专利名称：用于具有集成rf发送放大器的mri的梯度线圈组件的制作方法
用于具有集成RF发送放大器的MRI的梯度线圈组件以下涉及磁共振技术，并且将在磁共振成像、磁共振光谱学以及相关应用中具有示例性应用。典型的磁共振系统包括在轴或“ζ”方向上生成静态(Btl)磁场的圆柱形主磁体，以及包括介质线圈架(former)的大体圆柱形的梯度线圈组件，介质线圈架支撑各种导体绕组，各种导体绕组配置为将选择的磁场梯度叠加到静态(Btl)磁场上。设置于介质线圈架中或介质线圈架上的冷却管线(line)对梯度线圈组件进行冷却。典型地，水用作冷却剂流体。待检查的对象设置于孔中，孔典型地定义为由主磁体/梯度线圈组件系统围绕的体积。在一些磁共振系统配置中，采用诸如鸟笼线圈的“整体”射频线圈、横电磁(TEM) 线圈等。整体射频线圈典型地是大体圆柱形的，虽然有时与正圆柱存在一些偏离，诸如在具有与对象支撑体对准的平面部分的“D”形整体线圈中。如于此使用的，术语“大体圆柱形的” 涵盖与圆横截面偏离，诸如在“D”形整体线圈中。鸟笼或TEM线圈包括轴向取向的导体，即围绕孔布置的所谓的“杆(rod) ”或“辐条(rung)”，并且大体圆柱形的射频屏蔽物围绕杆或辐条。在鸟笼线圈配置中，端环在线圈的相对端与辐条连接，形成导电“网”回路。在TEM配置中，杆的相对端连接至射频屏蔽物，限定电流回路，该回路并入了射频屏蔽物作为电流返回路径。以磁共振频率驱动整体射频线圈以生成被调谐为在对象中激发磁共振的射频电磁场，该射频电磁场有时称作B1场。驱动输入能够具有各种配置。在正交驱动模式中，使用的两个驱动输入具有90°的相位偏移，并且整体线圈配置为限定体共振器，该体共振器在孔体积的检查区部分中生成基本均勻的A场。在多元件发送(transmit)模式中，由不同的驱动输入来独立地驱动杆或辐条，或杆或辐条的选择的组，并且杆或辐条(或杆或辐条的选择的组)被配置为彼此解耦(decoupled)。在多元件发送模式中，解耦的且分开地驱动的杆或辐条(或杆或辐条的χ选择的组)设计为共同在孔体积的检查区部分中生成均勻的或其它的选择Bl场分布。一些多元件配置考虑对象负载效应并对对象负载效应进行校正，使得在对象装载于检查区中时，检查区部分中的生成的&场分布均勻。使用整体射频线圈用于磁共振激发具有某些优点。大体圆柱形的整体射频线圈有效地利用孔空间。杆或辐条能够是安装于介质线圈架上或固定于磁共振系统的其它部件的分离导电元件，或者杆或辐条能够是设置于介质线圈架上的导电带线或传输线。类似地，射频屏蔽物能够采取导电网或屏的形式，导电网或屏形成为设置于介质线圈架上的导电膜或分离元件。然而，用于驱动整体射频线圈的射频发送电子器件迄今是具有问题的。在多元件配置中，N个独立驱动的杆或辐条(或杆或辐条的N个独立驱动的组)由对应的N个驱动输入通道驱动。如果在多元件配置的某些发送通道之间存在已知的相位关系，则通过使用合适的射频分割(splitting)以及相位和/或幅度变换电路，可以减小驱动输入通道的数量。对于正交配置，使用相位偏移为90°的两个驱动输入通道。在一些正交驱动配置中，结合射频分割和90°相移电路使用单个驱动输入通道。
总之，在1和N个独立的驱动输入通道之间。此外，由于在发送模式中操作整体射频线圈所需的高射频功率，典型地使用多倍功率放大器来实施每个驱动输入通道。每个功率放大器典型地包括一个或多个功率MOSFET器件和诸如匹配部件、电容器、射频扼流器等的附加射频电路。这些高功率放大器生成很多热并且需要专用的散热，诸如具有主动水冷却管线的铜热沉块。即使利用合适的散热，高功率MOSFET器件也易于偶尔失效，特别是在对人成像对象提供高吞吐量的临床磁共振设定中。在典型的装置中，功率放大器安装在电子搁架(rack)上或主磁体/梯度线圈组件附近的其它位置，并且同轴电缆连接功率放大器与整体射频线圈。功率放大器位于主磁体/ 梯度线圈组件和孔空间外部，并且因此对于更换失效的放大器单元是方便的。