专利名称：一种有机电致发光器件及其测试方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光器件(Organic Light EmittingDevice，以下称 0LED)及其测试方法，尤其涉及OLED的引线设计。
背景技术：
OLED是一种利用载流子在电场作用下由阳极、阴极进入有机功能层复合而发光的现象而制成的平板显示器件。OLED具有全固态、自发光、高对比度、超薄、可实现柔软显示等 特点。目前的电子器件在出厂前都要经过测试、老炼的环节，对器件性能进行测试。对应 不同的芯片邦定技术，在测试老炼阶段会出现不同的问题。采用C0G(Chip on glass)方式 进行屏体与芯片邦定，参照图1-1及图1_2，0LED包括基板103、发光区102，其中发光区102 由位于基板103上的阳极1002、有机功能层1003、阴极1004形成。发光区102的左右两侧 及下部边缘设置了引线区101、引线区101的下部边缘设置邦定区104。奇数行引线101 [1] 由发光区102左侧引出；偶数行引线101[2]由发光区102右侧引出；左列引线101[3]和右 列引线101[4]由发光区102下方引出。行引线及列引线分别引出后，彼此绝缘地会聚于邦 定区104，在基板的一侧进行邦定，即单边邦定。为了图示清晰，并未画出所有的行、列引线。因COG产品屏体引线间隙太小，过窄 的空间只能用更窄的导电胶条，以至于导电胶条与引线压接时(1)导电胶条容易偏位而 导致屏体短路；(2)导电胶条的寿命缩短；(3)引线折断。当引线间的间隙小于测试、老炼工 装能做到的最小对位精度时，无法用全屏点亮(short bar)方式点亮屏体，无法做屏体的测 试与老炼，产品的不良只有在与驱动芯片绑定后才能被发现。目前无法对此类产品做屏体 测试与老炼，很难保证高成品率。OLED的引线是采用光刻工艺制备的，重要的工艺条件有刻蚀温度、速度、时间和刻 蚀液浓度等，任何工艺参数掌握不好，都可能会造成过刻蚀。如果没有引线延长区，则引线 的末端与驱动芯片进行邦定。过刻蚀的引线短于邦定所需的长度，这些过刻蚀的引线就无 法与相应的芯片管脚接触或接触不良，从而导致发光区相应的行或列无法点亮。如图2-1 所示，左列引线201、右列引线202出现了过刻蚀，其长度短于邦定所需长度，无法与芯片管 脚接触。如果将邦定位置上移，如图2-2所示，使左列引线201、右列引线202能正常邦定， 但这样一来，芯片管脚就会到达左列引线203、右列引线204的弯曲位置，左列引线203、右 列引线204无法与相应的芯片管脚正常连接。

发明内容
本发明提供一种能进行测试并保证测试效果的OLED的引线设计。本发明的目的是通过以下技术方案实现的有机电致发光器件包括发光区、引线区、邦定区，发光区包括阳极、有机功能层、阴 极；引线区由使阳极和阴极与驱动芯片或电路板连接的引线构成；邦定区为引线与驱动芯片或电路板连接的区域；还包括引线延长区，引线的末端位于引线延长区，引线延长区的引 线与引线区的引线形成的角度大于0°且小于90°。 引线延长区的引线与引线区的引线形成的角度大于20°且小于80°，优选为 30°、45°、60° 或 75°。引线采用单边邦定时，分为奇数行引线、偶数行引线、左列引线和右列引线，列引 线位于中部，奇数行引线及偶数行引线分居列引线的两侧。左列引线和右列引线朝相互背 离的方向延伸时，奇数行引线和偶数行引线可以朝相对的方向延伸，也可以朝相互背离的 方向延伸，且所有行、列引线都不相交。同样，左列引线和右列引线朝相对的方向延伸时，奇 数行引线和偶数行引线也可以朝相对或相互背离的方向延伸，且所有行、列引线都不相交。 并且，这些奇数行引线、偶数行引线、左列引线和右列引线的延长部分的角度可以不相同。引线延长区的引线可以少于引线区的引线。即引线延长区的引线与竖直方向 呈一定角度延伸时，为了保证所有的行、列引线都不相交，可以有部分引线的末端位于邦定 区，而不延伸至引线延长区。引线延长区的引线长度优选为0. Imm 0. 5mm。本发明的另一目的是提供一种OLED的测试方法。本发明的目的是通过以下技术方案实现的一种对上述有机电致发光显示器件进行测试的方法，测试步骤包括(1)将待点 亮行引线短路，将待点亮列引线短路；(2)使步骤(1)短路的行或列引线得到点亮电压；(3) 根据测试情况给出测试结果。