专利名称：感测装置以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及感测装置以及电子设备。
背景技术：
近年来，已开发出了多种传感器，并将它们搭载于各种系统和电子设备中。例如， 可举出使用搭载了加速度传感器、陀螺仪传感器、地磁传感器、温度传感器等的感测装置来检测物体姿势的系统等。一般的感测装置由包含多个传感器的传感器模块、微型计算机、ROM、RAM等构成。 在ROM中写入针对各传感器的参数(例如对传感器特性所引起的检测误差进行校正的校正参数等)，例如，在电源接通后的启动时等的初始化动作时，微型计算机从ROM中读出参数而写入RAM中。然后，微型计算机使用写入RAM中的参数，高速进行与各传感器相关联的各种处理(例如对传感器特性所引起的检测误差进行校正的处理等)。专利文献1日本特开2009-134071号公报但是，写入RAM中的参数可能会被噪声等破坏，当参数被破坏后，有时会在此后的感测装置的动作中发生问题。例如，当写入RAM中的校正参数被破坏后，有时会进行错误的校正处理，导致感测装置性能的劣化。

发明内容
本发明是鉴于以上问题而完成的，根据本发明的若干个方式，可提供能够降低因参数的破坏引起的性能劣化的感测装置以及电子设备。(1)本发明提供一种感测装置，该感测装置包含传感器；非易失性的第1存储器， 其存储有与所述传感器相关联的参数；第2存储器；存储器控制部，其在从所述第1存储器中读出所述参数而写入所述第2存储器中之后，按照给定的定时，执行从所述第1存储器中读出所述参数而改写所述第2存储器的刷新处理；以及处理部，其根据写入所述第2存储器中的所述参数，进行所述传感器的信号处理。与传感器相关联的参数例如是用于对传感器的偏移(零点偏移)进行校正的参数、用于对传感器的温度特性所引起的检测误差进行校正的参数等。存储器控制部进行刷新处理的给定定时可以是定期的定时(固定周期)，也可以是不定期的定时。处理部进行的传感器的信号处理例如是根据参数对传感器的检测值进行校正的
处理等。根据本发明的感测装置，通过刷新处理，利用存储在第1存储器中的参数对写入第2存储器中的参数进行改写，所以，即使写入第2存储器中的参数被破坏，在下次刷新处理后，处理部也能够进行正常的处理。因此，根据本发明的感测装置，能够降低因参数的破坏引起的性能劣化。例如，所述存储器控制部可以按照固定周期反复进行所述刷新处理。
这样，在写入第2存储器中的参数发生了数据破坏的情况下，能够将产生异常处理结果的期间收敛在刷新处理的一个周期以内。(2)可以是，该感测装置还包含寄存器部，所述存储器控制部从所述寄存器部接受与所述刷新处理的周期有关的刷新周期信息，按照与该刷新周期信息对应的周期进行所述刷新处理。这样，能够按照与感测装置的使用环境、要求精度等对应的恰当周期进行刷新处理。(3)可以是，该感测装置还包含输出部，该输出部向外部输出来自所述处理部的输出数据，所述刷新处理的周期为外部装置对所述输出数据进行采样的周期以下。这样，在写入第2存储器中的参数发生了数据破坏的情况下，能够将外部装置接受的异常数据限定为只有一个采样。(4)可以是，在该感测装置中，所述存储器控制部将所述传感器的检测值与给定阈值进行比较，根据比较结果进行所述刷新处理。例如，存储器控制部可以在传感器的检测值(或其绝对值)大于阈值的情况下 (或者大于等于阈值的情况下)，进行刷新处理，在传感器的检测值(或其绝对值)小于等于阈值的情况下(或者小于阈值的情况下)，不进行刷新处理。相反，存储器控制部也可以在传感器的检测值(或其绝对值)小于阈值的情况下(或者小于等于阈值的情况下)，进行刷新处理，在传感器的检测值(或其绝对值)大于等于阈值的情况下(或者大于阈值的情况下)，不进行刷新处理。这样，能够根据传感器的检测值对刷新处理的定时进行控制。例如，公认为在加速度传感器或角速度传感器等运动传感器的检测值比较大的情况下、即感测装置的移动量比较大的情况下，噪声也变大，所以，写入第2存储器中的参发生数据破坏的概率变高。因此， 在运动传感器的检测值(或其绝对值)大于阈值的情况下(或者大于等于阈值的情况下)， 进行刷新处理，由此，能够降低因参数的破坏引起的性能劣化。并且，在感测装置具有多个传感器的情况下，存储器控制部例如可以选择一个传感器，将该传感器的检测值(或其绝对值)与阈值进行比较。或者，存储器控制部例如也可以在多个传感器的检测值(或其绝对值)中的至少一个大于阈值的情况下(或者大于等于阈值的情况下)，进行刷新处理，在多个传感器的检测值(或其绝对值)全部小于等于阈值的情况下(或者小于阈值的情况下)，不进行刷新处理。相反，存储器控制部也可以在多个传感器的检测值(或其绝对值)中的至少一个小于阈值的情况下(或者小于等于阈值的情况下)，进行刷新处理，在多个传感器的检测值(或其绝对值)全部大于等于阈值的情况下 (或者大于阈值的情况下)，不进行刷新处理。(5)可以是，在该感测装置中，在所述比较结果为所述传感器的检测值大于所述阈值的状态持续给定时间的情况下，所述存储器控制部进行所述刷新处理。例如，存储器控制部可以在传感器的检测值(或其绝对值)大于阈值的状态(或者大于等于阈值的状态)持续给定时间时，进行刷新处理，如果在经过给定时间以前传感器的检测值(或其绝对值)小于等于阈值(或者小于阈值)，则不进行刷新处理。相反，存储器控制部也可以在传感器的检测值(或其绝对值)小于阈值的状态(或者小于等于阈值的状态)持续给定时间时，进行刷新处理，如果在经过给定时间以前传感器的检测值(或其绝对值)大于等于阈值(或者大于阈值)，则不进行刷新处理。(6)可以是，在该感测装置中，如果所述比较结果为第1比较结果，则所述存储器控制部开始所述刷新处理，并按照固定周期反复进行所述刷新处理，直到所述比较结果成为第2比较结果。例如，可以是，如果传感器的检测值(或其绝对值)大于阈值(或者大于等于阈值)，则存储器控制部开始刷新处理，并按照固定周期进行定期的刷新处理，直到传感器的检测值(或其绝对值)小于等于阈值(或者小于阈值)。