外部安装的功率放大器因此易于配置有水冷却。然而，这些存在的装置具有大量缺陷。同轴电缆连接放大器与整体射频线圈应当设计为确保正确幅度和相位的射频功率施加于整体射频线圈的每个驱动输入通道。这对于同轴电缆的长度施加了严格的约束，并且另外，射频扼流器被插入到共轴电缆中以抑制不期望的电流流动。相位或幅度误差能够不利地影响仏场分布，并且在多元件配置中能够引入名义解耦的杆或辐条的寄生耦合，导致B1场分布的进一步退化。功率放大器搁架和关联的同轴电缆应当受到良好屏蔽。屏蔽物中的间隙或其它缺陷能够导致射频干扰，射频干扰能够不利地影响获取的磁共振数据和/或能够干扰其它电子器件。此外，功率放大器搁架和关联的同轴电缆占据磁共振设备中有价值的空间，并且电缆能够干扰放射线学者或其它医学人员的自由移动。功率放大器搁架的主动水冷却系统是另一缺点，因为此附加机械系统易于偶尔失效。以下提供新的和改进的设备和方法，该设备和方法克服了以上提到的问题和其它问题。根据一个公开的方面，一种磁场梯度线圈组件，包括结构线圈架；一个或多个磁场梯度线圈，被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中；冷却导管，被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中，并被配置为使冷却流体流动，以去除所述一个或多个磁场梯度线圈生成的热；以及射频功率放大器，被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中。根据另一公开的方面，一种磁共振部件组件包括大体圆柱形的磁场梯度线圈组件、大体圆柱形的射频线圈或线圈阵列、以及多个射频功率放大器。所述大体圆柱形的磁场梯度线圈组件包括限定轴方向的大体圆柱形的介质线圈架；和一个或多个磁场梯度线圈，被设置于所述大体圆柱形的介质线圈架上或所述大体圆柱形的介质线圈架中；冷却导管，被设置于所述大体圆柱形的介质线圈架上或所述大体圆柱形的介质线圈架中，并被配置为使冷却流体流动，以去除所述一个或多个磁场梯度线圈生成的热。所述大体圆柱形的射频线圈或线圈阵列被与所述大体圆柱形的磁场梯度线圈组件同轴设置。所述多个射频功率放大器被设置于所述大体圆柱形的介质线圈架上或所述大体圆柱形的介质线圈架中，并且被可操作地连接，以驱动所述大体圆柱形的射频线圈或线圈阵列。一个优点在于更紧凑的磁共振系统。另一优点在于对大功率射频信号的减小的传输长度以及同时减小生成射频干扰的可能性。
另一优点在于减小了射频电缆的长度。另一优点在于整体射频线圈的驱动输入通道中的更精确的幅度和相位控制。另一优点在于减小了磁共振设施中采用的主动流体冷却系统的数量。对于本领域技术人员来说，在阅读并理解以下详细描述后，进一步的优点将是明显的

图1示意性地示出了包括主磁体、射频线圈、以及具有集成有源射频功率放大器的磁场梯度线圈组件的磁共振系统；图2示意性地示出了包括具有至少一个集成有源射频功率放大器的磁场梯度线圈组件的磁共振部件组件；图3示意性地示出了包括具有水冷却和多个集成有源射频功率放大器的圆柱形磁场梯度线圈组件的磁共振部件组件的端视图；图4示意性地示出了包括具有水冷却和多个集成有源射频功率放大器且具有“D” 形状的大体圆柱形的磁场梯度线圈组件的磁共振部件组件的端视图；图5示意性地示出了包括具有至少一个端安装的模块化集成有源射频功率放大器的磁场梯度线圈组件的磁共振部件组件；图6示意性地示出了集成有源射频发送/接受放大器的示意图；各附图中使用的对应参考数字表示附图中对应的元件。参照图1，磁共振系统包括大体圆柱形的主磁体10，主磁体10配置为在由磁体10 限定的大体圆柱形的孔区域12中生成静态(Btl)磁场。主磁体10由静态磁体电源14驱动， 并且可以是电阻主磁体或超导主磁体。