专利名称：一种测定镁钕合金中杂质的方法
技术领域：
本发明涉及分析化学中的原子发射光谱分析领域，具体是一种用电感耦合原子发射光谱法测定镁钕合金中杂质元素的方法。
背景技术：
目前对金属材料进行杂质元素分析的方法包括在公开号为CN101915758A的发明创造中公开了一种稀土铸镁件锰铜 镍铁杂质元素的分析方法。该方法经过称取试样、校准空白溶液、试样处理、配制校准溶液、选择仪器参数和分析测定，获得稀土铸镁件中锰铜镍铁杂质元素的含量。该发明分析周期短，效率高，分析步骤简便，无环境污染，满足了生产和科研的需求。在公开号为CN102128823A的发明创造中公开了一种电感耦合等离子体发射光光谱法测定铜中铅含量的方法。该发明首先采用适量的盐酸和过氧化氢溶解铜试样，用HCl将试样洗涤至无铜离子；其次是标准溶液的配制。该发明具有简便、快速、准确的特点，同时具有较好的稳定性。在公开号为CN102128822A的发明创造中公开了一种ICP法同时测定磷矿石中磷镁铁铝含量的方法。该方法包括磷镁铁铝标准溶液的配制、试样溶液的制备以及使用电感耦合等离子体发射光谱仪进行测定；磷镁铁铝标准溶液采用磷矿石样品按标准GB/T71871-1995方法溶解、测定结果后配制而成。标准溶液基体元素的组成、总盐度、酸的浓度、溶液的粘度、表面张力等方面与待测试样溶液一致，能有效降低物理干扰和光谱干扰，从而提高测定结果的准确性。在申请号为200810229714. 4的发明创造中公开了一种ICP测定硅钙钡合金中铝、钙、钡、锶、磷含量的方法。该方法将试样用硝酸、氢氟酸溶解，硫酸发烟，稀释至一定体积，将雾化溶液引入电感耦合等离子体原子发射光谱仪，测定待测谱线强度；根据已知浓度标准物质测得的谱线强度，求出待测物质对应元素的浓度。本发明的优点是可快速、准确地分析测定硅钙钡合金中钙、钡、铝、磷、锶元素含量，无污染，同时将化学分析法无法分离的钡和锶，采用此方法可将二者分开。在上述测定元素含量的方法中，或者是测定镁合金中杂质元素锰、铜、镍和铁，或者是测定铜中的铅含量，或者是测定磷矿石的成分，或者是测定硅钙钡合金的元素，这些与本发明提出的测定镁钕合金基体相差很大，且待测元素、样品溶解方式及分析方法也完全不同，所以镁钕材料的分析方法无法参照该方法进行。镁钕合金主要基体元素为镁(质量分数约为70%)，稀土元素钕(质量分数约25%)。杂质元素硅、铝、铜在镁钕合金中的固溶度很小，其含量一旦超标将加速合金的腐蚀，对合金的成形能力和铸造性能都有很大的影响，因此必须对该材料中杂质元素含量进行准确分析，将其严格控制(硅彡O. 15，铝彡O. 05，铜彡O. 10)范围内。镁钕合金所含基体元素比较复杂，含有镁70%，钕25%，采用电感耦合原子发射光谱法测定时，不同基体对待测元素产生的基体干扰不同，共存的待测元素之间也能产生较强的光谱干扰，所以基体元素和共存元素都会对材料中待测元素的分析结果产生较大影响。因而镁钕合金的分析方法及分析用仪器的参数与其它所能检索到的材料的分析方法是不同的，不能参照其它材料的分析方法进行检测。目前西北有色金属研究院能够做镁钕合金杂质元素分析，但西北有色金属研究院的分析周期至少需要七天，检测周期较长，为该材料的后期加工使用带来很大不便。并且出于对技术保密的原因，该西北有色金属研究院的分析方法从未公开，无法从公开渠道获得。

发明内容
为克服现有技术中存在的检测周期较长的不足，本发明提出了一种测定镁钕合金中杂质的方法。本发明的具体过程包括以下步骤步骤I，试样溶液的制备·称取O. IOg镁钕合金样品置于150ml容器中，该镁钕合金中钕的含量为25%;在容器中加入IOml盐酸(1:1)，镁钕合金样品与盐酸(1:1)发生反应，得到镁钕合金样品溶液；将镁钕合金样品溶液自然冷却至室温；将冷却后的镁钕合金样品溶液转移到100毫升容量瓶中，用蒸馏水稀释至刻度并混合均匀，得到待测定的试样溶液；步骤2，低标溶液的配制称取O. IOg含量为99. 999%的屑状高纯镁；将所述高纯镁置于150ml容器中，在该容器中加入25ml的钕标准溶液；在容器中加入IOml盐酸(1+1);高纯镁溶解为高纯镁溶液；将自然冷却至室温的高纯镁溶液转移到100毫升容器中，用蒸馏水稀释至100毫升并混合均匀，得到低标溶液；步骤3，高标溶液的配制称取O. IOg含量为99. 