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一种传感型真空度测量装置的制作方法

时间:2023-06-15    作者: 管理员

专利名称:一种传感型真空度测量装置的制作方法
技术领域
本发明属于精密测量技术领域,具体涉及一种传感型真空度测量装置。
背景技术
目前常规的真空测量装置存在着很多缺陷,比如采用电阻规皮拉尼、热偶,所一致产生的问题就是测量范围小,一般都在ΙΟΟΟΡ Ρ或是ZOPlWOF1,而且在测量过程中容易受到污染,同时受到环境温度影响也较大,温度范围大都限制在10°c 40°C,并且在1 (TC 40°C范围内温度对测量精度的影响也是很大的。

发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种工艺简单、灵敏度高、抗污性能好、真空测量范围广的传感型真空度测量装置。一种传感型真空度测量装置,包括壳体,所述壳体的两轴向端面上分别设有真空连接口及仪表连接座;所述壳体内设有真空室,该真空室中安装有半导体敏感元件,所述半导体敏感元件与仪表连接座呈桥路电路连接。所述真空室外设有控恒温装置。本发明利用半导体敏感元件在不同的真空度条件下的散热变化,得出相应的桥路电阻变化,由此测量出精确的真空度,不仅电荷传输过程中有非常高的灵敏度,而且工艺简单、抗污染性能好,并且控恒温装置的设置更加能够保证其在测量时的精度不会受到影响。


图1为本发明的结构示意图。
具体实施例方式以下结合具体实施例,对本发明做进一步说明。应理解,以下实施例仅用于说明本发明而非用于限制本发明的范围。实施例1
参见图1,本发明提供的一种传感型真空度测量装置,包括壳体1,所述壳体I的两轴向端面上分别设有真空连接口 2及仪表连接座3,所述壳体I内设有真空室4,该真空室4中安装有半导体敏感元件5,所述半导体敏感元件5的一端穿过高真空密封座6电连接电路板7上,所述电路板7与仪表连接座3电连接,所述半导体敏感元件5与仪表连接座3的电连接方式为桥路连接。实施例2
运行原理:半导体敏感元件5桥路通电加热后,升至10(Tl8(rC,在精确的电压及恒定的温度下,桥路会产生精度很高的电压,在不同的真空度条件下,半导体敏感元件5的散热发生了变化,相应的桥路电阻发生了变化,其变化值就是真空度,由于半导体敏感元件5受温面积极小,在0.2~1m/m间,所以在电荷传输过程中有非常高的灵敏度。
权利要求
1.一种传感型真空度测量装置,包括壳体,所述壳体的两轴向端面上分别设有真空连接口及仪表连接座,其特征在于:所述壳体内设有真空室,该真空室中安装有半导体敏感元件,所述半导体敏感元件与仪表连接座呈桥路电路连接。
2.根据权利要求1所述的一种传感型真空度测量装置,其特征在于:所述真空室外设有控恒温装 置。
全文摘要
本发明公开了一种传感型真空度测量装置,包括壳体,所述壳体的两轴向端面上分别设有真空连接口及仪表连接座;所述壳体内设有真空室,该真空室中安装有半导体敏感元件,所述半导体敏感元件与仪表连接座呈桥路电路连接。本发明利用半导体敏感元件在不同的真空度条件下的散热变化,得出相应的桥路电阻变化,由此测量出精确的真空度,不仅电荷传输过程中有非常高的灵敏度,而且工艺简单、抗污染性能好。
文档编号G01L21/12GK103234692SQ201310132288
公开日2013年8月7日 申请日期2013年4月17日 优先权日2013年4月17日
发明者姚琪旼 申请人:上海祖发实业有限公司

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