专利名称：SiC砂子检测方法
技术领域：
本发明涉及硅晶切片所用辅料检测的领域，尤其是一种SiC砂子检测方法。
背景技术：
目前对SiC微粉主要是粒度方面的参数，如D50值，可以衡量SiC砂子微粉的粒径 来表征SiC砂子切割能力，但是目前的粒度分布只表征了粒径的大小，没有对粒度的微分 分布的多少进行规定，而在多线切割领域，砂子的质量好坏直接决定了产品的质量。因此， 对粒度的微分分布进行表征，可以控制SiC砂子的质量。

发明内容
本发明要解决的技术问题是为了控制SiC砂子的质量，本发明提供一种SiC砂子 检测方法。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种SiC砂子检测方法，将SiC砂 子粒度划分为3个区域小颗粒区域粒径范围为1 5. 53um，可切割颗粒区域粒径范围为 8. 21 12. 18um，大颗粒区域粒径范围为23. 52 34um，规定小颗粒含量彡3. 00%，可切割 颗粒含量> 55%，大颗粒含量0. 35%。本发明的一种更进一步的方案，将SiC砂子粒度划分为3个区域所述的小颗粒区 域粒径范围为1 4. 25um，所述的可切割颗粒区域粒径范围为7. 20 10. 68um，所述的大 颗粒区域粒径范围为20. 62 30um，规定小颗粒含量< 3. 00%，可切割颗粒含量> 55%，大 颗粒含量0. 35%。本发明的有益效果是，本发明SiC砂子检测方法，对粒度微分分布进行表征，控制 了 SiC砂子的质量，由砂子引起的合格率波动值由8%降低至2%，从多线切割原理上，增加 可切割颗粒的含量，减少小颗粒和大颗粒的含量。
具体实施例方式实施例1将SiC砂子粒度划分为3个区域小颗粒区域粒径范围为1 5. 53um，可切割颗 粒区域粒径范围为8. 21 12. 18um，大颗粒区域粒径范围为23. 52 34um，规定小颗粒含 量< 3. 00%，可切割颗粒含量> 55%，大颗粒含量0. 35%。由砂子引起的合格率波动值由8%降低至2%。实施例2将SiC砂子粒度划分为3个区域小颗粒区域粒径范围为1 4. 25um，可切割颗 粒区域粒径范围为7. 20 10. 68um，大颗粒区域粒径范围为20. 62 30um，规定小颗粒含 量< 3. 00%，可切割颗粒含量> 55%，大颗粒含量0. 35%。由砂子引起的合格率波动值由8%降低至2%。以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完
3全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术 性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求
一种SiC砂子检测方法，其特征是将SiC砂子粒度划分为3个区域小颗粒区域粒径范围为1～5.53um，可切割颗粒区域粒径范围为8.21～12.18um，大颗粒区域粒径范围为23.52～34um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。
2.根据权利要求1所述的SiC砂子检测方法，其特征是将SiC砂子粒度划分为3个区 域所述的小颗粒区域粒径范围为1 4. 25um，所述的可切割颗粒区域粒径范围为7. 20 10. 68um，所述的大颗粒区域粒径范围为20. 62 30um，规定小颗粒含量< 3. 00%，可切割 颗粒含量> 55%，大颗粒含量0. 35%。
全文摘要
本发明涉及硅晶切片所用辅料检测的领域，尤其是一种SiC砂子检测方法。将SiC砂子粒度划分为3个区域小颗粒区域粒径范围为1～5.53um，可切割颗粒区域粒径范围为8.21～12.18um，大颗粒区域粒径范围为23.52～34um，规定小颗粒含量≤3.00％，可切割颗粒含量≥55％，大颗粒含量0.35％。本发明SiC砂子检测方法，对微分分布进行表征，控制了SiC砂子的质量，由砂子引起的合格率波动值由8％降低至2％。
文档编号G01N15/02GK101975731SQ20101023817
公开日2011年2月16日 申请日期2010年7月28日 优先权日2010年7月28日
发明者张华 申请人:常州天合光能有限公司