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一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法

时间:2025-06-10    作者: 管理员

专利名称:一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法
技术领域
本发明涉及表面波气体传感器技术领域,特别涉及一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法。
背景技术
NO2是汽车尾气的主要成分,也是火力发电、化工生产过程的主要排放气体。由于具有极强的腐蚀性和生理刺激作用,所以对建筑设施、生产设备及其人类健康造成极大危害。因此,对NO2气体进行及时准确地检测和测量具有十分重要的意义。目前用于NO2气体检测的方法主要有物理法和化学法,然而这些方法所需要的测量系统和设备通常比较复杂和昂贵,给实际应用带来很大的不便。

发明内容
(一 )要解决的技术问题有鉴于此,本发明的主要目的是提供一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法, 以实现对NO2气体的检测。( 二 )技术方案为达到上述目的,本发明提供了一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法,该方法包括步骤1 将5至15mg的多壁碳纳米管与50至IOOmg的Sr^2均勻混合溶于一定量的甘油;步骤2 充分搅拌后在60°C下超声振荡两个小时使其充分分散;步骤3 用10至50 μ 1移液器吸取部分混合溶液滴涂在器件的敏感膜上;步骤4 将器件放到真空干燥箱,在140°C下干燥两小时去除水分和有机物。上述方案中,所述基片是石英基片。上述方案中,所述甘油是作为SnA和碳纳米管的分散溶剂。上述方案中,步骤2中所述超声振荡,用于使SnA与碳纳米管分散性更好。上述方案中,步骤4中所述将滴涂以后的器件放入真空干燥箱,是用于去除水分和有机物。(三)有益效果从上述技术方案可以看出,本发明具有以下有益效果本发明提供的这种制作高选择性半导体薄膜材料的方法,通过将SnA混合碳纳米管作为声表面波NO2气体传感器的敏感膜材料,实现了在室温下检测低浓度的NO2气体。通过掺杂碳纳米管,大大的增加了膜的比表面积,从而提高了敏感膜的灵敏度。所用的是滴涂成膜技术,相比其他磁控溅射,CVD,溶胶凝胶法等成膜技术,滴涂更简单,易操作,低成本, 适合大批量生产。


图1是本发明提供的制作高选择性半导体薄膜材料的方法流程图;图2-1至2-3是本发明提供的制作高选择性半导体薄膜材料的工艺流程图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。如图1所示,图1是本发明提供的制作高选择性半导体薄膜材料的方法流程图,该方法是由溶解、超声振荡、滴涂、真空干燥等步骤获得的,其步骤如下步骤1 将5至15mg的多壁碳纳米管与50至IOOmg的二氧化锡均勻混合溶于一定量的甘油;步骤2 充分搅拌后在60°C下超声振荡两个小时使其充分分散;步骤3 用10至50 μ 1移液器吸取部分混合溶液滴涂在器件的敏感膜上;步骤4 将器件放到真空干燥箱,在140°C下干燥两小时去除水分和有机物。所述的基片是石英基片,其目的在于减小器件受温度影响。所述的成膜技术是滴涂。相比其他磁控溅射,CVD,溶胶凝胶法等成膜技术,滴涂更简单,易操作,低成本,适合大批量生产。所述甘油是作为SnA和碳纳米管的分散溶剂。所述的混合溶液通过一定的温度超声,目的是让SnA和碳纳米管分散性更好。所述的滴涂以后的器件放入真空干燥箱,目的是为了去除水分和有机物。图2-1至2-3是本发明提供的制作高选择性半导体薄膜材料的工艺流程图。其中, 图2-1是基片的示意图;图2-2是将一种SnA掺杂碳纳米管的混合溶液涂于基片敏感膜示意图,其中圆圈代表水分,三角符号代表有机物;图2-3是将图2-2中所示的敏感膜去除水分和有机物后的示意图。以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法,其特征在于,该方法包括步骤1 将5至15mg的多壁碳纳米管与50至IOOmg的Sr^2均勻混合溶于一定量的甘油;步骤2 充分搅拌后在60°C下超声振荡两个小时使其充分分散;步骤3 用10至50 μ 1移液器吸取部分混合溶液滴涂在器件的敏感膜上;步骤4 将器件放到真空干燥箱,在140°C下干燥两小时去除水分和有机物。
2.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜材料的方法,其特征在于,所述基片是石英基片。
3.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜材料的方法,其特征在于,所述甘油是作为SnA和碳纳米管的分散溶剂。
4.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜材料的方法,其特征在于,步骤2中所述超声振荡,用于使SnA与碳纳米管分散性更好。
5.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜材料的方法,其特征在于,步骤4中所述将滴涂以后的器件放入真空干燥箱,是用于去除水分和有机物。
全文摘要
本发明公开了一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法,该方法包括步骤1将5至15mg的多壁碳纳米管与50至100mg的SnO2均匀混合溶于一定量的甘油;步骤2充分搅拌后在60℃下超声振荡两个小时使其充分分散;步骤3用10至50μl移液器吸取部分混合溶液滴涂在器件的敏感膜上;步骤4将器件放到真空干燥箱,在140℃下干燥两小时去除水分和有机物。本发明通过将SnO2混合碳纳米管作为声表面波NO2气体传感器的敏感膜材料,实现了在室温下检测低浓度的NO2气体。通过掺杂碳纳米管,大大的增加了膜的比表面积,从而提高了敏感膜的灵敏度。
文档编号G01N29/02GK102375029SQ20101024773
公开日2012年3月14日 申请日期2010年8月6日 优先权日2010年8月6日
发明者侯成诚, 刘明, 周文, 李冬梅, 汪幸, 谢常青, 闫学锋, 霍宗亮 申请人:中国科学院微电子研究所

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