专利名称：半导体装置及半导体装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造技术，尤其涉及一种构成为使半 导体芯片在倾斜状态下被密封在树脂密封体内部的半导体装置技术。
背景技术：
关于构成例如磁力传感器或加速度传感器等物理量传感器的半导体装置，存在如 下半导体装置为了检出测三维空间内的方位或加速度，在传感器中的半导体芯片处于倾 斜的状态下，将该半导体芯片密封在树脂密封体的内部。关于此种半导体装置，例如在日本专利特开2006-100348号公报(参照专利文献 1)中有所揭示，其具有如下结构在引线框架的载置部上搭载了半导体芯片后，在将上述 引线框架设置在模塑模具上的工序中，将载置部设定为倾斜的。[专利文献1]日本专利特开2006-100348号公报

发明内容
但是，本发明者在经过对于以倾斜状态收纳半导体芯片而构成的半导体装置进行 研究之后，发现了以下问题。本发明者所研究的半导体装置中，在支撑着搭载半导体芯片的翼片(tab)的翼片 吊线内面，利用模压(coining)等方法而形成凹部。此凹部是成为使翼片倾斜时的起点的 部分。此处，若此凹部过深，则难以使用于模压的成形模具与翼片吊线分离，从而导致生 产能力降低，因此，凹部不能过于深。但是，若凹部较浅，则翼片吊线内面的凹部位置上的模 塑树脂部分会变得过薄，在进行去除凸起、〒1 ”力二、时上述模塑树脂部分被除去，使 翼片吊线的一部分露出，结果，导致在其后进行电镀处理时，在上述露出的翼片吊线部分附 着有金属电镀，此与设计初衷相违背。这样，会产生电镀附着不良(外观不良)，或者因该金 属电镀层而造成模塑树脂产生龟裂，从而导致半导体装置的良率降低。因此，本发明的目的在于提供一种能够提高半导体装置良率的技术。本发明的上述以及其他目的与新颖特征，可以根据本说明书的记述及附图而明 确。如下所示，简单说明本案揭示的发明中具有代表性的概要。也就是说，本发明具备在相对于树脂密封体的安装面倾斜的状态下被密封在树脂 密封体内部的半导体芯片，且在支撑着搭载上述半导体芯片的芯片搭载部的支撑引线上， 在上述安装面侧形成有凹部，而且上述凹部的2个侧面中，位于上述芯片搭载部侧的侧面 比上述凹部的另一侧面更倾斜。
[发明的效果]以下，对于由本案揭示的发明中的代表性特征可获得的效果，进行简单说明。即，上述支撑引线上形成的上述凹部的2个侧面中，位于上述芯片搭载部侧的侧 面，比上述凹部的另一侧面更倾斜，以此，可以提高半导体装置的良率。


图1是本发明一实施形态的半导体装置的上表面的整体平面图。图2是图1的半导体装置的下表面的整体平面图。图3是沿图1的Yl-Yl线的剖面图。图4是图3的半导体装置的主要部分放大剖面图。图5是图4所示的区域A的放大剖面图。图6是图1的半导体装置的下表面的主要部分放大平面图。图7是本发明者所研究的半导体装置的吊线在弯曲工序前的凹部部分的放大侧 视图。图8是在图7所示的吊线的弯曲工序之后、密封了半导体芯片之后的半导体装置 的主要部分放大剖面图。图9是图8所示的区域D的放大剖面图。图10是图8的半导体装置的树脂密封体的第1面的主要部分放大平面图。图11是本发明的一实施形态的半导体装置的制造流程图。图12是芯片搭载工序之后的引线框架的单位区域的平面图。图13是沿图12的Yl-Yl线的放大剖面图。图14是图13所示的区域H的放大侧视图。图15是焊线接合工序之后的引线框架的单位区域的平面图。图16是沿图15的Yl-Yl线的放大剖面图。图17是将引线框架设置在模具上之后的引线框架及模塑模具的单位区域的剖面 图。图18是图17所示的区域J的放大剖面图。图19是模塑工序之后的单位区域的半导体装置的剖面图。图20是本发明的一实施形态的半导体装置的制造工序中使用的引线框架的制造 流程图。[符号的说明]1树脂密封体2引线框架2a芯片焊垫(芯片搭载部)2b倾斜调整引线2c吊线(支撑引线)2d 引线2dl电镀层2e框体部
