专利名称：一种红外桥式测温传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种测温传感器，尤其涉及一种红外桥式测温传感器，属于传感器领 域。
背景技术：
红外测温由于具有非接触，测温动态范围宽和测温准确等独特优点，在食品，医 疗，电力，工业，建筑等领域具有非常广泛的应用。红外测温传感器是红外测温仪表的关键 器件，其性能决定了测温仪表的精度。目前，红外测温传感器多采用热电堆原理制作，美国 专利US-5059543就公开了一种典型的热电堆红外传感器的制造方法，其包括在硅衬底上 利用硅各向异性腐蚀剂从硅衬底背面腐蚀，刻蚀中心部位的硅，在硅衬底顶部留下厚度约 为1微米的氧化硅-氮化硅封闭膜，利用两种不同热电特性材料沉积并形成热偶对，热电堆 热端布置在封闭薄膜之上，冷端与硅衬底直接连接，当红外辐射入射到该红外传感器之上， 引气封闭膜温升，利用热电堆探测该温升就可以探测出红外辐射的强弱并计算出目标温 度。热电偶是制作红外测温传感器的最常用方法，不过利用热电偶作为红外测温传感 器测温材料也存在不足。常用热偶材料的赛贝克系数通常不高，例如硅-Al热偶对的温度 灵敏系数仅为0. /K，即使温度灵敏系数很高的BiSb (锑化铋)的热电系数也仅为0.5% 左右，是氧化钒薄膜的热敏电阻系数(2% /K) 1/4左右，这限制了红外测温传感器的温度分 辨率。利用热电偶串联的热电堆虽然可以改进传感器的响应灵敏度，但热电偶串联也造成 了两个问题首先是热电堆的输出电阻变大，器件噪声增加，其次冷端和热端间的热电堆线 条会增大器件敏感区与衬底间的热导，反而导致器件温度分辨率下降，因此利用热电堆技 术也难以实现高精度温度测量。而在某些领域如医疗体温检测，高精度测温非常重要。

发明内容
本发明针对现有技术的不足，提供一种红外桥式测温传感器，可有效改善环境温 度对传感器的影响，实现高精度的温度测量。本发明解决上述技术问题的技术方案如下一种红外桥式测温传感器，包括，衬 底和由四个电阻组成的电阻器电桥，其特征在于，所述电阻器电桥包括由一个光敏电阻、两 个环境参考电阻和一个焦耳参考电阻之间首尾相连构成的环状结构，所述两个环境参考电 阻之间接电源地，所述光敏电阻与焦耳参考电阻之间接供电电源，所述光敏电阻与一个环 境参考电阻之间为第一输出端，所述焦耳参考电阻与另一个环境参考电阻之间为第二输出 端，所述衬底在安装光敏电阻和焦耳参考电阻的位置设有凹槽。本发明的有益效果是本发明所述传感器采用桥式结构，有利于减小环境温度和 焦耳热对传感器输出信号的影响，提高传感器的工作适应性，并可根据电桥输出信号的大 小有效判断目标温度，通过使用光敏电阻和焦耳热参考电阻和环境参考电阻，有效提高传 感器的灵敏度，并在光敏电阻和焦耳热参考电阻下边的衬底设置凹槽结构，提高了温度测量的精确度。在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。进一步，所述构成电阻器电桥的四个电阻的阻值相同。采用上述进一步方案的有益效果是，使用阻值相同的电阻，可为光敏电阻提供更 加准确的参考电阻值。进一步，所述构成电阻器电桥的四个电阻由测温材料构成，所述测温材料为氧化钒。 采用上述进一步方案的有益效果是，氧化钒的电阻温度系数较高，器件灵敏度高， 测温准确。进一步，所述光敏电阻外层镀有黑金红外吸收层，所述焦耳参考电阻外层镀有金 属反射层。采用上述进一步方案的有益效果是，光敏电阻外层镀有黑金红外吸收层，对红外 的吸收率高达95%以上，而焦耳参考电阻外层镀有金属反射层，对红外辐射的吸收率小于1%。进一步，所述光敏电阻和焦耳参考电阻分别悬浮在两个凹槽上面，并且两端跨接 在凹槽两端。采用上述进一步方案的有益效果是，采用悬浮跨接结构，有利于减小环境温度和 焦耳热对传感器输出信号的影响，提高传感器的工作适应性。进一步，所述凹槽的深度为100微米至500微米。采用上述进一步方案的有益效果是，凹槽内的空气可作为光敏电阻和焦耳参考电 阻与衬底间的热绝缘层，使测试结果更加准确。本发明所述的红外桥式测温传感器的工作原理如下当目标被遮蔽时，传感器的 四个电阻阻值相同，电桥左右支路的分压比也相同，电桥输出为零；当目标不被遮蔽时，光 敏电阻吸收目标照射的红外辐射后温度升高，电阻阻值改变，造成电桥左右支路不再平衡， 电桥输出信号不为零。根据理论计算可知，在当薄膜材料电阻与薄膜温度呈线性曲线条件 下，如薄膜温度在零下40°C -100°C内，电桥输出信号的大小与探测器吸收的红外辐射呈正 比关系。通过测量电桥的输出信号就可以计算出待测温目标入射的红外辐射量，进而计算 出目标温度。