相反，也可以是，如果传感器的检测值(或其绝对值)小于阈值(或者小于等于阈值)，则存储器控制部开始刷新处理，并按照固定周期进行定期的刷新处理，直到传感器的检测值(或其绝对值)大于等于阈值(或者大于阈值)。这样，能够根据传感器的检测值对进行定期的刷新处理的定时进行控制。并且，也可以使传感器的检测值与阈值的比较具有迟滞性。例如，可以是，如果传感器的检测值(或其绝对值)大于第1阈值(或者大于等于第1阈值)，则存储器控制部开始刷新处理，并按照固定周期进行定期的刷新处理，直到传感器的检测值(或其绝对值)小于等于第2阈值(或者小于第2阈值)。相反，也可以是，如果传感器的检测值(或其绝对值)小于第1阈值(或者小于等于第1阈值)，则存储器控制部开始刷新处理，并按照固定周期进行定期的刷新处理，直到传感器的检测值(或其绝对值)大于等于第2阈值(或者大于第2阈值)。(7)可以是，在该感测装置中，所述存储器控制部进行从所述第1存储器中读出所述参数并从所述第2存储器中读出所述参数而判定两者是否一致的判定处理，在不一致的情况下，进行所述刷新处理。这样，在第1存储器的参数与第2存储器的参数一致的情况下，不进行不必要的刷新处理，能够降低与存储器的存取相伴地产生的功耗。(8)可以是，在该感测装置中，所述第1存储器存储有多个所述参数，所述存储器控制部对所述多个参数中的至少一个参数进行所述判定处理，在发现了不一致的参数的情况下，不对剩余的参数进行所述判定处理，而是对全部参数进行所述刷新处理。这样，在第1存储器与第2存储器中发现了即使一个不一致的参数的时刻，不进行剩余参数的判定处理，所以，能够使判定处理高速化。(9)可以是，在该感测装置中，所述第1存储器存储有多个所述参数，所述存储器控制部对所述多个参数中的每一个参数进行所述判定处理，对不一致的参数进行所述刷新处理。这样，仅将第1存储器与第2存储器中不一致的参数作为刷新处理的对象，所以， 能够使刷新处理高速化，并降低与存储器的存取相伴地产生的功耗。(10)可以是，在该感测装置中，所述存储器控制部接受与是否许可所述刷新处理有关的刷新许可信息，在该刷新许可信息许可所述刷新处理的情况下，进行所述刷新处理。这样，能够对开启/关闭刷新功能的定时进行控制。(11)本发明提供包含上述任意一种感测装置的电子设备。


图1是示出本实施方式的感测装置的整体结构的图。图2是用于说明微型计算机和传感器模块的更加详细的结构的图。图3是示出本实施方式的感测装置中的数据生成处理的定时的一例的时序图。图4是示出第1实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。图5是示出第2实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。图6是示出第3实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。图7是示出第4实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。图8是示出第5实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。图9是示出第6实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。图10是示出本实施方式的电子设备的结构例的功能框图。标号说明1 感测装置；10 微型计算机；12 微型计算机的输出信号；20 传感器模块；22 传感器模块的输出信号；30 随机存取存储器(RAM) ；40 只读存储器(ROM) ；50 输入部； 60 输出部；62 感测装置的输出信号；70 电源生成部；80 总线；90 时钟信号；100 处理部；110 数据校正部；112 数据校正部的输出信号；120 数据运算部；130 存储器控制部； 140 寄存器部；142 刷新设定寄存器；200-1 N:传感器；210-1 N 模拟前端(AFE)； 220 模拟-数字转换器(ADC) ；300 主 CPU ；310 操作部；320 显示部；330 =ROM ；340 =RAM ； 350 通信部；400 感测装置；500 电子设备。
具体实施例方式下面，使用附图详细说明本发明的优选实施方式。另外，以下说明的实施方式并非不正当地限定权利要求书所记载的本发明的内容。并且，以下说明的全部结构并不都是本发明的必要结构要件。1.感测装置(1)第1实施方式[结构]图1是示出本实施方式的感测装置的整体结构的图。本实施方式的感测装置1构成为包含微型计算机10、传感器模块20、随机存取存储器(RAM) 30、只读存储器(ROM) 40、输入部50、输出部60以及电源生成部70。并且，这些结构要素经由总线80在彼此之间或在指定的方向上进行地址和数据等的输入输出。总线 80例如可以是1 总线或SPI Serial Peripheral Interface 串行外设接口)总线。另外，本实施方式的感测装置1也可以采用省略了图1的结构要素的一部分后的结构。RAM 30(第2存储器的一例)存储程序、各种参数、临时数据等。例如，临时存储微型计算机10所使用的程序和数据。RAM 30可以是易失性存储器，也可以是非易失性存储器，不过，优选的是能够以不使微型计算机10的性能劣化的程度进行高速存取的存储器。ROM 40 (第1存储器的一例)是非易失性存储器，存储感测装置1所需要的程序和各种参数。特别是在本实施方式中，在ROM 40中存储有与传感器模块20所包含的传感器相关联的参数(以下称为“传感器参数”)。作为该传感器参数，例如，可列举出用于对各传感器的偏移(零点偏移)进行校正的参数(偏移校正参数)、用于对各传感器的温度特性所引起的检测误差进行校正的参数(温度校正参数)等。例如，在感测装置1的出厂前进行的传感器的特性检查中，在ROM 40中分别写入上述传感器参数。存储在ROM 40中的程序和数据在感测装置1的初始化动作时(电源接通后的启动时等)被写入RAM 30中，微型计算机10使用写入RAM 30中的程序和数据进行各种处理。特别是在本实施方式中，在感测装置1的启动时，从ROM 40向RAM 30中写入传感器参数。