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差压式扩散硅传感器基座的制作方法

时间:2025-06-21    作者: 管理员

专利名称:差压式扩散硅传感器基座的制作方法
技术领域
本实用新型涉及传感器,尤其是一种差压式扩散硅传感器基座。
背景技术
目前,现有的差压式传感器有常见的电容式差压传感器,差压式扩散硅传感器还 处于初级制造阶段,由于电容式差压传感器和扩散硅差压传感器的原理不同,以至两种传 感器之间的基座不同,不能互换使用,现有的压阻式扩散硅传感器使用的充油芯体基座,内 部结构都是使用TO座与芯体的壳体焊接而成,也不能用于差压式扩散硅传感器基座。
实用新型内容本实用新型的目的就是为了克服现有还没有适合用于差压式扩散硅传感器的基 座的缺陷,而提供一种差压式扩散硅传感器基座。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是差压式扩散硅传感器基座,包括具有开口型腔的壳体以及与壳体相连接的引线, 其特征在于还包括一个底座,底座与引线对应的壳体一端间设有支柱连接,壳体的型腔底 部上设有第一充油孔和第二充油孔,支柱一侧面设有第一进油孔和第二进油孔分别与相对 应的充油孔相通。壳体与底座通过支柱连接形成一个整体基座壳体,加工时,在一个棒料上分别加 工出壳体与底座,并在两者之间的棒料上加工三个缺口形成支柱构成整体基座壳体。在上述的主要技术方案的基础上,可以增加以下进一步完善的技术方案所述的支柱的一侧面为圆柱面,支柱的圆柱面与壳体的外侧面对齐。所述的壳体上的第二充油孔设置在壳体的中心处且为阶梯孔,第二充油孔沿轴向 贯穿底座。所述的支柱上的两进油孔设置在支柱的圆柱面上。[0013]壳体上设有六个弓丨线,六个引线以壳体中心面对称设置。本实用新型的有益效果是提供一种用于差压式扩散硅传感器的基座;采用本差 压式扩散硅传感器基座后,传感器灵敏度高,频率响应高,测量范围宽,可测低至10 的 微压到高至60Mpa的高压,增加产品的延伸和适用范围,精度高,工作可靠,其精度可达 士0. 2% 0. 02% ;易于微小型化。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1为本实用新型的主视图;图2为本实用新型的主视图的A-A剖视图;图3为本实用新型的主视图的B-B剖视图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型差压式扩散硅传感器基座,包括由壳体1、支柱5、底座7构成的整体基座壳体,壳体1上设有开口型腔,如图2所示,壳体型腔底部设有六个烧结孔, 六个烧结孔对称分布在壳体中心面的两侧,每侧均勻分布三个烧结孔,每个烧结孔内设有 引线3,引线3的一端设置在烧结孔内并通过玻璃绝缘子2烧结固定在壳体内,引线的另一 端伸出到壳体外部的支柱两对称侧面的外侧,如图3所示,在壳体型腔的非中心处设有第 一充油孔8,在壳体型腔的中心处设有第二充油孔9,第一充油孔8和第二充油孔9分别沿 轴向设置在整体基座壳体内,所述的第二充油孔9为阶梯孔,第二充油孔沿轴向贯穿底座, 所述的支柱5的一侧面为圆柱面,支柱的圆柱面与壳体的外侧面对齐,支柱的圆柱面上设 有第一进油孔4和第二进油孔6,两进油孔在支柱轴向平行设置,在支柱径向上与基座轴线 垂直设置,第一进油孔4和第二进油6分别与相对应的第一充油孔8和第二充油孔9垂直 相通。 整体基座壳体采用美标316L不锈钢棒料制造,整体基座壳体中的各尺寸都经过 精密科学设计,用数控车床精确加工,壳体中的各烧结孔都有专用钻模保证尺寸和位置精 度,所述的引线为软态柯伐合金引线,保证传感器有良好的传导信号。
权利要求1.差压式扩散硅传感器基座,包括具有开口型腔的壳体(1)以及与壳体相连接的引线(3),其特征在于还包括一个底座(7),底座(7)与引线对应的壳体一端间设有支柱(5)连 接,壳体的型腔底部上设有第一充油孔(8)和第二充油孔(9),支柱一侧面设有第一进油孔(4)和第二进油孔(6)分别与相对应的充油孔相通。
2.根据权利要求1所述的差压式扩散硅传感器基座,其特征在于所述的支柱(5)的 一侧面为圆柱面,支柱(5)的圆柱面与壳体(1)的外侧面对齐。
3.根据权利要求1所述的差压式扩散硅传感器基座,其特征在于所述的壳体上的第 二充油孔(9)设置在壳体的中心处且为阶梯孔,第二充油孔(9)沿轴向贯穿底座(7)。
4.根据权利要求2所述的差压式扩散硅传感器基座,其特征在于所述的支柱(5)上 的两进油孔设置在支柱的圆柱面上。
5.根据权利要求1所述的差压式扩散硅传感器基座,其特征在于壳体(1)上设有六 个引线(3),六个引线(3)以壳体中心面对称设置。
专利摘要本实用新型涉及差压式扩散硅传感器基座,包括具有开口型腔的壳体(1)以及与壳体相连接的引线(3),其特征在于还包括一个底座(7),底座(7)与引线对应的壳体一端间设有支柱(5)连接,壳体的型腔底部上设有第一充油孔(8)和第二充油孔(9),支柱一侧面设有第一进油孔(4)和第二进油孔(6)分别与相对应的充油孔相通。本实用新型的有益效果是提供一种用于差压式扩散硅传感器的基座;采用本压力传感器一体化基体后,传感器灵敏度高,频率响应高,测量范围宽,可测低至10Pa的微压到高至60MPa的高压,增加产品的延伸和适用范围,精度高,工作可靠,其精度可达±0.2%~0.02%;易于微小型化。
文档编号G01L1/18GK201926538SQ201020509188
公开日2011年8月10日 申请日期2010年8月24日 优先权日2010年8月24日
发明者王维东 申请人:蚌埠市创业电子有限责任公司

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