999%的屑状高纯镁；将所述高纯镁置于150ml容器中，并在该容器中加入IOml盐酸(1+1)，高纯镁溶解为高纯镁溶液；将自然冷却至室温的高纯镁溶液转移到100毫升容器中，并在烧杯中分别加入25ml钕标准溶液、O. 5ml硅标准溶液、Iml铝标准溶液和Iml铜标准溶液得到混合溶液；用蒸馏水将得到的混合溶液稀释至100毫升并混合均匀，得到高标溶液；所述的硅标准溶液浓度为O. 5mg/ml，铝标准溶液浓度为O. 05mg/ml,铜标准溶液浓度为O. 05mg/ml ；步骤4，分析参数的确定确定分析参数的具体过程是向电感耦合等离子体原子发射光谱仪输入低标溶液、高标溶液中待测元素的含量，其中低标溶液中待测元素硅元素、铝元素和铜元素均为零，高标溶液中待测元素娃元素O. 25mg,招元素O. 05mg,铜元素O. 05mg ;用电感稱合等离子体原子发射光谱仪通过常规方法对低标溶液和高标溶液进行分析，分别得到低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素和铜元素的能量值；采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪通过常规方法对试样溶液进行分析，并根据校准曲线计算出试样溶液中硅元素、铝元素和铜元素的含量；所述校准曲线是电感耦合等离子体原子发射光谱仪根据输入的低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素和铜元素的含量和分析得到的能量值建立的；确定分析参数时，电感耦合等离子体原子发射光谱仪的分析功率为1200W，等离子气流量为15L/min，辅助气流量为O. 2L/min，载气流量为O. 5L/min，溶液提升量为I. 5ml/min ；步骤5，确定硅元素、铜元素和铝元素的分析波长通过对电感耦合等离子体原子发射光谱仪分别得到试样溶液中硅元素、铜元素和铝元素各波长处的谱线扫描图，在得到的谱线扫描图中分别显示了硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值、干扰元素和干扰能量值；利用谱线扫描图中分别显示的硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值、干扰元素和干扰能量值分别确定硅元素、铜元素和铝元素的分析波长，其具体的过程是a.确定硅元素的分析波长所述硅元素的各波长包括Si251. 611nm、Si212. 412nm、Si288. 158nm 和Si252. 851nm ;在所述硅元素各波长中，选取检测能量值最高、干扰元素最少、干扰能量值最 低的波长作为硅元素的分析波长；b.确定铜元素分析波长所述铜元素的各波长包括Cu327. 393nm、Cu324. 752nm、Cu224. 700nm 和Cu222. 778nm ;在所述铜元素各波长中，选取检测能量值最高、干扰元素最少、干扰能量值最低的波长作为铜元素的分析波长；c.铝元素分析波长选择所述铝元素的各波长包括A1237. 313nm、A1308. 215nm和A1396. 153nm ;在所述铝
元素各波长中，选取检测能量值最高、干扰元素最少、干扰能量值最低的波长作为铝元素的分析波长；分别得到硅元素、铜元素和铝元素的分析波长；步骤6，确定硅元素、铜元素和铝元素分析波长处的校准曲线；通过电感耦合等离子体原子发射光谱仪确定所述各元素波长处的校准曲线；具体过程是，电感耦合等离子体原子发射光谱仪根据所述低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素及铜元素的含量与检测能量值分别建立硅元素、铜元素和铝元素分析波长处的校准曲线；该校准曲线的线性相关系数大于O. 999 ；步骤7，测定镁钕合金中杂质元素称取待测镁钕合金试样并向电感耦合等离子体原子发射光谱仪输入待测镁钕合金试样的重量，并对试样溶液进行分析得到硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值；电感耦合等离子体原子发射光谱仪通过确定的硅元素、铜元素和铝元素分析波长处的校准曲线，计算出所述硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值下的硅元素、铜元素和铝