4
3半导体芯片
4接合焊线
5凹部
5a底面
5b、5c、5d 侧面
8a第1模具
8b第2模具
8b 1模槽
Sl第1面
32第2面
33第3面
S4第4面
35第5面
36第6面
具体实施例方式以下实施形态中，为了便于说明，分割为多个部分或者实施形态来进行说明，但 是，除了有特别说明以外，一般情况下，这些多个部分或者实施形态彼此之间并非毫无关 系，而是其中的一方是另一方的一部分或者全部的变形例、详细内容、补充说明等。另外， 在以下的实施形态中，当提及要素的数等(包括个数、数值、量、范围等)时，除了有特别说 明、以及理论上明确限定为特定数等情况以外，一般情况下并不限定为特定数，既可以是特 定数以上也可以是特定数以下。此外，在以下的实施形态中，关于其构成要素(也包括要素 步骤等)，除了有特别说明、以及理论上明确为必须等情况以外，并不一定是必须的。同样， 在以下的实施形态中，当提及构成要素等的形状、位置关系等时，除了有特别说明、以及理 论上明确并非如此等情况以外，包含实质上近似或类似于其形状等的情况。此描述对于上 述数值及范围也相同。另外，在用于说明本实施形态的所有图式中，对于具有相同功能的部 件标注相同的符号，并尽可能地省略其重复说明。以下，根据附图详细说明本发明的实施形 态。图1是本实施形态的半导体装置的上表面的整体平面图，图2是图1的半导体装 置的下表面的整体平面图，图3是沿图1的Yl-Yl线的剖面图，图4是图3的半导体装置的 主要部分放大剖面图，图5是图4所示的区域A的放大剖面图，图6是图1的半导体装置的 下表面的主要部分放大平面图。另外，图1中，为了便于观察附图，采用了可透视看到半导 体装置内部的方式。本实施形态的半导体装置例如采用QFN(Quad Flat Non leaded Package，四侧无 引脚扁平封装)方式构成。构成此半导体装置封装的树脂密封体1，是例如由环氧系树脂而 形成为平面四边形的薄板状，其具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第1面Si (安装面) 以及第2面S2。此外，树脂密封体1的第1面Sl相当于半导体装置的下表面(安装面)， 而树脂密封体1的第2面S2则相当于半导体装置的上表面。在此树脂密封体1的内部，密封着2个芯片焊垫(芯片搭载部)2a、倾斜调整引线
52b的一部分、吊线(支撑引线)2c的一部分、多根引线2d的一部分、2个半导体芯片3、以及 多根接合焊线(以下简称为焊线)4。各芯片焊垫2a，具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第3面S3以及第4面S4。另 外，各芯片焊垫2a相对于树脂密封体1的第1面Sl及第2面S2倾斜。也就是说，各芯片 焊垫2a，是以自树脂密封体1中央向外周逐渐变低的方式，在倾斜状态下形成的。在各芯片焊垫2a互相面对的这一侧的一边上，一体地形成有上述倾斜调整引线 2b。此倾斜调整引线2b，是有助于芯片焊垫2a的倾斜设定的部分，并且向与芯片焊垫2a的 第3面S3及第4面S4交差的方向(第3面S3侧)弯折。由此倾斜调整引线2b的长度、 弯曲角度，来决定芯片焊垫2a以及半导体芯片3的倾斜角度。倾斜调整引线2b的前端侧 的一部分，从树脂密封体1的第1面Sl露出。另外，各芯片焊垫2a的另一边上，一体地连接着2根吊线2c。此吊线2c具有沿厚 度方向而相互位于相反侧的第5面S5及第6面S6。此外，吊线2c的端部从树脂密封体1 的第1面Sl以及与其交差的侧面露出。在此吊线2c从树脂密封体1的第1面Sl露出的 部分上，形成有例如由银(Ag)电镀而成的电镀层。在此吊线2c的第5面S5上，如图4及图5所示，在比芯片焊垫2a更靠近密封树 脂体1外周的位置上，形成有沿吊线2c厚度方向凹下的较小的凹部5，该凹部5横切吊线 2c的延伸方向。