如后所述，微型计算机10按照给定定时，利用存储在ROM 40中的传感器参数对已写入该RAM 30中的传感器参数进行改写(刷新)。输入部50受理来自感测装置1外部的输入。输出部60向感测装置1的外部输出信号。输出部60例如输出微型计算机10运算出的数据作为输出信号62。电源生成部70生成感测装置1所使用的电源。电源生成部70例如可构成为根据外部电源生成感测装置1的内部电源的调节器。图2是用于说明微型计算机10和传感器模块20的更加详细的结构的图。另外， 在图2中，对与图1相同的结构要素标注相同标号。如图2所示，在本实施方式中，传感器模块20和微型计算机10与公共的时钟信号 90同步地进行各自的处理。传感器模块20包含N个(N彡1)传感器200-1 N。传感器200-1 N分别检测规定的物理量。传感器200-1 N输出与检测到的物理量对应的模拟信号、例如与物理量的大小(或方向)对应的DC电压的信号(检测信号)。作为物理量，可列举出加速度、速度、角速度、压力、温度、湿度、磁力等。也可以构成为传感器200-1 N的一部分或全部检测相同种类的物理量。例如，可以由传感器200-1 3构成三轴陀螺仪传感器(角速度传感器)、由传感器200-4 6构成三轴加速度传感器、由传感器200-7构成温度传感器。并且，传感器模块20包含分别连接在传感器200-1 N的后级的N个模拟前端 (AFE) 210-1 N。AFE 210-1 N分别对传感器200-1 N的输出信号(检测信号)进行信号放大或滤波等处理。而且，传感器模块20包含连接在AFE 210_1 N的后级的模拟-数字转换器 (ADC) 220。ADC 220是逐次比较型的ADC,按顺序对AFE 210-1 N的输出信号进行采样， 并通过时间分割处理分别将它们转换为数字信号。即，ADC 220以时间分割的方式输出表示传感器200-1 N分别检测到的物理量的数字值(检测值)。该ADC220的输出信号作为传感器模块20的输出信号22被发送到微型计算机10。另外，在传感器模块20中，也可以构成为在AFE 210_1 N的后级分别连接N个 ADC,并行地向微型计算机10发送传感器200-1 N的检测值。微型计算机10包含处理部100。处理部100根据写入RAM 30中的η个(η彡1)
传感器参数1 η，进行与传感器200-1 N相关联的处理。例如，处理部100可以构成为包含数据校正部110和数据运算部120。数据校正部110接受传感器模块20输出的数字信号22 (ADC 220的输出信号，以时间分割的方式包含有传感器200-1 N的检测值)，使用写入RAM 30中的传感器参数1 η中的至少一部分，对传感器200-1 N的检测值进行校正。
具体而言，数据校正部110在内部具有未图示的循环计数器，根据其计数值判断数字信号22所包含的各检测值是传感器200-1 N中的哪一方的检测值。然后，数据校正部110使用传感器参数1 η的一部分或全部对传感器200-1 N的检测值进行校正。例如，数据校正部110通过在传感器200-1 N的检测值中加上或减去由N个偏移校正参数分别指定的值，从而对传感器200-1 N的偏移(零点偏移)进行校正。并且， 例如，数据校正部110使用由未图示的温度传感器得到的传感器200-1 N的周边温度和 N个温度校正参数，对传感器200-1 N的温度特性所引起的检测值误差进行校正。数据运算部120接受由数据校正部110校正后的数字信号112(按顺序以时间分割的方式包含有对传感器200-1 N的检测值进行校正后的N个检测值)，使用该校正后的N个检测值进行规定的数据运算处理。例如，在由传感器200-1 3构成三轴陀螺仪传感器(角速度传感器)、由传感器200-4 6构成三轴加速度传感器、传感器200-7为温度传感器的情况下，数据运算部120接受分别对三轴陀螺仪传感器检测到的角速度矢量和三轴加速度传感器检测到的加速度矢量进行校正后的角速度矢量和加速度矢量，进行计算感测装置1的姿势角和位置的处理。该数据运算部120的输出信号作为微型计算机10的输出信号12被发送到输出部60，进而作为输出信号62被输出到感测装置1的外部。并且，微型计算机10包含存储器控制部130。存储器控制部130在从ROM 40中读出传感器参数1 η而写入RAM 30中之后，按照给定的定时，执行从ROM 40中读出传感器参数1 η而改写RAM 30的处理(以下称为刷新处理)。而且，微型计算机10包含寄存器部140。寄存器部140包含各种设定寄存器，根据这些设定寄存器的设定值，对处理部100 (数据校正部110、数据运算部120等)和存储器控制部130的动作进行控制。特别是在本实施方式中，寄存器部140包含用于进行刷新处理的各种设定的刷新设定寄存器142。该刷新设定寄存器142构成为至少包含表示是否许可刷新处理(刷新功能的开启/关闭)的刷新许可比特位(刷新许可信息的一例)、以及表示刷新周期的刷新周期比特位(刷新周期信息的一例)。而且，存储器控制部130从寄存器部140接受刷新设定寄存器142的刷新许可比特位，在该刷新许可比特位许可刷新处理的情况下(刷新功能开启的情况下)，进行刷新处理。并且，存储器控制部130从寄存器部140接受刷新设定寄存器142的刷新周期比特位，按照与该刷新周期比特位对应的固定周期反复进行刷新处理。[数据生成定时]图3是示出本实施方式的感测装置中的数据生成处理的定时的一例的时序图。如图3所示，在时刻、 、，传感器模块20的输出信号22 (ADC 220的输出信号) 成为表示传感器200-1的检测值的数据AO1,在时刻、 t2，微型计算机10的数据校正部 110的输出信号112成为对数据AO1进行校正后的数据BO115并且，在时刻、 t2，传感器模块20的输出信号22成为表示传感器200-2的检测值的数据AO2,在时刻t2 t3，数据校正部110的输出信号112成为对数据AO2进行校正后的数据BO2。反复进行同样的处理，在时刻t3 t4，传感器模块20的输出信号22成为表示传感器200-N的检测值的数据A0N，在时刻t4 t5，数据校正部110的输出信号112成为对数据AOn进行校正后的数据B0N。