专利名称：动态离子迁移谱的高透过率、快速离子门的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种动态离子迁移谱的离子门，特别是涉 及一种动态离子迁移谱的高透过率、快速离子门。
二.背景技术离子迁移谱仪是一种利用IMS(离子迁移谱)技术的专用探 测仪，可用于探测样品气体中的微量成分,也可探测空气中的污染物或爆炸物，以 及用于麻醉品和毒品的探测。
离子门是离子迁移谱仪器中较为关键的部件，它位于电离区和迁移区之间， 主要用来控制离子源处的离子以周期性脉冲的方式进入迁移管，样品分子在离 化区形成离子后，并不直接进入迁移区，而是先集结在离子门的前部，只有在 离子门开启后，才能同步进入迁移区中进行漂移。
目前，现有的离子迁移谱仪的离子门是两个靠的很近的金属门栅中间夹着 一层绝缘膜片组成，参见图l，金属门栅之间的间隔厚度可由绝缘层的薄厚来改 变。在2个门栅加上与离子迁移方向相反的脉冲电压信号，这样就在2门栅中 间形成一反向脉冲电场。当该脉冲电场的方向与迁移电场的反向时，即离子门 关闭时，由于该电场的作用，离子会被束缚在门栅之间，此时离子门关闭；相 反，电压信号撤去时，即离子门开启时，离子进入迁移区内在迁移电场的作用 下进行迁移运动。这种结构存在以下不足1、由于门栅和绝缘膜片都很薄，而 且门栅上有电极引出，对制造工艺要求很高，制作成本较高。2、由于离化的离 子要经过2道门栅才能进入迁移区，离子透过率较低。3、当在2门栅间加脉冲 电压时，2门栅之间相当于电容处于充电期间，当电压信号撤去时，2门栅之间 形成的电容处于放电期间。由于电容的充放电滞后效应使得离子门的开启和关 闭的速度总是较慢的。三. 实用新型的内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种设计 合理、制造工艺简单、成本较低且离子透过率较高、反应迅速的动态离子迁移 谱的高透过率、快速离子门。
本实用新型为解决技术问题所采取的技术方案
一种动态离子迁移谱的高透过率、快速离子门，含有两个金属门栅，所述 两个金属门栅处于同一平面上且均为梳子型，并且，所述两个金属门栅的梳齿 相互交错，相邻梳齿之间留有缝隙，所述两个金属门栅之间连接有一个脉冲电 压信号源。
本实用新型的有益效果
1、 本实用新型采用两把梳子式的金属丝片构成，其结构简单，对制造工艺 要求不高，成本低。其次，由于离化的离子只需要经过一道金属丝门就能进入 迁移区，离子碰撞到金属丝上的几率很低，因而，离子透过率较高。再次，由 于两个梳子式的金属丝片构成的金属门栅处于同一平面上，两门栅的轴向间并 没有形成电容效益，所以离子门的开启、关闭反映迅速，快捷。
2、 本实用新型设计合理、制作工艺简单、成本较低，其适用范围广，推广 后具有很好的经济效益。
四.

图1为现有技术中离子门的结构图2是本实用新型的结构图。
五.具体实施方式
实施例参见图2，图中， 一种动态离子迁移谱的高透过率、快速离子门, 含有两个金属门栅l，两个金属门栅l处于同一平面上且均为梳子型，并且，两个金属门栅1的梳齿相互交错，相邻梳齿之间留有缝隙，两个金属门栅1之间 用脉冲电压信号源3连接。
两个金属门栅1设置在迁移管2内，当两个金属门栅1的电压相等时，离 子门开启，因为在离子门处近似只有轴向电场，离子可以穿过离子门；当两个
金属门栅1具有一定的电压差时，离子门关闭，因为该电压差所产生的垂直与 轴向的电场使得离子在离子门处碰到两个金属门栅上而中和成中性分子，从而 没有离子通过离子门进入漂移区。
改变金属门栅的具体结构形式、改变金属门栅和电压源的具体连接方式能 够组成多个实施例，均为本实用新型的常见变化范围，在此不一一详述。
权利要求1.一种动态离子迁移谱的高透过率、快速离子门，含有两个金属门栅，其特征是所述两个金属门栅处于同一平面上且均为梳子型，并且，所述两个金属门栅的梳齿相互交错，相邻梳齿之间留有缝隙，所述两个金属门栅之间连接有一个脉冲电压信号源。
专利摘要本实用新型公开了一种动态离子迁移谱的高透过率、快速离子门，它含有两个金属门栅，所述两个金属门栅处于同一平面上且均为梳子型，所述两个金属门栅的梳齿相互交错，相邻梳齿之间留有缝隙，所述两个金属门栅之间连接有一个脉冲电压信号源。本实用新型采用两把梳子式的金属丝片构成金属门栅，其结构简单，对制造工艺要求不高，成本低；其次，由于离化的离子只需要经过一道金属丝门就能进入迁移区，离子碰撞到金属丝上的几率很低，离子透过率较高，再次，由于两个梳子式的金属丝片构成的金属门栅处于同一平面上，两门栅的轴向间并没有形成电容效益，离子门的开启、关闭反映迅速，快捷。本实用新型推广后具有很好的经济和社会效益。
文档编号G01N27/62GK201378581SQ20092008895
公开日2010年1月6日 申请日期2009年3月20日 优先权日2009年3月20日
发明者李建国, 汪献忠 申请人:河南省日立信电子有限公司