图1为本发明所述传感器的实施例的电路图；图2为本发明所述传感器的实施例的局部结构图；图3为本发明所述传感器的实施例的光敏电阻与凹槽的剖面图；图4为本发明所述传感器的实施例的光敏电阻与焦耳参考电阻的结构示意图。
具体实施例方式以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并 非用于限定本发明的范围。如图1所示，本发明所述传感器实施例，图中包括光敏电阻1、环境参考电阻2、环境参考电阻3、焦耳热参考电阻4、电源地5和供电电源6，所述的光敏电阻1，环境参考电阻 2，环境参考电阻3，焦耳热参考电阻4均制作于衬底上，该衬底可选用硅或玻璃，及其他可 作为传感器衬底的材料，本实施例1以硅衬底为例。为减小焦耳热造成的电阻温度升高，传 感器采用脉冲供电方式，这四个电阻1-4在未加电且室温条件下阻值相同，均为R0。除红外 吸收效率外，电阻1和电阻4的其他特性如热特性完全相同，在电阻1之上制作了一层黑金 红外吸收层，对红外的吸收效率高达95%以上，而在电阻4之上制作了一层金属反射层，对 红外辐射的吸收率小于1%。如图1所示，所述红外桥式测温传感器的电路图中四个薄膜电阻均采用氧化钒薄 膜制作，由于热敏材料选用电阻温度系数较高的氧化钒薄膜，器件灵敏度高，测温准确，在 不考虑薄膜电阻温度系数均勻性的基础上，四个电阻1、2、3和4的电阻温度系数完全一致。 此外，这四个电阻在设计时的版图也完全一致，因此制作完毕后，如果不考虑工艺引入的加 工误差，这四个薄膜电阻在室温时的阻值也完全相同。在图1所示的四个薄膜电阻中，仅有 电阻1对入射的红外辐射敏感，其他三个均为参考电阻。本发明实施例采用桥式结构有助于提高传感器对环境的适应能力，当环境温度改 变时，由于这4个电阻的薄膜电阻温度系数相同，电阻变化趋势一致，因此电桥输出平衡并 不被破坏，电桥输出信号仍为零。为提高探测器的温度灵敏度，本发明实施例在光敏电阻1 和参考电阻4下部的硅衬底挖空，形成悬浮桥式减小传感器敏感区与衬底间的热传导，凹 槽深度可以为100微米-500微米，凹槽内的空气则作为器件光敏元与衬底间的热绝缘层。 电阻1和电阻4的关键区别在于电阻4对红外辐射不敏感，而其他特性完全一致。在本发 明实施例中，器件传感器采用脉冲驱动方式，即电源以脉冲方式加载在电桥之上，采用脉冲 电源方式有助于减小器件功耗和施加较高的电源电压，由于电源施加时间很短，电源焦耳 热造成的传感器敏感电阻1温升不会太高，一般控制在几度范围之内。电阻4的热学特性 与电阻1完全相同，因此在施加读出驱动电压时，这两个电阻的阻值变化相同，电桥平衡不 被破坏，电桥输出仍为零。图2和图3为传感器红外敏感器件电阻1的结构示意图，图中101为传感器光敏 电阻光敏区，102为体硅牺牲层工艺形成的凹槽，103为硅衬底，104为焊接焊盘，111为支撑 层，112为氧化钒薄膜，113为钝化层，114为金属电极(反射层)，115为黑金吸收层。与光 敏电阻1相比，在焦耳热参考电阻4之上没有制备115黑金吸收层，而是制作了一层金属反 射膜层用以反射入射的红外辐射。电阻2和电阻3与电阻1结构基本相同，但电阻直接制 作在硅衬底之上，没有制作凹槽结构且没有在电阻之上制作黑金吸收层，凹槽102可以采 用等离子体干法刻蚀也可以采用体硅湿法刻蚀技术。如图4所示，为本发明所述实施例的中的光敏电阻和焦耳参考电阻的结构图，图 中仅包括电阻1和电阻4，左侧为电阻1，右侧为电阻4。图中硅刻蚀形成的凹槽102深度约 为100-500微米，硅衬底103上设有支撑层111，所述支撑层111通常采用氮化硅或者氧化 硅薄膜，也可以采用氮化硅氧化硅复合薄膜，支撑层111上设有热敏层氧化钒薄膜112，所 述热敏层氧化钒薄膜112上设有钝化层兼隔离层113，钝化层兼隔离层113用于隔离电阻1 中的黑金吸收层115与氧化钒薄膜112及电阻4中的红外反射层114和氧化钒薄膜112，在 电阻4中金属电极被用作红外光反射层114，黑金吸收层115用于增强电阻1对目标辐射 的红外线的吸收效率，透过该腐蚀孔116，腐蚀液或者化学活性离子可以与下部的硅衬底反应，刻蚀出凹槽结构，电阻2、3结构相同，仅包括支撑层111、热敏层氧化钒薄膜112和钝化 层兼隔离层113。