专利名称：一种hdi板激光钻孔偏移检查方法
技术领域：
本发明涉及一种HDI板激光钻孔偏移检查方法。
背景技术：
HDI (High Density Interconnection):高密度连接技术，在 BGA 或 SMT PAD 上可直接增加micron via使其与内层导通；减少为导通内层而设计的导通孔；可用空间增加， 提升布线密度、提升零件贴装密度；追求轻、薄、短、小、快、高集成化的设计；细线路、微小孔、薄介电层的高密度。在HDI板上钻孔通孔是采用机械式(采用钨钢钻头)钻孔机制作；盲孔是采用激光钻孔机制作。如图I 所示的 HDI 板，其包括1^1、1^2、1^3、1^4、1^5、1^6共6层，LU L6 为外层、L2-L5 为内层；其中L1、L6为铜面，用于制作表层线路及图形；L2-L3、L4-L5各为一张基板，基板由双面铜箔、环氧树脂组成，此外，在LI与L2、L3与L4、L5与L6之间设置玻织布，玻织布的材料也是环氧树脂，与基板中的环氧树脂差异是状态不同，玻织布经过高温压合，则转成基板的环氧树脂状态。在HDI板上开设有两种孔盲孔I、通孔2。盲孔I :
1.该盲孔I有一边是在板子的表面，然后通至板子的内部为止；
2.连接表层和内层而不贯通整板的导通孔；
3.位于印刷线路板的顶层和底层表面，具有一定深度，用于表层线路和下面的内层线路的连接，孔的深度通常不超过一定的比率(孔径)。如图所不盲孔I为第I层(LI)到第2 二层(L2),以及第6层(L6)到第5层(L5)。通孔2 :贯穿整板(如此例是第I层到第6层)的孔。其作业流程如下，如图2-5所示
1、1^2与1^3、1^4与1^5内层线路制作；
2、如图2所示迭合，放上玻织布及铜箔进行6层板的压合；
3、MASK制作在激光孔的位置将铜去处(图3)；
4、激光钻盲孔(图4)、机械钻通孔；
5、镀铜(图5)以及外层线路制作。步骤(3)中，MASK制作是指在外层的铜面对应需激光孔的位置上，根据厂内制程能力，设计与钻激光孔径大小匹配的图形，经过CAM计算机软件及光绘机，将图形转移到底片，然后通过曝光及蚀刻的方式，将图形转移到板子上，对应孔处的铜去处；MASK层即为激光开窗层。MASK制作是为了激光时激光能通过无铜的表面,这样激光燃烧内层(如LI到L2 之间)树脂，直至碰到内层铜面结束燃烧，树脂燃烧后形成的孔，就是盲孔。但是，HDI板针对激光盲孔偏移需要采用X-RAY查看，现有的盲孔对准判定方式 A为盲孔到达内层的对位图形，大小为12. 5mil ；B为MASK层与内层的重迭，大小为
34.5mi I，如图6所示，此设计因MASK层的图形小于内层图形的大小，故需用X-RAY透过铜确认两者是否偏移，且无法知晓偏移量；若当站无X-RAY机台，对质量管控及现场作业也存在不便利性。

发明内容
本发明目的是提供一种HDI板激光钻孔偏移检查方法。为达到上述目的，本发明采用的技术方案是
一种HDI板激光钻孔偏移检查方法,该方法用于检查HDI板上盲孔在激光开窗层与内层图形的偏移量，包括以下步骤
(1)、在激光开窗层上标记激光开窗层对位图形，所述的激光开窗层对位图形标记有多个，多个所述的激光开窗层对位图形的边长或直径依次增大；
(2)、在内层上标记内层对位图形所述的内层对位图形标记有多个，多个所述的内层对位图形的边长或直径相等，并且所述的内层对位图形与边长或直径最小的激光开窗层对位图形相同；
(3)、当目视HDI板上盲孔偏移量时，可从所述的激光开窗层对位图形与内层对位图形两者的偏移量得知
当所述的内层对位图形位于所述的激光开窗层对位图形正中心时，则偏移量为O ;
当所述的内层对位图形与激光开窗层对位图形相交时，则偏移量超出所述的内层对位图形与激光开窗层对位图形标记的设定值；
当所述的内层对位图形与激光开窗层对位图形相切时，则偏移量等于所述的内层对位图形与激光开窗层对位图形的边长或直径之差加制程蚀刻量之总和。优选地，在所述的激光开窗层对位图形、内层对位图形的首个图形位置处标记基准点，所述的激光开窗层对位图形以远离所述的基准点的方向，其边长或直径依次增大。优选地，所述的激光开窗层对位图形、内层对位图形为正方形。由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果
本发明主要是针对有Mask的制程，在MASK层及对应盲孔到达的内层设计对位图形，以便MASK制作完毕后(Mask后板子实际无铜图形大小，即为激光时盲孔在板子表层的大小)， 通过此设计，可目视确认MASK与对应盲孔的内层层偏，预先知晓激光后盲孔与内层图形对位的偏移量，不需用X-RAY，且能监控每片板子孔偏的质量，节约作业时间，提升质量。


附图I为6层HDI板的结构示意附图2为6层HDI板的作业不意图一；