梯度线圈组件包括结构线圈架20，结构线圈架20 优选地为大体圆柱形的介质线圈架，结构线圈架20 (i)在内表面上或内表面附近支撑一个或多个初级磁场梯度线圈22 ；以及(ii)在外表面上或外表面附近支撑一个或多个屏蔽磁场梯度线圈对。梯度线圈22、24由梯度放大器沈驱动，以在静态(Btl)磁场上叠加选择的磁场梯度。该梯度被以本领域已知的各种方式使用，诸如对磁共振进行空间编码、扰乱磁共振、空间地限制磁共振激发于选择的切片或其它几何区等。磁共振系统还包括整体射频线圈30。示例的射频线圈配置为包括辐条32和端环 34的鸟笼线圈，并在以正交模式操作时限定体共振器。Rf限定屏蔽物(未示出)典型地围绕鸟笼线圈。在其它实施例中，整体射频线圈可以是横电磁(TEM)线圈，其中，省去了端环并且辐条(在TEM配置中典型地称作“杆”)在它们的末端连接至射频(rf)屏蔽物以限定电流返回路径。TEM线圈也限定体共振器。在另一实施例中，杆或辐条，或杆或辐条的选择的组，电解耦并且被独立地驱动以限定发送阵列。图1中示例的磁场梯度线圈组件20、22、M是在大体圆柱形的结构线圈架20的轴中心附近具有间隙或凹陷的分割(split)梯度线圈。描述了一些合适的分割梯度线圈， 例如，在2008年10月16日公开的国际专利申请W02008/122899A1中。示例的介质线圈架20具有圆环凹陷形式的间隙，该间隙未完全分割线圈架。在另一实施例中，间隙可以将介质线圈架完全分割成两半，该两半通过延伸越过间隙的拉条(brace)固定于一起，如 W02008/122899A1 中所公开的。示例的分割梯度线圈组件20、22、M的间隙容纳一个或多个射频功率放大器，诸如示例的功率放大器40、42。每个功率放大器包括一个或多个电功率放大器器件，诸如一个或多个功率MOSFET晶体管44，它们配置为驱动射频线圈30或其选择的发送器阵列部分。 铜热沉46或其它散热(heat sinking)材料或材料配置提供用于单个MOSFET晶体管或多个MOSFET晶体管44的散热。虽然图1中未示出，但是MOSFET晶体管44典型地安装在印刷电路板(PCB)上，印刷电路板包括电连接电路以及可选地其它电部件，诸如rf扼流器、PIN 二极管开关、滤波器电路、去谐电路等，它们互联以限定用于驱动发送射频线圈的合适的功率放大器电路配置。在一些实施例中，金属核印刷电路板(MCPCB)用于在电路部件(诸如示例的MOSFET功率晶体管44)和热沉46之间提供有效的热连通。功率放大器40、42可选地受到屏蔽(未示出)，以抑制射频干扰，特别是如果功率放大器具有采用开关放大器的D 或E级配置时。功率放大器40、42能够以各种方式固定于结构线圈架20的间隙中，诸如通过机械弹簧、焊接连接等。如果使用机械弹簧或其它易拆卸的连接，则易于拆除功率放大器 40、42以进行修理或更换。与功率放大器设置于外部例如在电子搁架中的常规布置相比，将功率放大器40、 42放置在梯度线圈组件20、22、M上或中具有某些优点。例如，用于将安装有梯度线圈组件的功率放大器40、42生成的射频功率注入到整体射频线圈30中的耦合距离缩短了。在图 1中，功率放大器40、42在最近的辐条32的中点耦合到整体射频线圈30中，例如通过将射频功率输出端子连接于插入到辐条中的电容器上。将功率放大器40、42安装于梯度线圈组件上或中的另一优点是，能够分接或延伸 (extend)梯度线圈组件的水冷却，以提供用于功率放大器40、42的热沉46的水冷却。梯度线圈组件20、22、M由冷却剂流体再循环器50主动冷却，该再循环器使水流过通过结构线圈架20的铜管52 (或其它合适的冷却剂流体导管)。代替使用水作为冷却剂流体，也可以考虑Freon 、液氮、压缩空气或其它冷却剂流体。附加的铜管道(piping) M使一些冷却剂流体转向以贴近(proximate)或通过热沉46流动，用于去除射频功率放大器40、42生成的热。注意在图1中，使用虚线示出了流动冷却剂流体的铜管道。