专利名称：硅堆装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电气试验装置，尤其是涉及一种直流高压发生器用硅堆装置。
背景技术：
直流高压发生器主要用于高压电气设备进行直流耐压试验，随着特高压产品广泛 应用和电压等级的提升，对于直流高压发生器用硅堆的技术要求越来越高。随着电压等级 的不断提升，保证硅堆电压分布均勻具有良好运行特征，避免由于个别硅堆元件被击穿而 使整个硅堆装置无法工作的问题就显得尤为重要。本公司实用新型专利技术-一种硅堆极性转换装置，专利号为200920236200. 1， 公布了一种硅堆装置的运用，本实用新型是对上述专利技术的进一步改进。

实用新型内容为解决上述技术问题，本实用新型硅堆装置，包括若干硅盘，硅盘上设置有硅粒子 串和均压环，硅粒子串由若干硅二极管串联而成，组成硅粒子串的每个硅二极管与一只均 压电阻并和一只电容并联。作为本实用新型的进一步改进，硅粒子串为两组，两组硅粒子串并联连接。每只二极管并联一只均压电阻和一只均压电容，硅堆电压分布十分均压。采用两 组硅粒子串并联连接结构，有效提高了载流。

图1为本实用新型硅堆装置结构示意图。图2为本实用新型硅堆装置的硅盘结构示意图。图3为本实用新型硅粒子串原理图。图中2为硅粒子串，3为均压环，4为硅粒子串，5为电路板，21为硅二极管，22为均 压电阻，23为均压电容。
具体实施方式
如图1、图2和图3所示，本实用新型硅堆装置由硅盘61、62、63、64通过半绝缘开 关51、52、53、54串联而成，每只硅盘包括电路板5，组成硅粒子串2、4的硅二极管21、均压 电阻22和均压电容23分别焊接于电路板5上，硅粒子串2、4在电路板5上呈圆形，均压电 阻22和均压电容都分别与硅二极管21并联；硅粒子串2、4为并联连接；在电路板5的外周 边缘设置均压环3。均压电阻22为金属膜电阻，电阻值为330k Ω，功率为1W，电阻误差小于 士5%，反峰电压为2千伏，反向泄漏电流在2微安以下，整流电流为1. 5安培；均压电容23 是容量为0. Oluf、工作电压2千伏的瓷片电容。
权利要求1.硅堆装置，包括若干硅盘(61、62、63、64)，硅盘(61、62、63、64)上设置有硅粒子串 (2)和均压环(3)，所述的硅粒子串⑵由若干硅二极管串联而成，其特征在于所述 的组成硅粒子串(2)的每个硅二极管分别与一只均压电阻02)和一只均压电容03)并联。
2.根据权利要求1所述的硅堆装置，其特征在于所述的硅粒子串为两组0、4)，两组 硅粒子串(2、4)并联连接。
3.根据权利要求1或2所述的硅堆装置，其特征在于所述的均压电阻02)为金属膜 电阻，均压电容瓷片电容器。
专利摘要硅堆装置，包括若干硅盘，硅盘上设置有硅粒子串和均压环，硅粒子串由若干硅二极管串联而成，组成硅粒子串的每个硅二极管分别与一只均压电阻和一只均压电容并联。
文档编号G01R31/12GK201876519SQ20102060832
公开日2011年6月22日 申请日期2010年11月16日 优先权日2010年11月16日
发明者张斌, 张炳生, 张福增, 李如林, 李瑞海, 汤小平, 王国利, 马仪 申请人:南方电网技术研究中心, 扬州市鑫源电气有限公司