-电流表的转换开关的档位及相应的控制程序来确定积分时间可变动的范围,转换开关的档位是在扫描材料样品之前确定的,采集步长是根据样品的导电性能确定;参数设置为吸收电流Ia数据的收集范围、即吸收电流数据的动态范围设定为[-10,10],数据的采集步长、即收集数据的间隔设定为0.01~0.03,当采集到100s时,即中断测量数据点的数据,积分时间20ms~160ms;测量数据点即吸收电流值Ia的取值计算方法为在数据的动态范围[-10,10]内,调整采集步长为0.01,吸收电流Ia计算值为2001个;是由数据的动态范围[-10,10]的差值20除以步长0.01得出,同理,吸收电流Ia计算值1001个(步长0.02)、667个(步长0.03);电流测量的积分时间的长短是随样品导电性的降低而增加,即随输入到pA-电流表中吸收电流信号的大小及信号最大值和最小值间的差值大小而变化,值小或差值大积分时间长,值大或差值小积分时间短;2)、扫描一帧图像时收集到的吸收电流值Ia、即测量数据点的值,按通常方式通过数据线输入计算机生成文本文件、进行数据的分析、绘图、存储和显示。
2.根据权利要求1所示的绝缘材料荷电的测试方法,其特征在于测试10-12A量级的微小电流时、选择pA-电流表中确定转换开关的档位在短的(20-160ms)积分时间范围内,采集步长为0.01。
3.根据权利要求1所述的绝缘材料荷电的测试方法,其特征在于,该方法中采用带有检测吸收电流信号Ia的接口的S-450扫描电镜扫描材料样品,材料样品的吸收电流Ia由信号输入数据线经型号HP16054A的输入接口流入pA-电流表;带有编程的HP IEEE标准IEEE488总线接口板收集由pA-电流表输出的数据流,输入到计算机中进行实时存储和处理;控制程序采用HP VEE 4.0编写。
全文摘要
绝缘材料荷电的测试方法涉及一种利用扫描电子显微镜对绝缘材料表面荷电的测量及评价方法。本发明是采用扫描电镜扫描样品,在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中,由皮安-电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流I
文档编号G01N23/04GK1453575SQ03123988
公开日2003年11月5日 申请日期2003年6月2日 优先权日2003年6月2日
发明者吉元, 徐学东, 史佳新, 钟涛兴, 何焱, 吕长志, 张虹, 郭汉生 申请人:北京工业大学

  • 专利名称:井中断点引导的地震小断层解释方法及装置的制作方法技术领域:本发明涉及高含水油田地震资料解释技术领域,尤其涉及井中断点引导的地震小断层解释方法及装置。背景技术:我国陆上老油田断层极为发育,尤其在东部渤海湾地区,断块小,差异性大。大断
  • 专利名称:一种玩具突起测试仪的制作方法技术领域:本实用新型涉及测量设备,具体涉及一种玩具突起测试仪。 背景技术:我国是世界上最大的玩具生产和出口国,我国与欧、美、日等玩具生产消费大国都分别制订了严格的玩具测试标准。国家玩具安全技术规范GB6
  • 专利名称:多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法技术领域:本发明涉及的是一种微机电系统材料参数在线测试技术,尤其涉及的是一种多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法。背景技术:微机电器件MEMS的性能与材料物理参数有密切的关系,而制造微机
  • 专利名称:流量计发讯部分的自动补偿间隙结构的制作方法技术领域:本实用新型适用于流量计的发讯部分,是对发讯部分自动补偿结构的改进。背景技术:现有的流量计的发讯部分,置于流量计齿轮箱10与发讯轴上,齿轮箱转动连接发讯轴转动带动发讯轴与发讯器12
  • 专利名称:超声探头的制作方法技术领域:本发明涉及一种超声探头,该超声探头包括通过边缘形成边界的超声探头面。 背景技术:超声检测技术在机械制造的许多领域中被采用,以便例如发现汽轮机、燃气轮机 或发电机的转子中的不完善之处。超声技术在这种情况下
  • 专利名称:啮合编码器齿轮和传感器组件的制作方法技术领域:本发明涉及在机械装置中使用的啮合齿轮和传感器,更具体地,涉及汽车传动装 置中所包括的齿轮和传感器组件。背景技术:本部分仅提供与本公开有关的背景信息,其可能或可能不构成现有技术。在机械装
山东科威数控机床有限公司
全国服务热线:13062023238
电话:13062023238
地址:滕州市龙泉工业园68号
关键词:铣床数控铣床龙门铣床
公司二维码
Copyright 2010-2024 http://www.ruyicnc.com 版权所有 All rights reserved 鲁ICP备19044495号-12