还应当理解，能够可选地通过开放式装置来替换冷却剂流体再循环器50，在该开放式装置中，冷却剂流体不进行再循环。例如，在压缩空气系统中，压缩机可以将压缩空气注入到通过梯度线圈的介质线圈架的冷却剂导管中，并且导管(conduit)的出口可以连接至合适的排出口。将功率放大器40、42安装于梯度线圈组件上或中的另一优点是，减小了射频干扰 (rfi)的可能性(potential)。在图1中示例的实施例中，功率放大器40、42由直流(d. c) 电源60供电。替代地，能够使用诸如50Hz或60Hz交流(a. c)的低频电源。在图1中，使用长虚线示例了电缆连接电源60与功率放大器40、42。电源60不产生a. c分量(忽视任何纹波电流等)，而如果50Hz或60Hz a. c.电源产生rfi的话，则仅在远离磁共振频率的低频谐波产生rfi。使用射频发送控制器62合适地提供对功率放大器40、42的控制，射频发送控制器62可选地可以为数字射频发送控制器，其输出被经由光纤64传送至功率放大器 40,42的光学控制信号(图1中使用双点划线(dot-dot-dash line)示例)。这些光学信号有利地不产生rfi。将功率放大器40、42安装于梯度线圈组件上或中的另一优点包括更紧凑的磁共振系统；消除电子器件搁架和磁共振系统之间的rf电缆；以及归因于较短的良好限定的rf 电缆路径长度，整体射频线圈40的驱动输入通道中的更精确的幅度和相位控制。图1的装置的缺点是用于冷却功率放大器40、42的冷却剂管线M分接(tap off)于冷却梯度线圈22、24的冷却剂管线52。此装置具有在梯度线圈22J4上产生温度梯度的可能性。参照图2，修改的介质结构线圈架70具有流体入口和出口总管72、74，流体入口和出口总管72、74将冷却剂流体传送到冷却剂路径76中和外用于冷却梯度线圈22、24，以及将冷却剂流体传送到分开的冷却剂路径78中用于冷却热沉46。在图1和2的实施例中，还配置为去除由射频功率放大器生成的热的冷却导管M、78通过热沉46。然而，在其它实施例中，还可以考虑放大器冷却剂管线贴近热沉通过而不穿过热沉，以去除射频功率放大器生成的热。在该实施例中，冷却剂管线应当足够贴近热沉，以提供对去除功率放大器生成的热有效的从热沉至冷却剂管线的热传递。参照图3，在一些实施例中，整体射频线圈是多元件线圈阵列。图3示出了圆柱形介质结构线圈架90的端视图，该线圈架通过冷却剂线92支撑冷却的梯度线圈(图3中未示出)。发送线圈阵列包括彼此去耦的七个有源发送线圈组件94。每个有源发送线圈组件 94包括杆或辐条96 (图3中“在末端(on-end)，，观察)和集成功率放大器98，集成功率放大器98安装于圆柱介质线圈架90的端部上且被可操作地(operatively)耦合以在发送模式中驱动杆或辐条96。介质结构线圈架90中的合适的冷却剂流体支线或设计的冷却剂流体管线(未示出)配置为使冷却剂流体贴近或穿过功率放大器98的热沉流动，以去除射频功率放大器98生成的热。分光计100经由光纤102(图3中以双点划线示意性地示出)独立驱动每个有源发送线圈组件94的功率放大器98，以便以选择的rf幅度和相位、频率和任意复rf脉冲形式操作每个有源发送线圈组件94。独立驱动的有源发送线圈组件94生成的Bl场以重叠方式组合(即，场叠加于彼此之上)，以在孔中生成期望的&场分布。代替如图3中所示的分开和独立地驱动每个杆和辐条，也可以考虑分开和独立地驱动限定多元件线圈阵列的通道的杆或辐条的选择的组。参照图4，应当理解，大体圆柱形的梯度线圈组件和大体圆柱形的射频线圈能够与正圆横截面具有大的偏离。在图4的实施例中，大体圆柱形的介质结构线圈架110具有“D” 形状，如由图4的端视图(on-end view)所示。“D”形状的平的部分设计为与平面对象支撑体112对准，以便由“D”形状的平的部分支撑的梯度线圈(图4中未示出)靠近平面对象支撑体112上的对象设置。大体圆柱形的整体射频线圈的辐条或杆114也符合梯度线圈组件的“D”形状。