如图5所示，此凹部5具有底面5a、以及与底面5a及吊线2c的第5面S5交差的 2个侧面5b、5c。此凹部5 (尤其是凹部5上，树脂密封体1的外周侧的侧面5b与底面5a 所形成的角)，是成为为了使芯片焊垫2a倾斜而使吊线2c弯曲时的起点的部分。本实施形态中，在此凹部5的2个侧面5b、5c中，位于芯片焊垫2a侧的侧面5c，比 凹部5在密封树脂体1的外周侧的侧面5b更倾斜。也就是说，凹部5的侧面5b与吊线2c 的第5面S5呈直角(设计上)交差。以此，如图5中的区域B所示，可以明确吊线2c的露 出部分与被覆盖部分。相对于此，凹部5的位于芯片焊垫2a侧的侧面5c，在倾斜状态下与 吊线2c的第5面S5交差而成为前锥形(forward tapered shape)的形状。以此，如图5 中的区域C所示，可以充分确保凹部5的侧面5c下的树脂密封体1部分的厚度。另外，此 前锥形是指，以使侧面5c从凹部5的底面5a向与其底面5a正交的方向逐渐远离，而使凹 部5的面积逐渐增大的方式，使侧面5c倾斜的状态。此外，在各芯片焊垫2a的周围，形成有多根引线2d。此多根引线2d通过焊线4而 与上述半导体芯片3电性连接。各引线2d的上表面的半导体芯片3侧的前端部上，局部地 形成有例如由银(Ag)构成的电镀层2dl。在形成有此电镀层2dl的部分，接合着上述焊线 4的第2焊接部。在引线2d的下表面及侧面，树脂密封体1侧的另一部分从树脂密封体1 的第1面Sl以及与其交差的侧面露出。如上所述的芯片焊垫2a、倾斜调整引线2b、吊线2c以及引线2d，例如是由铜(Cu) 或者42合金等金属形成。上述半导体芯片3，例如是由利用硅(Si)所形成的平面四边形状半导体薄板而构 成，其主面朝上，且其内面在朝向芯片焊垫2a的状态下与芯片焊垫2a的第4面S4接着而 被固定。此处，是以1个半导体装置内收纳有2个半导体芯片3为例进行说明。各半导体 芯片3的平面面积大于芯片焊垫2a的平面面积，并且在使半导体芯片3的外周从芯片焊垫
62a的外周露出的状态下，将上述各半导体芯片3搭载于芯片焊垫2a上。在此半导体芯片3的主面上，形成有例如磁力传感器或加速度传感器等物理量传 感器。为了检测出三维空间内的方位及加速度，此半导体芯片3(及芯片焊垫2a)在相对于 树脂密封体1的第1面Sl及第2面S2倾斜的状态下，被密封在树脂密封体1的内部。也 就是说，2个半导体芯片3，以自树脂密封体1的中央朝向外周逐渐降低的方式，在倾斜状态 下被密封在树脂密封体1的内部。接着，在半导体芯片3的主面外周附近，沿其主面外周并列配置多个接合焊垫(以 下简称为焊垫)。此焊垫，与半导体芯片3主面上的上述物理量传感器电性连接，并且与上 述焊线4的第1焊接部电性连接。接着，根据图7 图10说明本发明者所研究的半导体装置之后，说明图1 图6 中所示的半导体装置的效果。图7是表示本发明者所研究的半导体装置的吊线2c的弯曲工序之前的凹部5部 分的放大侧视图。在本发明者所研究的技术中，弯曲工序之前的吊线2c的凹部5的树脂密 封体外周侧的侧面5b、与芯片焊垫侧的侧面5d，一并与吊线2c的第5面S5正交。此时，若 凹部5过深，则产生如下问题凹部5形成后，难以从吊线2c顺利的分离凹部形成用模具， 或者，会因为强制分离而使吊线2c变形。随着半导体装置的小型轻量化的要求，吊线2c (引 线框架)变的越来越薄，此时，上述问题更佳明显。因此，就图7中的凹部5而言，必须形成 为较浅的凹部。接着，图8是表示上述图7所示的吊线2c的弯曲工序之后、密封了半导体芯片3之 后的半导体装置的主要部分放大剖面图，图9是图8所示的区域D的放大剖面图，图10是 图8所示的半导体装置的树脂密封体1的第1面Sl的主要部分放大平面图。在上述图7的构成中必须使凹部5变浅，但此时，如图8及图9所示，凹部5下的 树脂密封体1部分变薄。尤其是，图9的区域E的部位、也就是凹部5的芯片焊垫侧的侧面 5d与吊线2c的第5面S5交差的角的下方，无法充分确保树脂密封体1部分的厚度。