元素含量。本发明针对镁钕合金中所含基体元素比较复杂、杂质含量较低的缺陷，采用电感耦合等离子原子发射光谱原理，通过试验对仪器功率、等离子气和溶液提升量等参数进行了大量试验，对镁钕合金试样进行了溶解试验，并系统分析了基体及共存元素的干扰问题，探索出相应地消除方法，从而研究出了适合镁钕合金中硅、铝、铜杂质元素的分析方法。本发明所采用的等离子体原子发射光谱法主要用于测量溶液中的化学元素，吸入雾化器中的溶液经雾化器雾化成气溶胶后被载气带入到ICP炬管中进行原子化过程，仪器自动通过对原子化过程中待测元素发射光谱的谱线进行分析，最终得出待测元素的含量。本发明能够准确、快速的对镁钕合金中杂质元素的含量进行检测分析，将材料的分析周期由原来的最少七天缩短为I一2天，缩短了材料的分析周期，降低了成本，提高了生产效率，并为今后更多特殊材料和复杂基体材料的成分分析建立了分析模式，为更准确、更好的掌握材料性能打下基础。
具体实施例方式本实施例是一种用0PTIMA5300电感耦合原子发射光谱仪测定镁钕合金中杂质元素的方法。本实施例所使用的电感耦合等离子体原子发射光谱仪的分析功率1200W，等离子气流量15L/min，辅助气流量O. 2L/min,载气流量O. 5L/min,溶液提升量I. 5ml/min ；娃元素的分析波长为251. 611nm,铜元素的分析波长为224. 700nm,招元素的分析波长为237. 313nm。使用电感耦合原子发射光谱仪采用常规方法对低标溶液和高标溶液分别进行分析，分别得出低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素、铜元素分析得出的能量值，电感耦合原子发射光谱仪根据分析得出的硅元素、铝元素、铜元素的能量值和低标溶液、高标溶液 中硅元素、铝元素、铜元素的含量在光谱仪内部建立校准曲线，然后使用电感耦合原子发射光谱仪采用常规方法对样品溶液进行分析得到样品溶液中硅元素、铝元素、铜元素的能量值，电感耦合原子发射光谱仪根据建立的校准曲线对得到的样品溶液中硅元素、铝元素、铜元素的能量值自动计算得出样品溶液中待测元素硅、铝、铜的百分含量。本实施例的具体步骤是步骤1，试样溶液的制备称取O. IOg镁钕合金样品，该镁钕合金中钕的含量约为25%，并将称取的镁钕合金样品置于150ml烧杯中。在烧杯中加入IOml盐酸(1+1)，所述盐酸(1+1)由盐酸与水等体积混合而成。镁钕合金样品与盐酸(1+1)发生反应。待反应停止后，镁钕合金样品溶解为镁钕合金样品溶液。将经过与盐酸(1+1)反应的镁钕合金样品溶液自然冷却至室温。将冷却后的镁钕合金样品溶液转移到100毫升容量瓶中，用蒸馏水稀释至刻度并混合均匀，本实施例中，将冷却后的镁钕合金样品溶液稀释至100毫升。得到待测定的试样溶液。步骤2，低标溶液的配制称取O. IOg含量为99. 999%的屑状高纯镁。将所述高纯镁置于150ml烧杯中，力口入25ml浓度为lmg/ml钕标准溶液，所述的钕标准溶液能够从国家有色金属及电子材料分析测试中心购买。在烧杯中加入IOml盐酸(1+1)，所述盐酸(1+1)由盐酸与水等体积混合而成。高纯镁与盐酸(1+1)发生反应，待反应停止后，高纯镁溶解为高纯镁溶液。将经过与盐酸(1+1)反应的高纯镁溶液自然冷却至室温。将冷却后的高纯镁溶液转移到100毫升容量瓶中，用蒸馏水稀释至100毫升并混合均匀，得到低标溶液。所述的低标溶液用于试样溶液测定时分析仪器建立校准曲线使用。步骤3，高标溶液的配制称取O. IOg含量为99. 999%的屑状高纯镁。将所述高纯镁置于150ml烧杯中，力口入IOml盐酸(1+1);所述盐酸(1+1)由盐酸与水等体积混合而成。反应停止后，使溶液自然冷却至室温，得到高纯镁溶液。将得到的高纯镁溶液转移到100毫升烧杯中，并在烧杯中分别加入25ml钕标准溶液、O. 5ml硅标准溶液、Iml铝标准溶液和Iml铜标准溶液得到混合溶液，用蒸馏水将得到的混合溶液稀释至100毫升并混合均匀。