专利名称：一种底部测试方法
技术领域：
本发明涉及一种底部测试方法，进一步涉及一种电子元器件底部测试方法。
背景技术：
一般而言，电子元器件的光学参数主要的几个方面是，光通量、发光强度、发光效率、波长等。发光效率表征了光源的节能特性，这是衡量现代光源性能的一个重要指标。因此，电子元器件在出厂前都要进行测试。
目前，常用的电子元器件的测试方法均为侧面测试，由上料装置将电子元器件从振动盘的最前端吸附到转盘上的真空吸嘴上，通过水平夹紧的探针，从侧面夹紧电子元器件的引脚，通电，检测。由于发光元件从制作工艺上来说，底部引脚的方式比侧面引脚的方式更加容易实现，这就限制了传统的侧面探针夹持点亮测试方式的应用范围。发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种比较适用于发光元件的制作工艺的测试方法。
本发明提供了一种底部测试方法，其中方法步骤包括
(I)发光元件由振动盘筛选引脚向下进入直型轨道；
(2)发光元件由真空和破坏真空的方式转移到工作转盘的吸嘴上；
(3)定位件从上将发光元件定位，探针从下往上，接触发光元件的引脚，通电使其发光，同时检测元件从上对其光电特性进行检测。
与现有技术相比，本发明的优点在于相比传统的测试方法，底部测试的方法比较适合现有的电子元器件的制作工艺，具有更广的应用性。


图I是本发明一种底部测试方法的流程图。
具体实施方式
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的描述。请参阅图1，本发明提供较佳的一种底部测试方法，该方法步骤包括
(I)发光元件由振动盘筛选引脚向下进入直型轨道；
(2)发光元件由真空和破坏真空的方式转移到工作转盘的吸嘴上；
(3)定位件从上将发光元件定位，探针从下往上，接触发光元件的引脚，通电使其发光，同时检测元件从上对其光电特性进行检测。
本发明主要针对发光元件测试方法所进行的改进，以上所述仅为本发明较佳实施例而已，非因此即局限本发明的专利范围，故举凡用本发明说明书及图式内容所为的简易变化及等效变换，均应包含于本发明的专利范围内。
权利要求
1.一种底部测试方法，其特征在于所述方法步骤包括(1)发光元件由振动盘筛选引脚向下进入直型轨道；(2)发光元件由真空和破坏真空的方式转移到工作转盘的吸嘴上；(3)定位件从上将发光元件定位，探针从下往上，接触发光元件的引脚，通电使其发光， 同时检测元件从上对其光电特性进行检测。
全文摘要
本发明涉及一种电子元器件的底部测试方法，其特征在于所述方法包括如下步骤发光元件由振动盘筛选引脚向下进入直型轨道；再发光元件由真空和破坏真空的方式转移到工作转盘的吸嘴上；再是定位件从上将发光元件定位，探针从下往上，接触发光元件的引脚，通电使其发光，同时检测元件从上对其光电特性进行检测。此种测试方法能够更适合电子元器件的制造工艺，测试的范围更广。
文档编号G01R31/00GK102914424SQ201210457298
公开日2013年2月6日 申请日期2012年11月14日 优先权日2012年11月14日
发明者卓维煌 申请人:深圳市华腾半导体设备有限公司