在时刻t5 t8，微型计算机10的数据运算部120使用数据BO1 BOn进行规定的运算处理而生成数据⑶，微型计算机10的输出信号12成为数据CO。在时刻t6 t9，输出部60的输出信号62成为数据⑶，通过连接在感测装置1的后级的未图示的外部装置，在时刻t7处的外部采样时钟的上升沿对数据CO进行采样。同样，在时刻t4 t7，传感器模块20的输出信号22依次成为表示传感器200-1 N的检测值的数据Al1 A1n，在时刻t5 t8，数据校正部110的输出信号112依次成为分别对数据Al1 AIn进行校正后的数据Bl1 B1n。然后，在时刻t8 tn，微型计算机10的输出信号12成为数据Cl，在时刻t9 t12，输出部60的输出信号62成为数据Cl，在时刻t1(1 处的外部采样时钟的上升沿，通过外部装置对数据Cl进行采样。同样，在时刻t7 t1Q，传感器模块20的输出信号22依次成为表示传感器200-1 N的检测值的数据M1 A2N，在时刻t8 tn，数据校正部110的输出信号112依次成为分别对数据似 A 进行校正后的数据ΒΑ B2n。然后，在时刻tn t14，微型计算机10的输出信号12成为数据C2，在时刻t12 t15，输出部60的输出信号62成为数据C2，在时刻 t13处的外部采样时钟的上升沿，通过外部装置对数据C2进行采样。以后，对传感器200-1 N的检测值进行同样的处理。在图3的时序图中，在外部采样时钟的一个周期(外部采样周期)中，根据N个传感器200-1 N的检测值(例如AO1-AOn)生成一个数据(例如CO)。即，外部采样周期成为时钟信号90的周期的N倍。可以通过刷新设定寄存器142的刷新周期比特位将刷新周期设定为外部采样周期以下。例如，如果外部装置是以60Hz或120Hz进行显示画面的改写处理的装置、外部采样周期为1/60秒或1/120秒，则可以将刷新周期设定为1/60秒以下或1/120秒以下。[刷新处理]图4是示出第1实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。如图4所示，当感测装置1的电源接通后，存储器控制部130设定为k = 1 (步骤 S20)，从ROM 40中读出传感器参数k (步骤S30)，将读出的传感器参数k写入RAM30中(步骤 S40)。然后，逐一增加k(步骤S60)并反复进行步骤S30和S40的处理，直到成为k = η (直到步骤S50成为“是”)。当成为k = n时(步骤S50的“是”)，已在RAM 30中写入了传感器参数1 η。该步骤S20 S60的处理相当于RAM 30的初始化处理。接着，存储器控制部130根据刷新设定寄存器142的刷新许可比特位是0 (不许可)还是1 (许可)，判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。如果刷新功能开启(步骤S70的“是”)，则存储器控制部130开始计测由刷新设定寄存器142的刷新周期比特位设定的刷新周期T1 (步骤S80)。接着，存储器控制部130设定为k= 1(步骤S90)，从ROM 40中读出传感器参数 k (步骤S100)，将所读出的传感器参数k改写在RAM 30中(步骤S110)。然后，存储器控制部130逐一增加k (步骤S130)并反复进行步骤SlOO和SllO的处理，直到成为k = η (直到步骤S120成为“是”)。当成为k = η时(步骤S120的“是”)， 已在RAM 30中改写了传感器参数1 η。该步骤S90 S130的处理相当于刷新处理。如果经过了刷新周期T1 (步骤S140的“是”)且电源并未断开(步骤S150的“否”)， 则存储器控制部130再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。然后，如果刷新功能开启(步骤S70的“是”)，则存储器控制部130开始计测刷新周期T1 (步骤S80)，再次进行刷新处理(步骤S90 S130的处理)。以后，如果刷新功能开启(步骤S70的“是”)，则按照固定周期T1反复进行刷新处理(步骤S90 S130的处理)，直到电源断开(直到步骤S150成为“是”)。根据以上说明的第1实施方式的感测装置，通过刷新处理，利用存储在ROM 40中的传感器参数1 η对写入RAM 30中的传感器参数1 η进行改写，所以，即使写入RAM 30中的传感器参数被破坏，在下次刷新处理后，处理部100也能够进行正常的处理。因此， 根据第1实施方式的感测装置，能够降低因传感器参数的破坏引起的性能劣化。并且，根据第1实施方式的感测装置，按照固定周期T1反复进行刷新处理，由此， 在写入RAM 30中的传感器参数发生了数据破坏的情况下，能够将产生异常处理结果的期间收敛在刷新处理的一个周期T1以内。而且，根据第1实施方式的感测装置，通过变更刷新设定寄存器142的刷新周期比特位的设定值，能够按照与感测装置的使用环境、要求精度等对应的恰当周期进行刷新处理。例如，根据第1实施方式的感测装置，通过将刷新周期T1设定为外部采样周期以下，由此，在写入RAM 30中的传感器参数发生了数据破坏的情况下，能够将外部装置接受的异常数据限定为只有一个采样。(2)第2实施方式[结构]第2实施方式的感测装置的整体结构与图1相同，所以，省略其图示和说明。并且， 第2实施方式中的微型计算机10和传感器模块20的结构也与图2所示的结构相同，所以， 省略其图示和说明。但是，在第2实施方式中，存储器控制部130进行的刷新处理与第1实施方式不同，所以，仅说明该不同点。第2实施方式的存储器控制部130 Wk=I起按顺序进行从ROM 40中读出传感器参数k并从RAM 30中读出传感器参数k而判定两者是否一致的判定处理，在发现了不一致的传感器参数m的情况下，不对剩余的传感器参数m+1 η进行判定处理，而是对全部传感器参数1 η进行刷新处理。[刷新处理]图5是示出第2实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。