设置于介质结构线圈架110中或上的流体冷却线116提供对梯度线圈和集成功率放大器(图4中未示出)的冷却，集成功率放大器以正交、多元件、或其它发送驱动配置驱动杆或辐条114。参照附图5，示出了有源发送线圈组件94的一个示例性组件的合适的布置。在此实施例中，集成功率放大器98安装于圆柱形介质线圈架90的轴末端120上。功率放大器98包括外壳122，其可选地由铜或其它合适的屏蔽材料制成，并容纳设置于印刷电路板 (PCB) 125上的两个示例MOSFET功率晶体管124，该印刷电路板具有金属芯(未示出)或者是与热沉126热连通。功率放大器98配置成经由示例插座130与结构线圈架90的轴末端 120相连的可拆卸模块，插座130包括用于连接由功率放大器98驱动的杆或辐条96(或者在其它实施例中，连接杆的组或连接完整鸟笼或TEM线圈)的电连接器132。插座130能够采用各种保持机构，用于将模块化功率放大器98固定于介质结构线圈架90的末端130，各种保持机构诸如是弹簧偏置(spring-biased)连接、按扣连接、卡扣(bayonet)连接等。模块化功率放大器98具有光射频控制输入端140和d. c功率输入端142。入口和出口冷却剂管线144被合适地与将冷却剂流体输入到设置于结构线圈架90中或上的冷却剂管线92 中的相同的冷却剂流体再循环器、空气压缩器、或其它冷却剂流体源(图3和5中未示出) 连接。在图5中，功率放大器98是模块化的并易于拆卸。可选地，整体射频线圈或线圈阵列96也是能够插入到磁共振扫描器的孔12中的模块化单元。例如，线圈阵列元件96可以安装于大体圆柱形的介质线圈架上，介质线圈架的大小制作为同轴地插入到梯度线圈组件的结构线圈架90内部。在其它实施例中，设想将功率放大器和射频线圈或线圈阵列元件集成为易于拆卸的单个模块。例如，末端安装的功率放大器98能够与头线圈元件集成以形成可拆卸头线圈，可拆卸头线圈能够可拆卸地安装在梯度线圈组件的大体圆柱形结构线圈架90的一端上。在图3中，模块化功率放大器98均安装于大体圆柱形的结构线圈架90的相同轴末端上。然而，在其它实施例中，设想将末端安装的功率放大器分布在大体圆柱形的结构线圈架的两个轴末端。该“两端”分布可以例如更方便地分割功率放大器的质量、电连接、冷却剂流体连接、或其它方面。参照图6，虽然已经描述了发送方面，但是应当理解，示例的整体射频线圈30、94、 114也能够配置为用作接收线圈。例如，示例的功率放大器40、42、98能够可选地并入有接收电路和合适的开关电路，以将整体射频线圈30、94、114配置为发送/接收(T/R)线圈。 图6示出了配置为用于T/R操作的功率放大器40、42、98之一的合适的功能框图。发送部件包括光电二极管或其它接收光射频控制输入的变换器(未示出)；可选数字-模拟转换器(DAC) 150(如果rf发送控制器62或分光计100是输出数字形式的光射频控制信号的数字控制器，则被合适地包括)；驱动功率放大电路152，包括例如一个或多个MOSFET晶体管 44、124，如其它附图中所示例。在发送阶段，开关156将发送链150、152连接至整体射频线圈30或线圈阵列元件96。另一方面，在接收阶段，开关156将整体射频线圈30或线圈阵列元件96与前置放大器160连接，前置放大器160放大由线圈30或线圈阵列元件96接收的磁共振信号。可选地设置附加信号调节电路162，用于例如执行模拟-数字转换(ADC)、压缩信号以获得更有效的传输等。放大的且可选地进一步被调节的磁共振信号被从功率放大器40、42、98取出(port off)，例如作为激光二极管或其它光电子光源(未示出)生成的光输出。虽然于此示例了与光纤64、102耦合的光射频控制输入端，但是应当理解，也能够使用其它类型的非电输入端和输入连接部，诸如经由空气传输的红外输入端。此外，也可以设想经由同轴、三轴、或其它合适地屏蔽的电缆传递的电射频输入端的使用。