因此， 在进行去除凸起(水洗清洗)时上述较薄的树脂密封体1部分会剥离。结果导致在对引线 2d及吊线2c的露出面实施电镀处理时，如图10所示，会产生如下问题在吊线2c的本来 不应形成电镀层的部位F上形成了电镀层，或者，因为形成有违背设计初衷的电镀层而导 致树脂密封体1产生龟裂G。结果，导致半导体装置的良率降低。相对于此，根据利用图1 图6所示的本实施形态的半导体装置，使吊线2c的凹 部5在芯片焊垫2a侧的侧面5c倾斜，从而，可以容易地对凹部形成用模具进行脱模，所以 可以形成较深的凹部5。另外，使吊线2c的凹部5的芯片焊垫2a侧的侧面5c倾斜，从而， 可以使从吊线2c的弯曲工序之后的侧面5c与吊线2c的第5面S5交差的角，至模塑模具的 下模具的上表面的距离，大于图8及图9所示的距离。以此，可以充分确保凹部5附近的树 脂密封体1部分的厚度。因此，可以减少或防止在进行去除凸起(水洗清洗)时凹部5附 近的树脂密封体1部分出现剥离的异常。所以，可以减少或防止吊线2c上在本来不应形成 电镀层的部位F形成电镀层，或者因为形成违背设计初衷的电镀层而导致树脂密封体1产 生龟裂G的问题，所以可以提高半导体装置的良率。另外，使凹部5的树脂密封体1的外周侧的侧面5b与吊线2c的第5面S5成直角 (相对而言是是锐角)，从而，如图5的区域B所示，可以减少或防止上述侧面5b侧的树脂
7密封体1的凸起(树脂毛边)，并可以明确吊线2c的露出部位与被覆部位的边界，因此可以 提高半导体装置的良率。接着，按照图11的流程图，使用图12 图19，来说明本实施形态的半导体装置的 制造方法的一例。首先，对完成了晶片处理(前工序)的半导体晶片进行切割处理，而将半导体晶片 分割成多个半导体芯片(图11中的工序100)。半导体晶片是由例如硅(Si)单晶形成的平 面大致呈圆形的半导体薄板构成，并在各半导体芯片的主面上形成上述物理量传感器。接着，如图12及图13所示，将上述半导体芯片3搭载到引线框架2的芯片焊垫 (芯片搭载部、翼片)2a上(图11中的工序101)。图12是芯片搭载工序之后的引线框架 2的单位区域的平面图，图13是沿图12的Yl-Yl线的放大剖面图。另外，图14是图13所 示的区域H的放大侧视图。上述引线框架2是由例如铜(Cu)或者42合金等形成的金属薄板而构成，并且具 有沿厚度方向而相互位于相反侧的上表面以及下表面。在此引线框架2的上下表面内，配置着一行或者多行状多个单位区域。在此引线 框架2的各单位区域中，一体地形成有2个芯片焊垫2a、一体形成于各芯片焊垫2a相互面 对的这一侧的前端的倾斜调整引线2b、支撑各芯片焊垫2a的2根吊线2c、配置在2个芯片 焊垫2a周围的多根引线2d、以及支撑上述多根引线2d及吊线2c的框体部2e。各芯片焊垫2a的第3面S3是引线框架2的下表面的一部分，而芯片焊垫2a的第 4面S4则是引线框架2的上表面的一部分。各芯片焊垫2a，通过分别与各芯片焊垫2a的 一边一体地连接的2根吊线2c，而与框体部2e整体连接。以此，各芯片焊垫2a由引线框架 2支撑。此阶段的芯片焊垫2a，相对于引线框架2的上下表面而言，并不是倾斜的，而是平 坦的。上述吊线2c的第5面S5是引线框架2的下表面的一部分，而吊线2c的第6面S6 则是引线框架2的上表面的一部分。此吊线2c的第5面S5上，在比芯片焊垫2a更靠近框 体部2e的位置上，形成有在吊线2c的厚度方向上凹下的上述较小的凹部5，此凹部5横切 吊线2c的延伸方向。在本实施形态中，如图14所示，此凹部5的与吊线2c的第5面S5交差的2个侧 面5b、5c中，位于芯片焊垫2a侧的侧面5c，比凹部5的框体部2e侧的侧面5b更倾斜。也 就是说，凹部5的框体部2e侧的侧面5b，与吊线2c的第5面S5呈直角(设计上)交差，相 对于此，位于凹部5的芯片焊垫2a侧的侧面5c，以前锥形的形状，在倾斜的状态下，与吊线 2c的第5面S5交差。