专利名称：电子元件接触点失效分析方法
技术领域：
本发明涉及一种验证方法，尤其涉及一种电子元件接触点失效分析方法。
背景技术：
电子金属元件失效的原因很复杂，当电子金属元件失效时，一般传统的作法是通过腐蚀实验法进行处理，即将电子金属元件置于溶液(例如，Nitric acide)中维持一段腐蚀时间后清洗，再以光学显微镜观测其腐蚀面积大小来确定原因。由于插槽的接触点不良的原因有许多种，例如表面粗糙度过大、助焊剂残留、水吸附、异物污染、镀金层质量不佳、 镀镍层品质不佳、底材铜层空孔等。利用传统腐蚀实验法往往会造成偏差，例如，将金属元件置于溶液中时，溶液可能与金属元件中合格的区域发生反应，且传统的分析技术往往都无法有效定位失效点精确的位置，很难真正针对失效点去做分析。

发明内容
鉴于以上内容，还有必要提供一种电子元件接触点失效分析方法，其通过TDR设备找到金属元件中失效的位置，并通过二次电子显微镜、化学分析电子仪及傅里叶变换红外光谱仪对失效的位置进行分析，准确地得出失效的原因及失效点的确切位置，提高了失效验证的精确度。一种电子元件接触点失效分析方法，该方法包括以下步骤找到插槽中不合格的针脚；检测上述不合格的针脚是否被氧化；当不合格针脚被氧化时，检测出氧化物的成分及氧化物在不合格针脚中的具体位置；检测不合格的针脚中是否有助焊剂；当不合针脚中有助焊剂时，检测出助焊剂在针脚中的具体位置。相较于现有技术，所述的电子元件接触点失效分析方法，其通过TDR设备找到金属元件中失效的位置，并通过二次电子显微镜、化学分析电子仪及傅里叶变换红外光谱仪对失效的位置进行分析，准确地得出失效的原因及失效点的确切位置，提高了失效验证的精确度。


图1是本发明电子元件接触点失效分析方法较佳实施例的运行环境图。图2是本发明电子元件接触点失效分析方法较佳实施例的流程图。图3是本发明图2中寻找插槽中不合格针脚的运行环境图。图4是本发明图3中插槽中针脚的结构示意图。图5是本发明的插槽中不合格针脚表面的示意图。图6是本发明的插槽中不合格针脚表面的放大示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种电子元件接触点失效分析方法，其特征在于，该方法包括以下步骤找到插槽中不合格的针脚；检测上述不合格的针脚是否被氧化；当不合格针脚被氧化时，检测出氧化物的成分及氧化物在不合格针脚中的具体位置；检测不合格的针脚中是否有助焊剂；及当不合针脚中有助焊剂时，检测出助焊剂在针脚中的具体位置。
2.如权利要求1所述的电子元件接触点失效分析方法，其特征在于，所述找到插槽中不合格的针脚的步骤是通过TDR设备实现的。
3.如权利要求1所述的电子元件接触点失效分析方法，其特征在于，所述检测上述不合格的针脚是否被氧化的步骤是通过二次电子显微镜及化学分析电子仪实现的。
4.如权利要求1所述的电子元件接触点失效分析方法，其特征在于，所述检测不合格的针脚中是否有助焊剂的步骤是通过傅里叶变换红外光谱仪实现的。
5.如权利要求1所述的电子元件接触点失效分析方法，其特征在于，所述插槽是指内存插槽、板卡插槽及CPU插槽。
6.如权利要求1所述的电子元件接触点失效分析方法，其特征在于，所述针脚包括弹片及外壳，所述弹片固定在外壳上。
7.如权利要求1所述的电子元件接触点失效分析方法，其特征在于，所述二次电子显微镜及化学分析电子仪在检测上述不合格的针脚时，会生成一个图表，所述图表中包括所检测到的元素的含量以及氧化物的具体成分信息。
全文摘要
一种电子元件接触点失效分析方法，该方法包括以下步骤找到插槽中不合格的针脚；检测上述不合格的针脚是否被氧化；当不合格针脚被氧化时，检测出氧化物的成分及氧化物在不合格针脚中的具体位置；检测不合格的针脚中是否有助焊剂；当不合针脚中有助焊剂时，检测出助焊剂在针脚中的具体位置。利用本方法可以对电子元件进行验证，准确地得出失效的原因及失效点的确切位置，提高了失效验证的精确度。
文档编号G01N21/25GK102338755SQ201010227050
公开日2012年2月1日 申请日期2010年7月15日 优先权日2010年7月15日
发明者李伟强, 林志阳 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司