步骤(1)可以将所有奇数行引线短路，将所有偶数行引线短路，将所有列引线短 路。步骤(1)也可以将所有行引线短路，将所有列引线短路。步骤(1)采用导电材料连接需短路的引线，导电材料为金属薄膜或导电胶条。本发明改变OLED的引线设置，分别将行、列引线相互背离或相对延伸⑴因为行 弓丨线与列引线分别与OLED的阳极或阴极相连，所以行引线不能与列引线发生连接。本发明 的引线设计增大了行引线与列引线的间距，防止在屏体测试阶段将行列引线短路。(2)行列 引线进行了一定角度的倾斜，与不倾斜的情况相比，在有限尺寸的延长区内可具有更大的 引线延长长度，从而与导电胶条的接触面积增大，单位面积的导电介质分担的电流负载减 小，从而提高了导电胶条的寿命。(3)增加了行列引线在水平方向上的宽度，满足了目前测 试、老炼工装的最小对位精度的要求，使导电胶条可以更容易、更精确地与引线压接。相应的测试方法保证OLED的老炼与测试，保证了高成品率。另外，引线的末端位于引线延长区，即不在引线的末端进行邦定。这样一来，即使 刻蚀引线时出现过刻蚀的现象，引线末端并没有被用到，从而保证了所有引线与芯片管脚 的良好接触，保证了邦定的效果。


图1-1为现有有机电致发光器件屏体示意图；图1-2为有机电致发光器件结构纵向剖面示意图；图2-1为引线过刻蚀的情况下现有邦定示意图；图2-2为引线过刻蚀的情况下邦定区上移的示意图3为本发明实施例1的邦定示意图；图4为图3中301所示区域的放大图；图5为本发明实施例2的邦定示意图；图6为本发明实施例3的邦定示意图；图7为图6中603所示区域的放大图；图8为本发明实施例4的邦定示意图。101-引线区；102-发光区；103-基板；104、205_邦定区；1002-阳极；1003-有机功能层；1004-阴极；300、500、700、800_引线延长区；402、403、404_导电胶条压接区； 101[1]、401[1]、501[1]、701[1]、801[1]_ 奇数行引线；101 [2]、401 [2]、501 [2]、701 [2]、 801 [2]-偶数行引线；101 [3]、401 [3]、501 [3]、701 [3]、801 [3]、201、203、601_ 左列引线； 101 [4]、401 [4]、501 [4]、701 [4]、801 [4]、202、204、602_ 右列引线。
具体实施例方式本发明以OLED从基板到阴极的方向为纵向，与之垂直的方向为横向。需要说明的 是，为了便于表述而定义了引线区、邦定区、引线延长区，但并不表示这些区域的引线是相 互独立的，而是一个整体，是通过光刻工艺一次形成的，位于发光区和邦定区之间的部分构 成引线区；位于邦定区和基板下边缘之间的部分构成引线延长区。本发明的技术方案采用新的掩模板，从而光刻出的引线的图形与现有技术不同。OLED的制造工艺通常包括(1)在玻璃基板上溅射一层电极材料，通常由氧化铟锡(以下简称ΙΤ0)或氧化锡 锌等透明导电材料构成，光刻后的ITO图形包括作为OLED器件阳极的部分以及作为电极引 线的部分。当引线过长或过细时，在引线上就会产生较大的电压降，使显示区的发光强度减 小。为了尽可能地减小电阻，通常在作为引线的ITO上增加铬。因此，电极引线通常包括 ITO和铬两层。(2)通过光刻的方法制备出绝缘层和隔离柱，这是实现RGB彩色的必经工艺，将不 同的像素隔开，实现像素阵列。(3)真空蒸镀法沉积有机电致发光材料形成有机功能层，包括空穴注入层、空穴传 输层、发光层、电子传输层等。(4)再用真空蒸镀法覆盖阴极材料。(5)将贴附了干燥片的带有凹槽的玻璃基片与OLED基板压合在一起，实现封装， 减少水氧气成分对器件的破坏。(6)电极引线与驱动芯片或电路板邦定，实现发光区与驱动芯片或电路板的连接。 引线与芯片的邦定方式有单边邦定，即将所有行、列引线排布到基板的一侧与一个芯片进 行连接，如图1-1 ；双边邦定，即将行引线排布到基板的一侧，列引线排布到基板的另一侧， 分别与一个芯片进行连接。通常为单边邦定，可以节省器件边缘的空间及芯片的数量。以下结合实施例及附图对本发明做进一步说明。实施例1如图3、图4所示，实施例1是一个96行X 16列的有机电致发光器件。