以此，可使用于形成凹部5的模具容易地脱模。因此，可以较深地形 成凹部5。凹部5的深度，例如是15μπι 30μπι左右，较好地是15μπι 25μπι左右。当凹 部5的深度在15 μ m以下时，容易产生上述树脂密封体的一部分出现剥离的问题，另一方 面，当凹部5的深度在25 μ m以上时，吊线2c的强度下降，从而产生变形或断线不良。另外，凹部5的侧面5c的倾斜角度θ 1例如是30度 40度。此外，例如，设凹部 5的底面5a的长度(吊线2c的延伸方向的尺寸)Li，与侧面3c的长度(吊线2c的延伸方 向的尺寸)L2相等。
接着，如图15及图16所示，上述半导体芯片3的焊垫、与引线框架2的引线2d，是 通过焊线4而电性连接(图11中的工序102)。图15是焊线接合工序之后的引线框架2的 单位区域的平面图，图16是沿图15的Yl-Yl线的放大剖面图。焊线4是例如利用金(Au) 而形成。焊线4是例如通过正接的方式而被焊接。也就是说，焊线4的一端(第1焊接)与 半导体芯片3的焊垫接合，而焊线4的另一端(第2焊接)与引线2d的前端的电镀层2dl 接合。此后，进入转移模塑工序。此处，首先如图17及图18所示，利用模塑模具的第1 模具8a与第2模具8b夹住引线框架2。图17是将引线框架2设置在模塑模具上之后的引 线框架2以及模塑模具的单位区域的剖面图，图18是图17中的区域J的放大剖面图。第 1模具8a的上表面平坦，且该第1模具8a连接于引线框架2的下表面。第2模具8b的厚 度方向上具有凹下模槽8bl，且该模槽8bl内收纳有引线框架2的单位区域的2个半导体芯 片3以及芯片焊垫2a等。当如上所述，利用第1模具8a与第2模具8b夹住引线框架2时，引线框架2的倾 斜调整引线2b受第1模具8a的作用被推向图17的上方，以此，吊线2c以上述凹部5为起 点而向图17中的上方弯曲，并且，芯片焊垫2a的倾斜调整引线2b侧向图17中的上方上升。 以此，芯片焊垫2a相对于第1模具8a的上表面(或者框体部2e的上下表面)倾斜。此时，在本实施形态中，如图18所示，使吊线2c的凹部5的侧面5c倾斜，从而，可 确保自凹部5的侧面5c与吊线2c的第5面S5交差的角部，至第1模具8a的上表面的距 离较大。接着，在模槽8bl内流入例如环氧系树脂，待其硬化后，从模塑模具取出，如图19 所示，在各单位区域形成树脂密封体1。图19是模塑工序之后的单位区域内的半导体装置 的剖面图。树脂密封体1具有沿厚度方向而相互位于相反侧的第1面Sl及第2面S2。使 用树脂密封体1，覆盖半导体芯片3、芯片焊垫2a、倾斜调整引线2b的一部分、吊线2c的一 部分、多根引线2d的一部分以及焊线4(图11中的工序103)。接着，利用去除凸起(水洗清洗)处理对从树脂密封体1露出的金属部分进行清 洗后，在引线框架2(引线2d)的从树脂密封体1露出的表面上，形成例如由银构成的电镀 层(图11中的工序104)。此时，在本实施形态中，对于翼片吊线2c的第5面S5的凹部5 附近的树脂密封体1的一部分的厚度，可以确保为在去除凸起(水洗)时不会被剥离的程 度，所以，可以避免产生翼片吊线2c的一部分从树脂密封体1露出的问题。因此，可以避免 在电镀处理工序104时，翼片吊线2c的一部分违背设计初衷而附着有电镀的电镀附着不良 (外观不良)的问题。此外，可避免因上述电镀层而导致树脂密封体1产生龟裂的问题。因 此，可以提高半导体装置的良率。此后，切除引线框架2的一部分，来形成引线2c (图11中的工序105)。以此，从引 线框架2中分离出各个半导体装置。之后，经过筛选工序(图11中的工序106)制成良品。下面，按照图20的流程图，说明上述图12所示的引线框架2的制造方法的一例。首先，准备例如由铜(Cu)或者42合金等构成的平坦的金属薄板，并使用抗蚀剂掩 模对其实施蚀刻处理，以此，使上述芯片焊垫2a、倾斜调整引线2b、吊线2c、多根引线2d以 及框体部2e图案化(图20中的工序200)。此阶段的倾斜调整引线2b，并不相对于芯片焊 垫2a而言，并不倾斜，而是平坦的。