于此示例的射频激发和接收元件能够配置为以质子或1H磁共振频率操作，或能够配置为以其它磁共振频率操作。对于光谱学应用，还设想有源线圈阵列94的不同元件96以不同的磁频率操作。例如，可以将一些线圈元件96(例如一半)调谐为以屮磁共振频率操作，而将其它线圈元件96(例如另一半)调谐为以1V磁共振频率或其它磁共振频率操作。 因为在图3和5的实施例中，每个线圈元件96由对应的功率放大器98独立驱动，所以只要将元件调谐为确保合适的解耦，则实施该多频操作是直接的。已经参照优选实施例描述了本发明。在阅读并理解前述详细描述后，可以想到一些修改和更改。意在将本发明视为包括在所附的权利要求或其等同物的范围内的所有该修改和更改。
权利要求
1.一种磁场梯度线圈组件，包括 结构线圈架(20,70,90,110)；一个或多个磁场梯度线圈02二4)，被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中；冷却导管(52，76，92，116)，被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中，并被配置为使冷却流体流动，以去除所述一个或多个磁场梯度线圈生成的热；以及射频功率放大器(40，42，98)，被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中。
2.如权利要求1所述的磁场梯度线圈组件，其中，所述射频功率放大器包括热沉06， 1 )，并且被设置于所述结构线圈架O0，70)上或所述结构线圈架O0，70)中的冷却导管 (54,78)还被配置为使冷却流体贴近或穿过所述热沉G6)流动，以去除所述射频功率放大器(40，42)生成的热。
3.如权利要求1所述的磁场梯度线圈组件，其中，被设置于所述结构线圈架(90)上或所述结构线圈架(90)中的所述冷却导管(92)和所述射频功率放大器(98)均接收来自公共冷却流体源的冷却流体。
4.如权利要求1所述的磁场梯度线圈组件，其中，所述结构线圈架O0，70，90，110)包括大体圆柱形的介质线圈架。
5.如权利要求1所述的磁场梯度线圈组件，其中，所述结构线圈架(20，70)是大体圆柱形的，并且所述射频功率放大器(40，42)支撑于所述大体圆柱形的结构线圈架的轴中心附近的大体圆柱形的介质线圈架的间隙或凹陷中。
6.如权利要求1所述的磁场梯度线圈组件，其中，所述结构线圈架(90)是大体圆柱形的，并且所述射频功率放大器(98)由所述大体圆柱形的结构线圈架支撑于所述大体圆柱形的结构线圈架的轴末端(120)。
7.如权利要求1所述的磁场梯度线圈组件，其中，所述射频功率放大器包括 多个射频功率放大器(40，42，98)，被设置于所述结构线圈架O0，70，90，110)上或所述结构线圈架(20,70,90,110)中。
8.如权利要求1所述的磁场梯度线圈组件，其中，所述射频功率放大器00，42，98)被配置为以磁共振频率来驱动整体射频线圈(30)或整体线圈阵列(94，114)，以激发磁共振。
9.如权利要求1所述的磁场梯度线圈组件，其中，所述射频功率放大器00，42，98)被配置为可更换的模块，所述可更换的模块可作为模块从所述磁场梯度线圈组件拆卸。
10.一种磁共振部件组件包括大体圆柱形的磁场梯度线圈组件，包括限定轴方向的大体圆柱形的介质线圈架00， 70,90,110)；和一个或多个磁场梯度线圈02，对)，被设置于所述大体圆柱形的介质线圈架上或所述大体圆柱形的介质线圈架中；冷却导管(52，76，92，116)，被设置于所述大体圆柱形的介质线圈架上或所述大体圆柱形的介质线圈架中，并被配置为使冷却流体流动，以去除所述一个或多个磁场梯度线圈生成的热；大体圆柱形的射频线圈或线圈阵列(30，94，114)，被与所述大体圆柱形的磁场梯度线圈组件同轴设置；以及多个射频功率放大器(40，42，98)，被设置于所述大体圆柱形的介质线圈架上或所述大体圆柱形的介质线圈架中，并且被可操作地连接以驱动所述大体圆柱形的射频线圈或线圈阵列。