在图5中，对进行与图 4相同的处理的步骤标注相同标号，省略或简化其说明。如图5所示，当感测装置1的电源接通后，存储器控制部130进行RAM 30的初始化处理(步骤S20 S60的处理)。接着，存储器控制部130判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)，如果是开启 (步骤S70的“是”)，则开始计测刷新周期T1 (步骤S80)。接着，存储器控制部130设定为k = 1 (步骤S81)，从ROM 40中读出传感器参数k (步骤S8》，进而，从RAM 30中读出传感器参数k (步骤S83)。然后，存储器控制部130判定从ROM 40中读出的传感器参数k与从RAM 30中读出的传感器参数k是否一致(步骤S84)，在两者一致的情况下(步骤S84的“是”)，如果并非k = η (步骤S85的“否”)，则使k增加1 (步骤S86)，再次进行步骤S82 S84的处理。如果在步骤S84的判定处理中只要发现了一个不一致(步骤S84的“否”)的传感器参数k，则存储器控制部130就将η个(全部)传感器参数1 η作为对象进行刷新处理 (步骤S90 S130的处理)。如果经过了刷新周期T1 (步骤S140的“是”)且电源并未断开(步骤S150的“否”)， 则存储器控制部130再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。另一方面，在步骤S84的判定处理中未发现不一致(步骤S84的“否”)的传感器参数k的情况下(步骤S85的“是”)，如果经过了刷新周期T1(步骤S140的“是”)且电源并未断开(步骤S150的“否”)，则存储器控制部130不进行刷新处理(步骤S90 S130的处理)，而是再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。以后，如果刷新功能开启(步骤S70的“是”)，则按照固定周期T1反复进行步骤 S84的判定处理以及不一致时的刷新处理(步骤S90 S130的处理)，直到电源断开(直到步骤S150成为“是”)。根据以上说明的第2实施方式的感测装置，只要写入RAM 30中的一个传感器参数被破坏，就要通过刷新处理，利用存储在ROM 40中的传感器参数1 η对全部传感器参数 1 η进行改写，所以，在刷新处理后，处理部100能够进行正常的处理。因此，根据第2实施方式的感测装置，能够降低因传感器参数的破坏引起的性能劣化。并且，根据第2实施方式的感测装置，在ROM 40的传感器参数与RAM 30的传感器参数一致的情况下，不进行不必要的刷新处理，能够降低与存储器的存取相伴地产生的功耗。而且，根据第2实施方式的感测装置，在ROM 40与RAM 30中发现了即使一个不一致的传感器参数的时刻，不进行剩余的传感器参数的判定处理，所以，能够使判定处理高速化。另外，省略与第1实施方式相同的效果的说明。(3)第3实施方式[结构]第3实施方式的感测装置的整体结构与图1相同，所以，省略其图示和说明。并且， 第3实施方式中的微型计算机10和传感器模块20的结构也与图2所示的结构相同，所以， 省略其图示和说明。但是，在第3实施方式中，存储器控制部130进行的刷新处理与第1实施方式不同，所以，仅说明该不同点。第3实施方式的存储器控制部130 Wk=I起按顺序进行从ROM 40中读出传感器参数k并从RAM 30中读出传感器参数k而判定两者是否一致的判定处理，仅对不一致的传感器参数k进行刷新处理。[刷新处理]图6是示出第3实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。在图6中，对进行与图 4或图5相同的处理的步骤标注相同标号，省略或简化其说明。
如图6所示，当感测装置1的电源接通后，存储器控制部130进行RAM 30的初始化处理(步骤S20 S60的处理)。接着，存储器控制部130判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)，如果是开启 (步骤S70的“是”)，则开始计测刷新周期T1 (步骤S80)。接着，存储器控制部130设定为k = 1 (步骤S81)，从ROM 40和RAM 30中读出传感器参数k (步骤S82、S8;3)，判定从ROM 40中读出的传感器参数k与从RAM30中读出的传感器参数k是否一致(步骤S84)。在这两者不一致的情况下(步骤S84的“否”)，在RAM 30中改写从ROM 40中读出的传感器参数k(步骤S110)。然后，存储器控制部130逐一增加k (步骤S130)并反复进行步骤S82 SllO的处理，直到成为k = η (直到步骤S120成为“是”)。当成为k = η后(步骤S120的“是”)， 在RAM 30中，仅对在步骤S84中判定为不一致的传感器参数进行了改写。如果经过了刷新周期T1 (步骤S140的“是”)且电源并未断开(步骤S150的“否”)， 则存储器控制部130再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。以后，如果刷新功能开启(步骤S70的“是”)，则按照固定周期T1反复进行刷新处理(步骤S81 S130的处理)，直到电源断开(直到步骤S150成为“是”)。根据以上说明的第3实施方式的感测装置，通过刷新处理，利用存储在ROM 40中的传感器参数对写入RAM 30中的传感器参数1 η中被破坏的全部传感器参数进行改写， 所以，在刷新处理后，处理部100能够进行正常的处理。因此，根据第3实施方式的感测装置，能够降低因传感器参数的破坏引起的性能劣化。并且，根据第3实施方式的感测装置，在ROM 40的传感器参数与RAM 30的传感器参数一致的情况下，不进行不必要的刷新处理，能够降低与存储器的存取相伴地产生的功