得到高标溶液。得到高标溶液用于样品溶液测定时分析仪器建立校准曲线使用。。所述的硅标准溶液浓度为O. 5mg/ml，从国家钢铁材料测试中心钢铁研究总院购买得到。铝标准溶液浓度为O. 05mg/ml。配制方法如下称取O. 0500g含量为99. 99%的纯铝并置于150毫升烧杯中，加入15毫升盐酸(1+1);所述盐酸(1+1)由盐酸与水等体积混合而成，低温加热溶解至试样完全溶解此时烧杯内液面完全平静。自然冷却后，转移至IOOOml容量瓶中，用蒸馏水稀释至1000毫升，并混合均匀，得到浓度为O. 05mg/ml的铝标准溶液。
铜标准溶液浓度为O. 05mg/ml。配制方法如下称取O. 0500g含量为99. 99%的纯铜并置于150毫升烧杯中，加入15毫升硝酸(1+1);所述硝酸(1+1)由硝酸与水等体积混合而成，低温加热溶解至烧杯内的褐色烟冒干净为止。自然冷却后，转移至IOOOml容量瓶中，用蒸馏水稀释至1000毫升，并混合均匀，得到浓度为O. 05mg/ml的铝标准溶液。步骤4，分析参数的确定分析参数由电感耦合等离子体原子发射光谱仪对试样溶液分析得到。具体过程是向电感耦合等离子体原子发射光谱仪输入低标溶液、高标溶液中硅元素、铝元素和铜元素的含量，其中低标溶液中硅元素、铝元素和铜元素均为零，高标溶液中硅元素O. 25mg,招元素O. 05mg,铜元素O. 05mg。用电感稱合等离子体原子发射光谱仪通过常规方法对低标溶液和高标溶液进行分析，分别得到低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素和铜元素的能量值。采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪通过常规方法对试样溶液进行分析，并根据校准曲线计算出试样溶液中硅元素、铝元素和铜元素的含量。所述校准曲线是电感耦合等离子体原子发射光谱仪根据输入的低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素和铜元素的含量和分析得到的能量值建立的。采用常规方法对试样溶液进行分析，电感耦合等离子体原子发射光谱仪会根据仪器内部建立的校准曲线自动计算出试样溶液中硅元素、铝元素和铜元素的含量。本实施例中，采用OPTIMA 5300电感耦合等离子体原子发射光谱仪，选用的参数为分析功率为1200W，等离子气流量为15L/min，辅助气流量为O. 2L/min，载气流量为O. 5L/min,溶液提升量为 I. 5ml/min。步骤5，确定硅、铜、铝元素的分析波长确定硅元素分析波长。通过对电感耦合等离子体原子发射光谱仪的设置，得到试样溶液中的硅元素的各波长处的谱线扫描图，在得到的硅元素的各波长处的谱线扫描图中分别显示了硅元素检测能量值、干扰元素和干扰能量值。所述硅元素的各波长包括Si251. 611nm、Si212. 412nm、Si288. 158nm 和 Si252. 851nm。选取硅元素所述的各波长中，硅元素检测能量值最高、干扰元素最少、干扰能量值最低作为确定硅元素分析波长。本实施例中，确定251. 61Inm为确定娃元素分析波长。确定铜元素分析波长。确定铜元素分析波长。通过对电感耦合等离子体原子发射光谱仪的设置，得到试样溶液中的铜元素的各波长处的谱线扫描图，在得到的铜元素的各波长处的谱线扫描图中分别显示了铜元素检测能量值、干扰元素和干扰能量值。所述铜元素的各波长包括Cu327. 393nm、Cu324. 752nm、Cu224. 700nm、Cu222. 778nm。选取铜元素所述的各波长中，铜元素检测能量值最高、干扰元素最少、干扰能量值最低作为确定铜元素分析波长。本实施例中，确定224. 700nm为确定铜元素分析波长。铝元素分析波长选择确定铝元素分析波长。通过对电感耦合等离子体原子发射光谱仪的设置，得到试样溶液中的铝元素的各波长处的谱线扫描图，在得到的铝元素的各波长处的谱线扫描图中分别显示了铝元素检测能量值、干扰元素和干扰能量值。所述铝元素的各波长包括A1237. 313nm、A1308. 