11.如权利要求10所述的磁共振部件组件，其中，所述射频功率放大器(40,4 包括热沉G6)，并且被设置于所述大体圆柱形的介质线圈架上或所述大体圆柱形的介质线圈架中的冷却导管( ，78)被配置为使冷却流体贴近或穿过所述热沉流动，以去除所述射频功率放大器生成的热。
12.如权利要求10所述的磁共振部件组件，还包括冷却剂流体源(50)，将冷却剂流体输入到以下二者中(i)所述冷却导管(52，76，92， 116)，被设置于所述大体圆柱形的介质线圈架O0，70，90，110)上或所述大体圆柱形的介质线圈架(20,70,90,110)中；以及(ii)冷却流体入口(54，78，144)，使冷却剂流体流入所述射频功率放大器G0，42，98)中，以去除所述射频功率放大器生成的热。
13.如权利要求10所述的磁共振部件组件，其中，所述射频功率放大器(40，42)被支撑于所述大体圆柱形的介质线圈架的轴中心附近的所述大体圆柱形的介质线圈架(20，70) 的一个或多个间隙或凹陷中。
14.如权利要求13所述的磁共振部件组件，其中，所述射频功率放大器(40，42)可操作地与所述大体圆柱形的射频线圈(30)连接于所述大体圆柱形的射频线圈的轴中心附近， 以驱动所述大体圆柱形的射频线圈。
15.如权利要求10所述的磁共振部件组件，其中，所述射频功率放大器(98)由所述大体圆柱形的介质线圈架(90)支撑于所述大体圆柱形的介质线圈架的一个或两个轴末端 (120)。
16.如权利要求15所述的磁共振部件组件，其中，所有所述射频功率放大器(98)由所述大体圆柱形的介质线圈架(90)支撑于所述大体圆柱形的介质线圈架的相同轴末端 (120)。
17.如权利要求10所述的磁共振部件组件，其中，所述射频功率放大器00，42，98)被可操作地连接，以用正交模式来驱动所述大体圆柱形的射频线圈(30)。
18.如权利要求10所述的磁共振部件组件，其中，所述射频功率放大器被可操作地连接，以独立驱动所述大体圆柱形的射频线圈阵列的解耦的元件(94，114)。
19.如权利要求18所述的磁共振部件组件，其中，所述射频功率放大器被可操作地连接，以用不同的磁共振频率来独立驱动不同的解耦的元件(94，114)。
20.如权利要求10所述的磁共振部件组件，其中，所述大体圆柱形的射频线圈或线圈阵列(30，94，114)沿所述大体圆柱形的磁场梯度线圈组件(20，22，24，70，90，110)的轴方向分布。
21.如权利要求10所述的磁共振部件组件，其中，所述大体圆柱形的射频线圈或线圈阵列(30，94，114)被配置为可插入到所述大体圆柱形的磁场梯度线圈组件的所述大体圆柱形的介质线圈架O0，70，90，110)中的可插入模块。
全文摘要
一种磁场梯度线圈组件，包括结构线圈架(20，70，90，110)；一个或多个磁场梯度线圈(22，24)，被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中；冷却导管(52，76，92，116)，被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中，并被配置为使冷却流体流动，以去除所述一个或多个磁场梯度线圈生成的热；以及射频功率放大器(40，42，98)，被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中。
文档编号G01R33/36GK102272615SQ200980153172
公开日2011年12月7日 申请日期2009年11月23日 优先权日2008年12月31日
发明者C·洛斯勒 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司