专利名称：一种整体平板热模式铂电阻的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种空气质量检测传感器，具体涉及一种整体平板热模式钼电阻。
背景技术：
传统钼电阻一般采用0. 02mnT0. 04mm钼丝绕制在特定的骨架上，由于受温度实变的影响，加之钼丝极细与骨架不是一整体，用时及易损坏。也不能过孔技术恒温发热，用来温度检测补偿于一体；另外薄膜式钼电阻由于膜厚只有2um，虽然精度较高，但其承载功率和电流的能力却很小，加之设备及制造成本较高。实用新型涉内容为了克服现有技术中存在的上述不足之处，本实用新型的目的是提供一种整体平板热模式钼电阻。为了达到上述之目的，本实用新型采用如下具体技术方案整体平板热模式钼电阻，包括无机载体、所述无机载体上设有补偿钼电阻、补偿电阻以及测温钼电阻，所述补偿钼电阻的一端连接在第一键合区，其另一端连接在银钯导体的一端，所述银钯导体的另一端连接在补偿电阻的一端，所述补偿电阻的另一端连接在第二键合区的一端，所述第二键合区的另一端连接在测温钼电阻的一端上，所述测温钼电阻的另一端连接在第三键合区的一端，所述无机载体的正面设有第四键合区和第五键合区，分别通过过孔与背面的发热钼电阻连接。所述第二键合区的两端相通连接。本实用新型的有益效果采用激光刻槽，打孔及厚膜过孔技术制作，厚膜钼电阻恒温发热，集恒温发热，温度检测补偿于一体，具有环保无污染、成本低、使用方便的功能。
以下结合附图对本实用新型作进一步的详细说明。

图1为本实用新型的正视图。图2为本实用新型的后视图。
具体实施方式
如图1、图2所示，一种整体平板热模式钼电阻，包括无机载体1、所述无机载体1 上设有补偿钼电阻2、补偿电阻3以及测温钼电阻4，所述补偿钼电阻2的一端连接在第一键合区5，其另一端连接在银钯导体8的一端，所述银钯导体8的另一端连接在补偿电阻3 的一端，所述补偿电阻3的另一端连接在第二键合区6的一端上，所述第二键合区6的另一端连接在测温钼电阻4的一端上，所述测温钼电阻4的另一端连接在第三键合区7的一端， 所述无机载体1的正面设有第四键合区9和第五键合区10，分别通过过孔与背面的发热钼电阻11连接，采用激光刻槽，打孔及厚膜过孔技术集恒温发热，温度检测补偿于一体，所述
3第二键合区6的两端相通连接。 最后应说明的是以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
权利要求1.一种整体平板热模式钼电阻，其特征在于包括无机载体、所述无机载体上设有补偿钼电阻、补偿电阻以及测温钼电阻，所述补偿钼电阻的一端连接在第一键合区，其另一端连接在银钯导体的一端，所述银钯导体的另一端连接在补偿电阻的一端，所述补偿电阻的另一端连接在第二键合区的一端，所述第二键合区的另一端连接在测温钼电阻的一端上， 所述测温钼电阻的另一端连接在第三键合区的一端，所述无机载体的正面设有第四键合区和第五键合区，分别通过过孔与背面的发热钼电阻连接。
2.根据权利要求1所述的一种整体平板热模式钼电阻，其特征在于所述第二键合区的两端相通连接。
专利摘要本实用新型涉及一种空气质量检测传感器，具体涉及一种整体平板热模式铂电阻，包括无机载体、所述无机载体上设有补偿铂电阻、补偿电阻以及测温铂电阻，所述补偿铂电阻的一端连接在第一键合区，其另一端连接在银钯导体的一端，所述银钯导体的另一端连接在补偿电阻的一端，所述补偿电阻的另一端连接在第二键合区的一端，所述第二键合区的另一端连接在测温铂电阻的一端上，所述测温铂电阻的另一端连接在第三键合区的一端，所述无机载体的正面设有第四键合区和第五键合区，分别通过过孔与背面的发热铂电阻连接，所述第二键合区的两端相通连接，本实用新型采用过孔技术集恒温发热，温度检测，补偿于一体，具有环保无污染、成本低、使用方便的功能。
文档编号G01K7/18GK201974249SQ201120061659
公开日2011年9月14日 申请日期2011年3月10日 优先权日2011年3月10日
发明者徐振兴 申请人:项小东