专利名称：电极与传感器薄膜良好接触的新方法
技术领域：
本发明涉及一种光敏传感器的设计方法，特别是关于电极与传感器薄膜良好接触的新方法。
背景技术：
现有的硫化铅薄膜光敏传感器通常由石英底板、镀络层、镀金层、硫化铅薄膜构成，其中镀金层为单层。它存在以下两方面的缺陷第一，限于制造工艺，其结构中镀金层与镀铬层不能很好地重合，因此常常引起硫化铅断膜，最终造成产品的合格率较低，由此直接降低了工厂的生产效率和经济效益。第二，传感器中镀金层与半导体硫化铅薄膜接触处容易形成势垒或不良接触，往往使传感器出现噪音极化现象，造成其使用性能较差，不能可靠、正常地工作。本发明人对硫化铅薄膜光敏传感器所做的检索表明，其它形式与结构的硫化铅薄膜光敏传感器尚未见诸文献报道以及在实际中使用。

发明内容
本发明的目的是提供一种电极与传感器薄膜良好接触的新方法，它为了克服现有硫化铅薄膜光敏传感器在制造和使用过程中的缺陷，提供电极与传感器薄膜良好接触的新方法，它不仅消除了金属与半导体之间的势垒或不良接触，避免了传感器出现噪音极化现象，提高了传感器使用的可靠性与稳定性，而且显著提高了产品的生产合格率，由于所需的制造技术无需改动现有的生产设备，因此可以明显提高工厂的综合经济效益。
本发明的技术方案是设计一种电极与传感器薄膜良好接触的新方法，其特征是它由石英底板(1)、镀铬层(2)、下镀金层(3)、硫化铅薄膜(4)、上镀金层(5)依次由下而上连接构成，上镀金层(5)同时覆盖在硫化铅薄膜(4)的部分外表面上和下镀金层(3)的部分上表面，覆盖在硫化铅薄膜(4)表面的面积大于硫化铅薄膜(4)覆盖下镀金层(3)的面积。
本发明的特点是由于这种硫化铅薄膜光敏传感器的设计方法，它制成了一种镀金层为双层的硫化铅薄膜光敏传感器，它是在现有的硫化铅薄膜光敏传感器的镀金层与硫化铅薄膜上覆盖了一层中间开孔的镀金层，通过这种结构不仅消除了金属与半导体之间的势垒或不良接触，避免了传感器出现噪音极化现象，提高了传感器使用的可靠性与稳定性，而且显著提高了产品的生产合格率，由于所需的制造技术无需改动现有的生产设备，因此可以明显提高工厂的综合经济效益。
下面结合实施例附图对本发明作进一步说明。


图1是实施例俯视图。
图2是图1的A-A剖视图。
图中1、石英底板；2、镀铬层；3、下镀金层；4、硫化铅薄膜；5、上镀金层。
具体实施例方式实施例的结构如图1和图2所示，图中在石英底板(1)上，镀铬层(2)分为左右对称的两部分覆盖于其上，下镀金层(3)同样分为左右对称的两部分覆盖于镀铬层(2)上，下镀金层(3)、镀铬层(2)与石英底板(1)之间的中空部分填入 形硫化铅薄膜(4)的“丨”部分， 硫化铅薄膜(4)的“—”部分则对称地覆盖于下镀金层(3)左右对称的两部分上，上镀金层(5)中间开孔且分为左右对称的两部分，左右对称地覆盖于下镀金层(3)未由硫化铅薄膜(4)覆盖的部分及部分硫化铅薄膜(4)上，并且上镀金层(5)覆盖硫化铅薄膜(4)面积应大于硫化铅薄膜(4)覆盖下镀金层(3)的面积。
本发明结构简单，彻底解决了现有硫化铅薄膜光敏传感器在制造及使用中所存在的前述问题，有效地提高了生产过程中的产品合格率，产品使用性能稳定、可靠，其制造无需改动现有设备，生产成本较低，综合经济效益较高。
权利要求
1.电极与传感器薄膜良好接触的新方法，其特征是它由石英底板(1)、镀铬层(2)、下镀金层(3)、硫化铅薄膜(4)、上镀金层(5)依次由下而上连接构成，上镀金层(5)同时覆盖在硫化铅薄膜(4)的部分外表面上和下镀金层(3)的部分上表面，覆盖在硫化铅薄膜(4)表面的面积大于硫化铅薄膜(4)覆盖下镀金层(3)的面积。
2.根据权利要求1所述的电极与传感器薄膜良好接触的新方法，其特征是所述的石英底板(1)上，镀铬层(2)分为左右对称的两部分覆盖于其上，下镀金层(3)同样分为左右对称的两部分覆盖于镀铬层(2)上，下镀金层(3)、镀铬层(2)与石英底板(1)之间的中空部分填入 形硫化铅薄膜(4)的“丨”部分， 硫化铅薄膜(4)的“—”部分则对称地覆盖于下镀金层(3)左右对称的两部分上，上镀金层(5)中间开孔且分为左右对称的两部分，左右对称地覆盖于下镀金层(3)未由硫化铅薄膜(4)覆盖的部分及部分硫化铅薄膜(4)上。
全文摘要
本发明是电极与传感器薄膜良好接触的新方法，其特征是它由石英底板(1)、镀铬层(2)、下镀金层(3)、硫化铅薄膜(4)、上镀金层(5)依次由下而上连接构成，上镀金层(5)同时覆盖在硫化铅薄膜(4)的部分外表面上和下镀金层(3)的部分上表面，覆盖在硫化铅薄膜(4)表面的面积大于硫化铅薄膜(4)覆盖下镀金层(3)的面积。这种硫化铅薄膜光敏传感器，它不仅消除了金属与半导体之间势垒或不良接触，避免传感器出现噪音极化现象，提高了传感器使用的可靠性与稳定性，而且显著提高了产品的生产合格率。
文档编号G01J1/02GK1553520SQ0313426
公开日2004年12月8日 申请日期2003年6月3日 优先权日2003年6月3日
发明者宁铎, 马令坤, 张振强, 宁 铎 申请人:宁铎, 宁 铎