发光区横向引出奇数行引线401 [1]和偶数行引线401 [2]，纵向引出左列引线401 [3]和右列引线401 [4]。引线的末端位于引线延长区300。左列引线401 [3]与芯片管脚 邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈30°向左侧延伸；右列引线401[4]与芯片管 脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈30°向右侧延伸；奇数行引线401[1]与芯 片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈30°向右侧延伸；偶数行引线401[2] 与芯片管脚邦定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈30°向左侧延伸。引线在引线延 长区的长度为0. 4mm。奇数行引线401 [1]、偶数行引线401 [2]左列引线401 [3]、右列引线 401 [4]互不相交。
制备本实施例所述有机电致发光器件的引线的工艺步骤包括(1)将已经清洗干净并烘干的玻璃基板置入光刻设备，玻璃基板上已经制备有 ITO层及其上的金属铬层。(2)用旋涂的方法在ITO及铬层上涂光刻胶并烘烤。(3)将掩模板覆盖在光刻胶上，用紫外光(UV)通过掩模板照射光刻胶表面，对光 刻胶进行选择性曝光。(4)显影、坚膜。(5)亥Ij蚀。刻蚀ITO和铬采用的刻蚀液不同，分别为浓度比例为10 10 1的 水、盐酸、硝酸混合刻蚀液和浓度比例为10 2 1的水、硝酸铈铵、硝酸混合刻蚀液。刻蚀出的引线图形如图3所示，刻蚀完成后，放入蒸镀腔室内进行有机功能层及 阴极的制备，然后完成在隔离腔室的封装盖贴敷工序。将完成封装步骤的基板取出，开始进 行邦定前的测试工序本实施例采用导电胶条实现各部分引线的短路，图4中框402、403、 404即为导电胶条压接区域，402的导电胶条连接导通屏体全部奇数行引线401 [1]，403的 导电胶条连接导通屏体全部列引线401[3]和401 [4]，404的导电胶条连接导通全部偶数 行引线401 [2]，三处导电胶条彼此间距约为1.6mm，远大于测试装置的最小对位精度—— 0. 8mm，可有效实现测试，将测试装置的PCB上的导电焊盘分别与三处导电位置的导电胶条 电连接，测试屏体全屏点亮结果并记录，待测试完毕，将三处导电胶条从屏体上取下，屏体 进入下一步与驱动芯片邦定阶段。实施例2如图5所示，实施例2同样是一个96行X 16列的有机电致发光器件。发光区横 向引出奇数行引线501[1]和偶数行引线501[2]，纵向引出左列引线501[3]和右列引线 501[4]。引线的末端位于引线延长区500。左列引线501[3]与芯片管脚邦定后，其末端超 过芯片管脚后与竖直方向呈45°向左侧延伸；右列引线501[4]与芯片管脚邦定后，其末端 超过芯片管脚后与竖直方向呈45°向右侧延伸；奇数行引线501[1]与芯片管脚邦定后， 其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈45°向左侧延伸；偶数行引线501 [2]与芯片管脚邦 定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈45°向右侧延伸。引线在引线延长区的长度为
0. 5mm。奇数行引线501 [1]、偶数行引线501 [2]左列引线501 [3]、右列引线501 [4]互不相 、-父。制备本实施例所述有机电致发光器件的引线的工艺步骤与实施例1相同，在此不 再赘述。刻蚀完成后，放入蒸镀腔室内进行有机功能层及阴极的制备，然后完成在隔离腔 室的封装盖贴敷工序。将完成封装步骤的基板取出，开始进行邦定前的测试工序，测试步骤与实施例1基本相同，本实施例采用斑马条实现各部分引线的短路，图5中引线延长区500 即为斑马条的贴敷位置。待测试完毕，将斑马条从屏体上取下，屏体进入下一步与驱动芯片 邦定阶段。实施例3如图6、图7所示，实施例3是一个64行X 128列的有机电致发光器件。发光区 横向引出奇数行引线701[1]和偶数行引线701[2]，纵向引出左列引线701[3]和右列引线 701[4]。引线的末端位于引线延长区700。左列引线701[3]与芯片管脚邦定后，其末端超 过芯片管脚后与竖直方向呈60°向右侧延伸；右列引线701[4]与芯片管脚邦定后，其末端 超过芯片管脚后与竖直方向呈60°向左侧延伸；奇数行引线701[1]与芯片管脚邦定后， 其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈60°向右侧延伸；偶数行引线701 [2]与芯片管脚邦 定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈60°向左侧延伸。引线在引线延长区的长度为
