专利名称：一种法拉第筒的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种加速器设备，尤其是一种法拉第筒。
背景技术：
由于大面积时电位下垂和低能束在表面的反射系数大，而且反射电子能量很大，所以低能大面积电子束的测量不能采用常规的入射光兰-抑制极光兰-测量靶的方法进行测量。

实用新型内容本实用新型提供了一种实现低能大面积电子束测量的法拉第筒。实现本实用新型目的的法拉第筒，包括本体，位于本体上方的前栅网，位于前栅网下方的抑制极栅网，位于本体底部的多个小孔深筒。所述小孔深筒长度和本体筒长之比可用导出的公式进行优化设计，使测量误差最小。本实用新型的法拉第筒的有益效果如下:本实用新型的法拉第筒，前栅网用来屏蔽外场干扰，抑制极栅网用来抑制二次电子，解决了大面积时电位下垂问题；同时，底部小孔深筒用来抑制反射电子对测量的影响，从而实现低能大面积电子束的测量；根据小孔深筒的小孔的占空比优化设计所述小孔深筒长度和本体筒长之比，可使测量误差最小。

图1为本实用新型的法拉第筒的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的法拉第筒，包括本体4，位于本体4上方的前栅网1，位于前栅网I下方的抑制极栅网2，位于本体4底部的多个小孔深筒3。所述小孔深筒长度和本体筒长之比可用公式进行优化设计，使测量误差最小。本实用新型的法拉第筒的优点如下:本实用新型的法拉第筒，前栅网用来屏蔽外场干扰，抑制极栅网用来抑制二次电子，底部小孔深筒用来抑制反射电子对测量的影响，从而实现低能大面积电子束的测量。上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。
权利要求1.一种法拉第筒，其特征在于:包括本体，位于本体上方的前栅网，位于前栅网下方的抑制极栅网，位于本体底部的多个小孔深筒。
专利摘要本实用新型提供了一种实现低能大面积电子束测量的法拉第筒，包括本体，位于本体上方的前栅网，位于前栅网下方的抑制极栅网，位于本体底部的多个小孔深筒。本实用新型的法拉第筒，前栅网用来屏蔽外场干扰，抑制极栅网用来抑制二次电子，底部小孔深筒用来抑制反射电子对测量的影响，从而实现低能大面积电子束的测量。
文档编号G01T1/29GK202995047SQ20122058167
公开日2013年6月12日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日
发明者张华顺, 赵涛 申请人:北京高能科迪科技有限公司