接着，在多根引线2d的前端部，选择性地形成例如由银(Ag)等构成的电镀层(图 20中的工序201)。此后，通过模压法等方法，在吊线2c的第5面S5的一部分上形成上述 凹部5 (图20中的工序202)。之后，使倾斜调整引线2b向与芯片焊垫2a的第3面S3交差 的方向弯曲(图20中的翼片弯曲加工工序203)。接着，经过检查等工序，制成良品。模压加工工序202与翼片弯曲加工工序203也可以在1个工序中进行。从而，可 以减少须要准备的模具种类。另外，可以缩短加工时间。另一方面，如上所述，在分别进行 模压加工工序202与翼片弯曲加工工序203时，准备并组合多种用于翼片弯曲加工的模具， 以此，可以个别调整倾斜调整引线的弯曲量，所以可以制造出安装(半导体芯片3的倾斜) 角度不同的多种式样的物理量传感器。以上，根据实施形态，具体说明了本发明者所提出的发明，但是本发明并不仅限于 上述实施形态，可在不脱离其宗旨的范围内进行各种变更。以上，主要说明了将本发明者提出的发明应用于作为其背景的利用领域中，也就 是磁力传感器及加速度传感器的制造方法中的情况，但是并不限定于此，本发明可以应用 于各种领域，例如可以应用于其他传感器中。[产业上的可利用性]本发明可应用于半导体装置的制造业中。
权利要求
一种半导体装置的制造方法，其包括以下步骤(a)提供包含芯片搭载部、多根引线以及吊线的引线框架，所述吊线具有被覆盖部分、露出部分以及形成于所述被覆盖部分与所述露出部分之间的凹部；(b)在所述步骤(a)之后，在所述芯片搭载部上搭载包含多个焊垫的半导体芯片；(c)在所述步骤(b)之后，使所述半导体芯片的所述焊垫与所述引线通过多根焊线电性连接；(d)在所述步骤(c)之后，使用第一金属模具及第二技术模具夹住所述引线框架，使所述吊线以所述凹部为起点弯曲，并且使所述吊线的所述露出部分的整个下表面与所述第一金属模具接触；(e)在所述步骤(d)之后，使用树脂对所述半导体芯片、所述焊线、所述芯片搭载部以及所述吊线的所述被覆盖部分进行密封，使得所述吊线的所述露出部分的所述整个下表面从所述树脂露出。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述引线框架包含倾斜调整引 线；以及其中在所述步骤(d)中，使用所述第一金属模具向上推所述倾斜调整引线而使所述吊 线弯曲。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过实施所述步骤(e)形成树脂 密封体；其中所述树脂密封体的平面图中的形状由四边形组成；以及其中在所述树脂密封体中，所述吊线仅在垂直于所述树脂密封体的侧面的方向上延伸。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述凹部具有位于所述芯片搭载 部的第一侧面以及与所述第一侧面相对的第二侧面；以及其中所述第一侧面比所述第二侧面更倾斜。
全文摘要
本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其能够提高半导体装置的良率，该半导体装置中，将半导体芯片3密封在构成半导体装置的树脂密封体1的内部，且使该半导体芯片3处于相对于树脂密封体1的上下表面倾斜的状态。在支撑着搭载此半导体芯片3的芯片焊垫2a的吊线2c中，在搭载着半导体芯片3的面的相反侧、即第5面S5上，形成有小的凹部5。此凹部5是成为使芯片焊垫2a倾斜时的起点的部分。此凹部5的2个侧面5b、5c中，靠近芯片焊垫2a侧的侧面5c，比靠近树脂密封体1外周侧的侧面5b更倾斜。
文档编号G01P1/02GK101937856SQ20101026319
公开日2011年1月5日 申请日期2007年10月26日 优先权日2006年11月2日
发明者田中茂树 申请人:瑞萨电子株式会社