^^ ο而且，根据第3实施方式的感测装置，仅将ROM 40与RAM 30中不一致的传感器参数作为刷新处理的对象，所以，能够使刷新处理高速化，并降低与存储器的存取相伴地产生的功耗。另外，省略与第1实施方式相同的效果的说明。(4)第4实施方式[结构]第4实施方式的感测装置的整体结构与图1相同，所以，省略其图示和说明。并且， 第4实施方式中的微型计算机10和传感器模块20的结构也与图2所示的结构相同，所以， 省略其图示和说明。但是，在第4实施方式中，存储器控制部130进行的刷新处理与第1实施方式不同，所以，仅说明该不同点。第4实施方式的存储器控制部130将传感器200-1 N的检测值的绝对值与给定阈值进行比较，根据比较结果进行刷新处理。具体而言，在传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于阈值的情况下，存储器控制部130进行刷新处理。并且，在第4实施方式中，刷新设定寄存器142构成为至少包含刷新许可比特位、 以及表示与传感器200-1 N的检测值进行比较的阈值的阈值比特位。[刷新处理]图7是示出第4实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。在图7中，对进行与图4相同的处理的步骤标注相同标号，省略或简化其说明。如图7所示，当感测装置1的电源接通后，存储器控制部130进行RAM 30的初始化处理(步骤S20 S60的处理)。接着，存储器控制部130判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)，如果是开启 (步骤S70的“是”)，则判定传感器模块20的输出信号22所包含的传感器200-1 N的各检测值的绝对值是否大于由刷新设定寄存器142的阈值比特位设定的阈值(步骤S74)。在传感器200-1 N的检测值的绝对值全部小于等于阈值的情况下(步骤S74的 “否”)，如果电源并未断开(步骤S150的“否”)，则存储器控制部130再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。另一方面，在传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于阈值的情况下(步骤S74的“是”)，存储器控制部130进行刷新处理(步骤S90 S130的处理)。然后，如果电源并未断开(步骤S150的“否”)，则存储器控制部130再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。以后，如果刷新功能开启(步骤S70的“是”)，则反复进行步骤S74的判定处理以及传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于阈值时的刷新处理(步骤 S90 S130的处理)，直到电源断开(直到步骤S150成为“是”)。根据以上说明的第4实施方式的感测装置，如果按顺序周期性地出现在传感器模块20的输出信号22中的传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于阈值，则通过刷新处理，利用存储在ROM 40中的传感器参数对写入RAM 30中的全部传感器参数1 η进行改写，所以，在刷新处理后，处理部100能够进行正常的处理。因此，根据第4 实施方式的感测装置，能够降低因传感器参数的破坏引起的性能劣化。并且，根据第4实施方式的感测装置，能够根据传感器200-1 N的检测值对刷新处理的定时进行控制。例如，如果传感器200-1 N为加速度传感器或角速度传感器等运动传感器，则公认为在其检测值比较大的情况下、即感测装置的移动量比较大的情况下，噪声也变大，所以，写入RAM 30中的传感器参数发生数据破坏的概率变高。因此，通过在运动传感器的检测值的绝对值大于阈值的情况下进行刷新处理，能够降低因传感器参数的破坏引起的性能劣化。另外，省略与第1实施方式相同的效果的说明。(5)第5实施方式[结构]第5实施方式的感测装置的整体结构与图1相同，所以，省略其图示和说明。并且， 第5实施方式中的微型计算机10和传感器模块20的结构也与图2所示的结构相同，所以， 省略其图示和说明。但是，在第5实施方式中，存储器控制部130进行的刷新处理与第1实施方式不同，所以，仅说明该不同点。第5实施方式的存储器控制部130将传感器200-1 N的检测值的绝对值与给定阈值进行比较，根据整个给定时间中的比较结果进行刷新处理。具体而言，在传感器 200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于阈值的状态持续了给定时间时，存储器控制部130进行刷新处理。并且，在第5实施方式中，刷新设定寄存器142构成为至少包含刷新许可比特位、
13阈值比特位、以及表示将传感器200-1 N的检测值的绝对值与阈值进行比较的时间的比较时间比特位。[刷新处理]图8是示出第5实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。在图8中，对进行与图 7相同的处理的步骤标注相同标号，省略或简化其说明。如图8所示，当感测装置1的电源接通后，存储器控制部130进行RAM 30的初始化处理(步骤S20 S60的处理)。接着，存储器控制部130判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)，如果是开启 (步骤S70的“是”)，则开始计测由刷新设定寄存器142的比较时间比特位设定的比较时间 T2 (步骤 S72)。接着，存储器控制部130判定传感器模块20的输出信号22所包含的传感器 200-1 N的各检测值的绝对值是否大于阈值(步骤S74)。在经过比较时间T2以前(步骤S76成为“是”以前)，传感器200-1 N的检测值的绝对值全部小于等于阈值的情况下(步骤S74的“否”)，如果电源并未断开(步骤S150 的“否”)，则存储器控制部130再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。另一方面，在经过比较时间T2以前(步骤S76成为“是”以前)，传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于阈值的情况下(步骤S74的“是”)，存储器控制部130进行刷新处理(步骤S90 S130的处理)。