0. Imm0奇数行引线701 [1]、偶数行引线701 [2]左列引线701 [3]、右列引线701 [4]互不相 、-父。制备本实施例所述有机电致发光器件的引线的工艺步骤与实施例1相同，在此不 再赘述。左列引线中的一条引线601和右列引线中的一条引线602为相邻的引线，如果超 过芯片后分别朝右侧和左侧延伸，则可能会相交。所以，为了防止左列引线601和右列引线 602的末端相交，左列引线601和右列引线602的末端位于邦定区，即这两条引线与芯片管 脚邦定后没有延伸至引线延长区。测试工序与实施例1相同，在此不再赘述。实施例4如图8所示，实施例4同样是一个64行X 128列的有机电致发光器件。发光区 横向引出奇数行引线801[1]和偶数行引线801[2]，纵向引出左列引线801[3]和右列引线 801[4]。引线的末端位于引线延长区800。左列引线801[3]与芯片管脚邦定后，其末端超 过芯片管脚后与竖直方向呈75°向右侧延伸；右列引线801[4]与芯片管脚邦定后，其末端 超过芯片管脚后与竖直方向呈75°向左侧延伸；奇数行引线801[1]与芯片管脚邦定后， 其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈75°向左侧延伸；偶数行引线801 [2]与芯片管脚邦 定后，其末端超过芯片管脚后与竖直方向呈75°向右侧延伸。引线在引线延长区的长度为
0. 2mm。奇数行引线801 [1]、偶数行引线801 [2]左列引线801 [3]、右列引线801 [4]互不相 、-父。制备本实施例所述有机电致发光器件的引线的工艺步骤、测试工序与实施例2相 同，在此不再赘述。实施例2、3、4与实施例1的光刻工艺步骤相同，不过，因为引线的图形不同，所以光刻时使用的掩模板不同。根据实施例1至实施例4所述的引线结构，本发明采用新的掩模板，光刻出的引线 的图形与现有技术不同，分别将行列引线相互背离或相对延伸。本发明的引线设计增大了 行引线与列引线的间距，防止在屏体测试阶段将行列引线短路。行列引线进行了一定角度 的倾斜，与导电胶条的接触面积增大，单位面积的导电介质分担的电流负载减小，从而提高 了导电胶条的寿命。
采用本发明实施例1至实施例4的引线结构及测试方法，发明人用目前的测试、老炼工装成功对COG产品进行了测试与老炼，保证了高成品率。另外，因引线的末端位于引线延长区，即不在引线的末端进行邦定。这样一来，即使刻蚀引线时出现过刻蚀的现象，引线末端并没有被用到，从而保证了引线与芯片管脚的 良好接触，而且这种引线结构不增加工艺步骤。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此，本发明的保 护范围当以申请的专利范围所界定为准。
权利要求
一种有机电致发光器件，包括发光区、引线区、邦定区，发光区包括阳极、有机功能层、阴极；引线区由使阳极和阴极与驱动芯片或电路板连接的引线构成；邦定区为引线与驱动芯片或电路板连接的区域；还包括引线延长区，所述引线的末端位于引线延长区；其特征在于，引线延长区的引线与引线区的引线形成的角度大于0°且小于90°。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的引线与 引线区的引线形成的角度大于20°且小于80°。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的引线与 引线区的引线形成的角度为30°、45°、60°或75°。
