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低温超导绝缘帕邢放电试验装置的制作方法

时间:2025-06-30    作者: 管理员

专利名称:低温超导绝缘帕邢放电试验装置的制作方法
技术领域
本发明涉及一种多用途低温超导绝缘帕邢放电试验装置,适用于高电压绝缘测 试领域。
背景技术
随着超导电力应用研究的不断深人,发达国家的超导电力设备正逐步接近实用 化和产业化水平。受控核聚变是基于氘、氚热核聚变反应的原理,获得取之不竭的清洁 能源。EAST超导托卡马克主机是本项重大科学工程的核心,它是由纵场(TF)超导线 圈、极向场(PF)超导线圈组合而成;线圈均采用采用4.2K超临界氦迫流冷却。EAST 装置由纵场线圈、极向场线圈、真空室、冷屏、外杜瓦与支撑等主要部件组成。为了研 究超导磁体稳定运行时关键绝缘部件高电压绝缘性能,我们设计了高电压绝缘性能测试装置。超导磁体对绝缘材料的要求主要有①绝缘性能由于液氦的渗透性强而耐电压 差,因此,超导磁体的绝缘材料要有一定的耐压强度和抗沿面放电能力;②力学性能 应具有足够的机械强度和可塑性,以承受超导磁体的极大的电磁力,并经多次冷热循环 后,仍具有所需的介电性能和力学性能;③热性能应具有良好的导热性能,绝缘材料与 超导材料的热特性应尽量接近;④工艺性应易于加工成型和装配;⑤抗辐射能力核装 置中的超导磁体,其绝缘材料还需能耐受超导体磁体失超时,局部过热可能造成磁体损 坏,还可能产生高电压引起磁体层间绝缘击穿。

发明内容
本发明的目的是提供一种低温超导绝缘帕邢放电试验装置,通过绝缘样品帕邢 放电实验来研究和探索EAST关键部件的绝缘工艺,来解决超导磁体系统的绝缘处理工 艺选择。本发明的技术方案如下一种低温超导绝缘帕邢放电试验装置,包括有真空室,其特征在于所述真空 室的端部密封安装有有端盖,有相并联的真空抽气管和补气管穿过所述的端盖并伸入到 所述的真空室内;所述真空室内放置有测试样品,所述测试样品的高电压输入端连接有 导线并引出;还包括有二个真空规管,所述二个规管的末端分别连接有真空计,二个的 真空规管的前端汇于一处,穿过所述的端盖并伸入到所述的真空室内;所述真空室的外 壁通过导线接地。本发明的有益效果本发明结构简单,安装方便,易于操作,具体表现为(1)、安装、拆卸方便;采用不锈钢法兰密封,密封效果较好;(2)、适用多种绝缘短样帕邢放电试验,通过改变真空室长度,可以满足不同长 度的绝缘试样;
(3)、抽真空和补气口设计轻巧,操作简单,便于维护;(4)、真空测量采用高、低真空两种规管,真空测量范围IX IO5-KT3Pa ;(5)、绝缘等级高达15kV以上,通过增加表面爬电距离,可以将绝缘等级提高 到更高水平。


图1为本发明的结构示意图。
具体实施例方式参见图1,一种低温超导绝缘帕邢放电试验装置,包括有真空室7,真空室7的 端部密封安装有有端盖6,有相并联的真空抽气管1和补气管2穿过端盖6并伸入到真空 室7内;真空室7内放置有测试样品8,测试样品8的高电压输入端连接有导线并引出; 还包括有二个真空规管4、5,二个规管4、5的末端分别连接有真空计9、10,二个的真 空规管4、5的前端汇于一处,穿过端盖6并伸入到真空室7内;真空室7的外壁通过导 线接地。真空抽气管1通过波纹管与真空机组相连接,将真空室7抽至要求的真空;补气 管2的作用是帕邢放电时对补气管2补气;二个规管4、5分别为高、低真空规管,用于 检测真空室7内的真空度,其检测结果通过二个真空计9、10上的读数得出;真空室7的 端部与端盖6通过多只M8螺钉旋紧固定,真空室7为测试样品8的试验空间。
权利要求
1. 一种低温超导绝缘帕邢放电试验装置,包括有真空室,其特征在于所述真空室 的端部密封安装有有端盖,有相并联的真空抽气管和补气管穿过所述的端盖并伸入到所 述的真空室内;所述真空室内放置有测试样品,所述测试样品的高电压输入端连接有导 线并引出;还包括有二个真空规管,所述二个规管的末端分别连接有真空计,二个的真 空规管的前端汇于一处,穿过所述的端盖并伸入到所述的真空室内;所述真空室的外壁 通过导线接地。
全文摘要
本发明公开了一种低温超导绝缘帕邢放电试验装置,包括有真空室,真空室的端部密封安装有有端盖,有相并联的真空抽气管和补气管穿过端盖并伸入到真空室内;真空室内放置有测试样品,测试样品的高电压输入端连接有高压导线并引出;还包括有二个真空规管,二个规管的末端分别连接有真空计,二个的真空规管的前端汇于一处,穿过端盖并伸入到真空室内;真空室的外壁通过导线接地。本发明结构简单,安装方便,易于操作,通过绝缘样品帕邢放电实验来研究和探索EAST关键部件的绝缘工艺,解决了超导磁体系统的绝缘处理工艺选择。
文档编号G01R31/12GK102012476SQ20101024301
公开日2011年4月13日 申请日期2010年7月27日 优先权日2010年7月27日
发明者于敏, 任志斌, 武玉, 钱衍达 申请人:中国科学院等离子体物理研究所

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