215nm、A1396. 153nm。选取铝元素所述的各波长中，铝元素检测能量值最高、干扰元素最少、干扰能量值最低作为确定铝元素分析波长。本实施例中，确定A1237. 313nm为确定铝元素分析波长。步骤6，确定硅元素、铜元素和铝元素分析波长处的校准曲线。通过电感耦合等离子体原子发射光谱仪确定所述各元素波长处的校准曲线；具体过程是，向电感耦合等离子体原子发射光谱仪输入低标溶液、高标溶液中待测元素的含量， 其中低标溶液中待测元素硅元素、铝元素和铜元素均为零，高标溶液中待测元素硅元素O. 25mg,招元素O. 05mg,铜元素O. 05mg。用电感稱合等离子体原子发射光谱仪对采用常规方法进行分析，分别得到低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素和铜元素的能量值。电感耦合等离子体原子发射光谱仪根据所述低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素及铜元素的含量与检测能量值分别建立硅元素、铜元素和铝元素分析波长处的校准曲线；该校准曲线的线性相关系数大于O. 999。电感耦合等离子体原子发射光谱仪根据得到的硅元素、铜元素和铝元素的波长确定所述各元素波长处的线性相关系数。本实施例中，硅元素的分析波长为251.611nm，硅元素分析波长处的线性相关系数为O. 9999 ;铜元素的分析波长为224. 700nm，铜元素分析波长处的线性相关系数为I. 0000 ;铝元素的分析波长为237. 313nm，铝元素分析波长处的线性相关系数为O. 9999。步骤7，测定镁钕合金中杂质元素称取待测镁钕合金试样并向电感耦合等离子体原子发射光谱仪输入待测镁钕合金试样的重量，并对试样溶液进行分析得到硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值。电感耦合等离子体原子发射光谱仪通过步骤6中确定的硅元素、铜元素和铝元素分析波长处的校准曲线，计算出所述硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值下的硅元素、铜元素和招元素含量。本实施例中，镁钕合金试样中娃元素含量为O. 005%,铜元素含量为
O.003%，铝元素含量为O. 002%。
权利要求
1.一种测定镁钕合金中杂质的方法，其特征在于，具体过程是 步骤I，试样溶液的制备 称取O. IOg镁钕合金样品置于150ml容器中，该镁钕合金中钕的含量为25% ;在容器中加入IOml盐酸(1:1)，镁钕合金样品与盐酸(1:1)发生反应，得到镁钕合金样品溶液；将镁钕合金样品溶液自然冷却至室温；将冷却后的镁钕合金样品溶液转移到100毫升容量瓶中，用蒸馏水稀释至刻度并混合均匀，得到待测定的试样溶液； 步骤2，低标溶液的配制 称取O. IOg含量为99. 999%的屑状高纯镁；将所述高纯镁置于150ml容器中，在该容器中加入25ml的钕标准溶液；在容器中加入IOml盐酸(1+1);高纯镁溶解为高纯镁溶液；将自然冷却至室温的高纯镁溶液转移到100毫升容器中，用蒸馏水稀释至100毫升并混合均匀，得到低标溶液； 步骤3，高标溶液的配制 称取O. IOg含量为99. 999%的屑状高纯镁；将所述高纯镁置于150ml容器中，并在该容器中加入IOml盐酸(1+1)，高纯镁溶解为高纯镁溶液；将自然冷却至室温的高纯镁溶液转移到100毫升容器中，并在烧杯中分别加入25ml钕标准溶液、O. 5ml硅标准溶液、Iml铝标准溶液和Iml铜标准溶液得到混合溶液；用蒸馏水将得到的混合溶液稀释至100毫升并混合均匀，得到高标溶液；所述的硅标准溶液浓度为O. 5mg/ml，铝标准溶液浓度为O. 05mg/ml，铜标准溶液浓度为O. 05mg/ml ； 步骤4，分析参数的确定 确定分析参数的具体过程是向电感耦合等离子体原子发射光谱仪输入低标溶液、高标溶液中待测元素的含量，其中低标溶液中待测元素硅元素、铝元素和铜元素均为零，高标溶液中待测元素硅元素O. 