4.根据权利要求1 3任一所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线采用单边 邦定，引线分别为奇数行引线、偶数行引线、左列引线、右列引线，列引线位于中部，奇数行 引线及偶数行引线分居列引线的两侧。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的左列引 线(401 [3])和右列引线(401 [4])朝相互背离的方向延伸，且不相交。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的奇数行 引线(401 [1])和偶数行引线(401[2])朝相对的方向延伸，且所述的左列引线(401[3])、右 列引线(401 [4])、奇数行引线(401 [1])、偶数行引线(401 [2])都不相交。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的奇数行 引线(501 [1])和偶数行引线(501 [2])朝互背离的方向延伸，且所述的左列引线(501 [3])、 右列引线(501 [4])、奇数行引线(501 [1])、偶数行引线(501 [2])都不相交。
8.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的左列引 线(701 [3])和右列引线(701 [4])朝相对的方向延伸，且不相交。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的奇数行 引线(701[1])和偶数行引线(701[2])朝相对的方向延伸，且所述的左列引线(701[3])、右 列引线(701 [4])、奇数行引线(701 [1])、偶数行引线(701 [2])都不相交。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区的奇 数行引线(801[1])和偶数行引线(801[2])朝相互背离的方向延伸，且所述的左列引线 (801 [3])、右列引线(801 [4])、奇数行引线(801 [1])、偶数行引线(801 [2])都不相交。
11.根据权利要求1 3任一所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区 的引线少于引线区的引线。
12.根据权利要求1 3任一所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述引线延长区 的引线长度为0. Imm 0. 5mm。
13.一种用于根据权利要求1至12任一项所述有机电致发光显示器件的测试方法，测 试步骤包括a)将待点亮行引线短路，将待点亮列引线短路；b)使步骤a)短路的行或列引线得到点亮电压；c)根据测试情况给出测试结果。
14.根据权利要求13所述的一种有机电致发光显示器件测试方法，其特征在于，所述步骤a)将所有奇数行引线短路，将所有偶数行引线短路，将所有列引线短路。
15.根据权利要求13所述的一种有机电致发光显示器件测试方法，其特征在于，所述步骤a)将所有行引线短路，将所有列引线短路。
16.根据权利要求13 15任一所述的一种有机电致发光显示器件测试方法，其特征在于，所述步骤a)采用导电材料连接需短路的引线。
17.根据权利要求16所述的一种有机电致发光显示器件测试方法，其特征在于，所述导电材料为金属薄膜或导电胶条。
全文摘要
本发明公开了一种有机电致发光器件及其测试方法，包括发光区、引线区、邦定区，发光区包括阳极、有机功能层、阴极；引线区由使阳极和阴极与驱动芯片或电路板连接的引线构成；邦定区为引线与驱动芯片或电路板连接的区域，还包括引线延长区，引线的末端位于引线延长区，引线延长区的引线与引线区的引线平行或呈一定角度。本发明改变OLED的引线设置，使导电胶条可以更容易、更精确地与引线压接，同时防止在屏体测试阶段将行列引线短路。
文档编号G01R31/00GK101800238SQ20101000023
公开日2010年8月11日 申请日期2010年5月20日 优先权日2009年6月5日
发明者孙剑, 彭兆基, 邱勇, 钟馨义 申请人:昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司