然后，如果电源并未断开(步骤S150 的“否”)，则存储器控制部130再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。以后，如果刷新功能开启(步骤S70的“是”)，则在传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于阈值的状态持续了比较时间T2时，反复进行刷新处理(步骤S90 S130的处理)，直到电源断开(直到步骤S150成为“是”)。根据以上说明的第5实施方式的感测装置，如果按顺序周期性地出现在传感器模块20的输出信号22中的传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于阈值的状态持续了比较时间T2以上，则通过刷新处理，利用存储在ROM 40中的传感器参数对写入RAM 30中的全部传感器参数1 η进行改写，所以，在刷新处理后，处理部100能够进行正常的处理。因此，根据第5实施方式的感测装置，能够降低因传感器参数的破坏引起的性能劣化。另外，省略与第1实施方式或第4实施方式相同的效果的说明。(6)第6实施方式[结构]第6实施方式的感测装置的整体结构与图1相同，所以，省略其图示和说明。并且， 第6实施方式中的微型计算机10和传感器模块20的结构也与图2所示的结构相同，所以， 省略其图示和说明。但是，在第6实施方式中，存储器控制部130进行的刷新处理与第1实施方式不同，所以，仅说明该不同点。第6实施方式的存储器控制部130将传感器200-1 N的检测值的绝对值与给定阈值进行比较，如果比较结果为第1比较结果，则开始刷新处理，并按照固定周期反复进行刷新处理，直到比较结果成为第2比较结果。具体而言，在传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于第1阈值(第1比较结果的一例)的情况下，存储器控制部
14130开始刷新处理，并按照固定周期反复进行刷新处理，直到传感器200-1 N的检测值的绝对值全部小于第2阈值(第2比较结果的一例)。这里，第1阈值和第2阈值可以是相同的值，也可以是不同的值。例如，通过使第2阈值小于第1阈值，能够使传感器参数1 η的定期的刷新处理的开始条件与停止条件的判定具有迟滞性。并且，在第6实施方式中，刷新设定寄存器142构成为至少包含刷新许可比特位、 刷新周期比特位、表示与传感器200-1 N的检测值的绝对值进行比较的第1阈值的第1 阈值比特位、以及表示与传感器200-1 N的检测值进行比较的第2阈值的第2阈值比特位。[刷新处理]图9是示出第6实施方式中的刷新处理的步骤的流程图。在图9中，对进行与图 4或图7相同的处理的步骤标注相同标号，省略或简化其说明。如图9所示，当感测装置1的电源接通后，存储器控制部130进行RAM 30的初始化处理(步骤S20 S60的处理)。接着，存储器控制部130判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)，如果是开启 (步骤S70的“是”)，则判定传感器模块20的输出信号22所包含的传感器200-1 N的各检测值的绝对值是否大于由刷新设定寄存器142的第1阈值比特位设定的第1阈值(步骤 S78)。在传感器200-1 N的检测值的绝对值全部小于等于第1阈值的情况下(步骤 S78的“否”)，如果电源并未断开(步骤S150的“否”)，则存储器控制部130再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。另一方面，在传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于第1 阈值的情况下(步骤S78的“是”)，存储器控制部130开始计测刷新周期T1 (步骤S80)，进行刷新处理(步骤S90 S130的处理)。接着，存储器控制部130判定传感器模块20的输出信号22所包含的传感器 200-1 N的各检测值的绝对值是否小于由刷新设定寄存器142的第2阈值比特位设定的第2阈值(步骤S132)。在经过刷新周期T1以前(步骤S140成为“是”以前)，传感器200-1 N的检测值的绝对值全部小于第2阈值(步骤S132的“是”)的情况下，如果电源并未断开(步骤 S150的“否”)，则存储器控制部130再次判定刷新功能是开启还是关闭(步骤S70)。另一方面，在经过刷新周期T1以前(步骤S140成为“是”以前)，传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于第2阈值的情况下(步骤S132的“否”)，存储器控制部130开始计测刷新周期T1 (步骤S80)，再次进行刷新处理(步骤S90 S130的处理)。以后，如果刷新功能开启(步骤S70的“是”)，则每当传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于第1阈值时，在传感器200-1 N的检测值的绝对值全部小于第2阈值以前，按照固定周期T1反复进行刷新处理(步骤S90 S130的处理)，直到电源断开(直到步骤S150成为“是”)。根据以上说明的第6实施方式的感测装置，如果按顺序周期性地出现在传感器模块20的输出信号22中的传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于第1阈值，则通过刷新处理，利用存储在ROM 40中的传感器参数对写入RAM 30中的全部传感器参数1 η进行改写，所以，在刷新处理后，处理部100能够进行正常的处理。因此，根据第6实施方式的感测装置，能够降低因传感器参数的破坏而引起的性能劣化。并且，根据第6实施方式的感测装置，能够在从传感器200-1 N的检测值的绝对值中的至少一个绝对值大于第1阈值起、到传感器200-1 N的检测值的绝对值全部小于第2阈值为止的期间，进行定期的刷新处理。