附图3为6层HDI板的作业示意图二 ；
附图4为6层HDI板的作业示意图三；
附图5为6层HDI板的作业示意图四；
附图6为现有对位盲孔的设计示意附图7为MASK层对位图形标记示意附图8为内层对位图形标记示意图；附图9为内层对位图形位于MASK层对位图形正中心；
附图10为内层对位图形与MASK层对位图形相交；
附图11为内层对位图形与MASK层对位图形相切。其中1、盲孔；2、通孔。
具体实施例方式下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述
一种HDI板激光钻孔偏移检查方法，HDI板具有外层的铜层、内层的铜层，以及内、外层之间透明的树脂层，该方法用于检查HDI板上具有MASK制作(去铜)的盲孔与内层图形的偏移量，包括以下步骤
(1)、如图7所示在激光开窗层(以下简称MASK层)上标记MASK层对位图形，MASK层对位图形标记为正方形，共8个，8个MASK层对位图形从第一个到第八个的边长依次增大 O. 5mil，即单边依次增大O. 25mil ;并且在第一个MASK层对位图形的位置标记基准点；
(2)、如图8所示在内层上标记内层对位图形内层对位图形也标记为正方形,共8 个，8个内层对位图形第一个到第八个的边长相等，并且所有内层对位图形与第一个MASK 层对位图形的边长相等；同时也在第一个内层对位图形的位置标记基准点；
(3)、将MASK层对位图形与内层对位图形进行对位
如图9所示当内层对位图形位于MASK层对位图形的正中心时，内、外偏移量为O ; 如图10所示当内层对位图形与MASK层对位图形相交时，内、外偏移量超出内层对位图形与MASK层对位图形标记的设定值；
如图11所示当内层对位图形与MASK层对位图形相切时，内、外偏移量等于内层对位图形与MASK层对位图形标记的设定值，设定值即为MASK层对位图形较内层对位图形的边长差加制程蚀刻量之总和，制程蚀刻量为内层蚀刻量加MASK层蚀刻量，此值依据各厂实际制程能力定义。一般来说Mask制作后，通过MASK层的无铜设计，透过透明的树脂层，观察内层对位图形与MASK层对位图形(即去铜图形)的相切程度，从而得知偏移量。此外，设计多组对为图形在板边，一般为4个角各一组，用于监控品质。上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种HDI板激光钻孔偏移检查方法,该方法用于检查HDI板上盲孔在激光开窗层与内层图形的偏移量，其特征在于包括以下步骤(1)、在激光开窗层上标记激光开窗层对位图形，所述的激光开窗层对位图形标记有多个，多个所述的激光开窗层对位图形的边长或直径依次增大；(2)、在内层上标记内层对位图形所述的内层对位图形标记有多个，多个所述的内层对位图形的边长或直径相等，并且所述的内层对位图形与边长或直径最小的激光开窗层对位图形相同；(3)、当目视HDI板上盲孔偏移量时，可从所述的激光开窗层对位图形与内层对位图形两者的偏移量得知当所述的内层对位图形位于所述的激光开窗层对位图形正中心时，则偏移量为O ;当所述的内层对位图形与激光开窗层对位图形相交时，则偏移量超出所述的内层对位图形与激光开窗层对位图形标记的设定值；当所述的内层对位图形与激光开窗层对位图形相切时，则偏移量等于所述的内层对位图形与激光开窗层对位图形的边长或直径之差加制程蚀刻量之总和。
2.根据权利要求I所述的一种HDI板激光钻孔偏移检查方法，其特征在于在所述的激光开窗层对位图形、内层对位图形的首个图形位置处标记基准点，所述的激光开窗层对位图形以远离所述的基准点的方向，其边长或直径依次增大。
3.根据权利要求I所述的一种HDI板激光钻孔偏移检查方法，其特征在于所述的激光开窗层对位图形、内层对位图形为正方形。
全文摘要
本发明涉及一种HDI板激光钻孔偏移检查方法，包括在激光开窗层上标记多个激光开窗层对位图形，其边长或直径依次增大；在内层上多个标记内层对位图形，其边长或直径相等，并且内层对位图形与边长或直径最小的激光开窗层对位图形相同；当内层对位图形位于激光开窗层对位图形正中心时，则偏移量为0；当内层对位图形与激光开窗层对位图形相交时，则偏移量超出内层对位图形与激光开窗层对位图形标记的设定值；当内层对位图形与激光开窗层对位图形相切时，则偏移量等于内层对位图形与激光开窗层对位图形的边长或直径之差加制程蚀刻量之总和。本发明可目视确认层偏，且能监控每片板子孔偏的质量，节约作业时间，提升质量。
文档编号G01B5/02GK102607368SQ201210073889
公开日2012年7月25日 申请日期2012年3月20日 优先权日2012年3月20日
发明者王晓萍, 陈雨兰 申请人:昆山鼎鑫电子有限公司