25mg，铝元素O. 05mg，铜元素O. 05mg ;用电感耦合等离子体原子发射光谱仪通过常规方法对低标溶液和高标溶液进行分析，分别得到低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素和铜元素的能量值；采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪通过常规方法对试样溶液进行分析，并根据校准曲线计算出试样溶液中硅元素、铝元素和铜元素的含量；所述校准曲线是电感耦合等离子体原子发射光谱仪根据输入的低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素和铜元素的含量和分析得到的能量值建立的； 确定分析参数时，电感耦合等离子体原子发射光谱仪的分析功率为1200W，等离子气流量为15L/min，辅助气流量为O. 2L/min，载气流量为O. 5L/min，溶液提升量为I. 5ml/min ；步骤5，确定硅元素、铜元素和铝元素的分析波长 通过对电感耦合等离子体原子发射光谱仪分别得到试样溶液中硅元素、铜元素和铝元素各波长处的谱线扫描图，在得到的谱线扫描图中分别显示了硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值、干扰元素和干扰能量值；利用谱线扫描图中分别显示的硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值、干扰元素和干扰能量值分别确定硅元素、铜元素和铝元素的分析波长，其具体的过程是 a.确定硅元素的分析波长 所述硅元素的各波长包括 Si251. 611nm、Si212. 412nm、Si288. 158nm 和 Si252. 851nm ；在所述硅元素各波长中，选取检测能量值最高、干扰元素最少、干扰能量值最低的波长作为硅元素的分析波长；b.确定铜元素分析波长 所述铜元素的各波长包括 Cu327. 393nm、Cu324. 752nm、Cu224. 700nm 和 Cu222. 778nm ；在所述铜元素各波长中，选取检测能量值最高、干扰元素最少、干扰能量值最低的波长作为铜兀素的分析波长； c.铝元素分析波长选择 所述铝元素的各波长包括A1237. 313nm、A1308. 215nm和A1396. 153nm ;在所述铝元素各波长中，选取检测能量值最高、干扰元素最少、干扰能量值最低的波长作为铝元素的分析波长; 分别得到硅元素、铜元素和铝元素的分析波长； 步骤6，确定硅元素、铜元素和铝元素分析波长处的校准曲线 通过电感耦合等离子体原子发射光谱仪确定所述各元素波长处的校准曲线；具体过程是，电感耦合等离子体原子发射光谱仪根据所述低标溶液和高标溶液中硅元素、铝元素及铜元素的含量与检测能量值分别建立硅元素、铜元素和铝元素分析波长处的校准曲线；该校准曲线的线性相关系数大于O. 999 ； 步骤7，测定镁钕合金中杂质元素 称取待测镁钕合金试样并向电感耦合等离子体原子发射光谱仪输入待测镁钕合金试样的重量，并对试样溶液进行分析得到硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值；电感耦合等离子体原子发射光谱仪通过确定的硅元素、铜元素和铝元素分析波长处的校准曲线，计算出所述硅元素、铜元素和铝元素的检测能量值下的硅元素、铜元素和铝元素含量。
全文摘要
一种测定镁钕合金中杂质的方法，吸入雾化器中的溶液经雾化器雾化成气溶胶后被载气带入到ICP炬管中进行原子化过程，仪器自动通过对原子化过程中待测元素发射光谱的谱线进行分析，最终得出待测元素的含量。本发明能够准确、快速的对镁钕合金中杂质元素的含量进行检测分析，将材料的分析周期由原来的最少七天缩短为1-2天，缩短了材料的分析周期，降低了成本，提高了生产效率，并为今后更多特殊材料和复杂基体材料的成分分析建立了分析模式，为更准确、更好的掌握材料性能打下基础。
文档编号G01N21/73GK102749320SQ20121024928
公开日2012年10月24日 申请日期2012年7月18日 优先权日2012年7月18日
发明者刘雄飞, 岳航, 王锦利, 胡彬, 赵勇, 郭子静 申请人:西安航空动力股份有限公司