另外，省略与第1实施方式或第4实施方式相同的效果的说明。2.电子设备图10是示出本实施方式的包含感测装置的电子设备的结构例的功能框图。本实施方式的电子设备500构成为包含感测装置400、主CPU 300、操作部310、显示部320、 ROM (Read Only Memory) 330、RAM (Random Access Memory) 340、以及通信部 350。主CPU (微型计算机)300根据存储在ROM 330中的程序进行各种计算处理和控制处理。具体而言，主CPU 300对感测装置400发送各种控制命令而控制感测装置400的动作，并从感测装置400接受数据而进行各种计算处理。并且，主CPU 300进行与来自操作部 310的操作信号对应的各种处理、发送用于使显示部320显示各种信息的显示信号的处理、 以及控制通信部350以便与外部进行数据通信的处理等。操作部310是由操作键或按钮开关等构成的输入装置，向主CPU 300输出与用户操作对应的操作信号。显示部320是由LCD (Liquid Crystal Display)等构成的显示装置，根据从主 CPU300输入的显示信号显示各种信息(例如导航信息等)ROM 330存储有用于主CPU 300进行各种计算处理和控制处理的程序、各种应用程序和数据等(例如用于进行导航、姿势控制的程序和数据等)。RAM 340被用作主CPU 300的作业区域，临时存储从ROM 330中读出的程序、数据、 从操作部310输入的数据、主CPU 300根据各种程序执行的运算结果等。通信部350进行用于建立CPU 300与外部装置之间的数据通信的各种控制。感测装置400例如是上述第1 第6实施方式的感测装置中的任意一方，按照给定定时，利用内部ROM的传感器参数对感测装置400的内部RAM的传感器参数进行改写。通过组入该感测装置400，能够实现可靠性更高的电子设备。另外，作为电子设备500，可列举出游戏控制器、三维鼠标等输入设备、无线电控制直升飞机等玩具、机器人、导航装置、便携电话机、移动电脑等各种电子设备。另外，本发明不限于本实施方式，可在本发明主旨的范围内实施各种变形。例如，只要不矛盾，可以变形为任意组合了第2 第6实施方式后的传感器装置。例如，可以变形为如下的传感器装置将第4 第6实施方式中的任意一种刷新处理置换为第2 实施方式或第3实施方式中的RAM 30和ROM 40的传感器参数的一致判定处理和刷新处理。本发明包含与实施方式中说明的结构实质上相同的结构(例如功能、方法和结果相同的结构、或者目的和效果相同的结构)。并且，本发明包含对实施方式中说明的结构的非本质部分进行置换后的结构。并且，本发明包含能够发挥与实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或达到相同目的的结构。并且，本发明包含对实施方式中说明的结构添加了公知技术后的结构。
权利要求
1.一种感测装置，该感测装置包含传感器；非易失性的第1存储器，其存储有与所述传感器相关联的参数；第2存储器；存储器控制部，其在从所述第1存储器中读出所述参数而写入所述第2存储器中之后， 按照给定的定时，执行从所述第1存储器中读出所述参数而改写所述第2存储器的刷新处理；以及处理部，其根据写入所述第2存储器中的所述参数，进行所述传感器的信号处理。
2.根据权利要求1所述的感测装置，其中，所述感测装置还包含寄存器部，所述存储器控制部从所述寄存器部接受与所述刷新处理的周期有关的刷新周期信息， 按照与该刷新周期信息对应的周期进行所述刷新处理。
3.根据权利要求2所述的感测装置，其中，所述感测装置还包含输出部，该输出部向外部输出来自所述处理部的输出数据，所述刷新处理的周期为外部装置对所述输出数据进行采样的周期以下。
4.根据权利要求1所述的感测装置，其中，所述存储器控制部将所述传感器的检测值与给定阈值进行比较，根据比较结果进行所述刷新处理。
5.根据权利要求4所述的感测装置，其中，在所述比较结果为所述传感器的检测值大于所述阈值的状态持续给定时间的情况下， 所述存储器控制部进行所述刷新处理。
6.根据权利要求4所述的感测装置，其中，如果所述比较结果为第1比较结果，则所述存储器控制部开始所述刷新处理，并按照固定周期反复进行所述刷新处理，直到所述比较结果成为第2比较结果。
7.根据权利要求1所述的感测装置，其中，所述存储器控制部进行从所述第1存储器中读出所述参数并从所述第2存储器中读出所述参数而判定两者是否一致的判定处理，在不一致的情况下，进行所述刷新处理。
8.根据权利要求7所述的感测装置，其中，所述第1存储器存储有多个所述参数，所述存储器控制部对所述多个参数中的至少一个参数进行所述判定处理，在发现了不一致的参数的情况下，不对剩余的参数进行所述判定处理，而是对全部参数进行所述刷新处理。
9.根据权利要求7所述的感测装置，其中，所述第1存储器存储有多个所述参数，所述存储器控制部对所述多个参数中的每一个参数进行所述判定处理，对不一致的参数进行所述刷新处理。
10.根据权利要求1 9中的任一项所述的感测装置，其中，所述存储器控制部接受与是否许可所述刷新处理有关的刷新许可信息，在该刷新许可信息许可所述刷新处理的情况下，进行所述刷新处理。
11.一种电子设备，该电子设备包含根据权利要求1 10中的任一项所述的感测装置。
全文摘要
本发明提供感测装置以及电子设备，能够降低因参数的破坏引起的性能劣化。ROM(40)存储有与传感器(200-1～N(N≥1))相关联的参数(传感器参数1～n(n≥1))。存储器控制部(130)在从ROM(40)中读出传感器参数(1～n)而写入RAM(30)中之后，按照给定的定时，执行从ROM(40)中读出传感器参数而改写RAM(30)的刷新处理。处理部(100)根据写入RAM(30)中的传感器参数(1～n)，进行传感器(200-1～N)的信号处理。
文档编号G01D18/00GK102346050SQ201110212079
公开日2012年2月8日 申请日期2011年7月27日 优先权日2010年7月30日
发明者茅野岳人 申请人:精工爱普生株式会社