如图4所示，本发明实施例所述的传感器的电阻1主要包括1)支撑层111淀积，在硅衬底103之上利用低压化学气相沉积(LPCVD)或者等离 子体辅助化学气相沉积(PECVD)工艺制作支撑层111，支撑层111薄膜通常选用氮化硅和氧 化硅，也可以选用氮化硅和氧化硅的复合薄膜以降低薄膜层应力，支撑层111厚度约0. 5-2 微米。2)氧化钒薄膜112制备和图形化，利用反应离子束溅射或者反应磁控溅射技术在 支撑层111之上制备氧化钒薄膜，薄膜厚度约0. 05-0. 2微米，方块电阻20-100千欧，电阻 温度系数大于2. 0% /K，之后利用光刻和离子束刻蚀或者湿法刻蚀工艺图形化氧化钒薄膜 112，仅在定义的电阻区域内保留氧化钒薄膜。3)钝化层113制作，利用PECVD工艺在氧化钒薄膜之上制作一层钝化层113氮化 硅薄膜，薄膜厚度0. 1-0. 5微米。4)互联电极孔刻蚀和金属电极114沉积，首先利用光刻和反应离子刻蚀(RIE)工 艺在钝化层113上刻蚀氮化硅薄膜，露出氮化硅薄膜下的氧化钒薄膜112 ；然后利用剥离工 艺制作金属互联金属电极114，金属互联电极114材料选用钛-白金薄膜(Ti/Pt)，金属电 极厚度约为0.05-0. 1微米。在电阻R2之上，互联电极层114几乎全部覆盖光敏区，用以反 射入射的红外辐射。5)黑金吸收层115制作，利用剥离和热蒸发工艺在电阻Rl之上制作红外吸收黑金 层115，黑金层厚度约为0.01-0. 1微米，对红外辐射吸收效率高于90%。6)刻蚀孔制作，利用光刻和RIE及湿法结合工艺制作刻蚀孔。7)凹槽102刻蚀，利用干法等离子体刻蚀或者湿法体硅工艺刻蚀电阻Rl和电阻 R2之下的硅衬底103，形成凹槽104。电阻2和3与电阻1相比，无红外吸收金属黑金吸收层115，在电阻下部也没有制 作热隔离凹槽102，其他组成部分与电阻1相同。以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和 原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
一种红外桥式测温传感器，包括衬底和由四个电阻组成的电阻器电桥，其特征在于，所述电阻器电桥包括由一个光敏电阻、两个环境参考电阻和一个焦耳参考电阻之间首尾相连构成的环状结构，所述两个环境参考电阻之间接电源地，所述光敏电阻与焦耳参考电阻之间接供电电源，所述光敏电阻与一个环境参考电阻之间为第一输出端，所述焦耳参考电阻与另一个环境参考电阻之间为第二输出端，所述衬底在安装光敏电阻和焦耳参考电阻的位置设有凹槽。
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述构成电阻器电桥的四个电阻的阻值相同。
3.根据权利要求1至2任一项所述的传感器，其特征在于，所述构成电阻器电桥的四个 电阻由测温材料构成，所述测温材料为氧化钒。
4.根据权利要求1至3任一项所述的传感器，其特征在于，所述光敏电阻外层镀有黑金 红外吸收层，所述焦耳参考电阻外层镀有金属反射层。
5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述光敏电阻和焦耳参考电阻分别悬 浮在两个凹槽上面，并且两端跨接在凹槽两端。
6.根据权利要求1或5所述的传感器，其特征在于，所述凹槽的深度为100微米至500 微米。
全文摘要
本发明涉及一种红外桥式测温传感器，包括，衬底和由四个电阻组成的电阻器电桥，其特征在于，所述电阻器电桥包括由一个光敏电阻、两个环境参考电阻和一个焦耳参考电阻之间首尾相连构成的环状结构，所述衬底在安装光敏电阻和焦耳参考电阻的位置设有凹槽。本发明所述传感器采用桥式结构，有利于减小环境温度和焦耳热对传感器输出信号的影响，提高传感器的工作适应性，并可根据电桥输出信号的大小有效判断目标温度，通过使用光敏电阻和焦耳热参考电阻和环境参考电阻，有效提高传感器的灵敏度，并在光敏电阻和焦耳热参考电阻下边的衬底设置凹槽结构，提高了温度测量的精确度。
文档编号G01J5/24GK101995297SQ20101029740
公开日2011年3月30日 申请日期2010年9月30日 优先权日2010年9月30日
发明者王宏臣 申请人:烟台睿创微纳技术有限公司