专利名称：一种缺陷检测的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种缺陷检测的方法。
背景技术：
随着半导体芯片的集成度不断提高，集成电路设计从晶体管的集成发展到逻辑门的集成，现在又发展到IP的集成，使得芯片的集成度越来越高，而芯片上的电路分布也就越来越复杂。
在实际的生产过程的缺陷检测工艺中，由于各种缺陷的分布往往和电路在芯片上的密度分布是有很强的相关性，现有技术中一般采用光学检测方法进行芯片上的缺陷检测；图I是本发明背景技术中采用光学检测工艺获得的缺陷与芯片上电路密度的关系示意图，由图I可知，金属线的缺陷大多都是位于电路密度相对低的芯片区域。
光学检测工艺是通过将一束光先投射到芯片上，然后利用探测器接受反射和/或散射的光信号，再接受的光信号转化为不同亮暗分布的数据图形；图2a_2c是本发明背景技术中将电路的光学图转换为数据灰阶图形的示意图，如图2a_2c所示。先采用光信号发射装置发射检测光信号至芯片电路图形I上，然后利用探测器接受芯片电路图形I反射和/ 或折射回的光信号图形2，之后再将光信号图形2转换为灰阶图形3，最后再对相邻芯片组的灰阶图形数据进行比对，以确定缺陷在芯片上的具体位置。
但是，由于芯片上的不同电路图形对于同一个光源的反射和/或散射信号是不同的，而在实际的操作过程中工程师是通过在设备端大致观察芯片的电路分布，然后手动的划分不同的缺陷检测区域进行缺陷的检测工艺，这就造成①由于不能精准的划分不同电路密度的检测区域，会造成检测精度的降低；②由于工程师的工作量巨大，进而造成其工作效率的低下；③由于工程师在缺陷检测工艺中的工作效率低下，进而会增大占用设备的生产时间，致使设备的生产效率的低下。发明内容
针对上述存在的问题，本发明揭示了一种缺陷检测的方法，主要是通过预先设定芯片电路密度分布图进行缺陷检测的工艺。本发明的目的是通过下述技术方案实现的一种缺陷检测的方法，其中，提供一个完整的芯片；扫描所述完整的芯片，获得该完整的芯片的电路密度分布图；根据所述电路密度分布图，设定待检测芯片的多个缺陷检测区域；利用所述多个缺陷检测区域，对所述待检测芯片进行缺陷检测分析。
上述的缺陷检测的方法，其中，采用光学检测工艺对所述待检测芯片进行缺陷检测分析。
上述的缺陷检测的方法，其中，采用所述光学检测工艺中的缺陷检测光源扫描所述完整的芯片。
上述的缺陷检测的方法，其中，所述多个缺陷检测区域的范围为1-100。
上述的缺陷检测的方法，其中，根据电路密度梯度等级获得所述电路密度分布图。
上述的缺陷检测的方法，其中，根据缺陷检测工艺需求设定所述电路密度梯度等级。
上述的缺陷检测的方法，其中，所述完整的芯片是所述待检测芯片标本。
上述的缺陷检测的方法，其中，根据缺陷检测工艺的需求设定所述检测区域的个数。综上所述，本发明一种缺陷检测的方法，通过采用完整的芯片扫描获得电路密度分布图，并以该电路密度分布图设定多个缺陷检测区域，进而利用该缺陷检测区域进行芯片的缺陷检测分析工艺，由于能精准的划分不同电路密度的检测区域，以提高缺陷检测的精度， 有效的降低工程师的工作量，从而提高工程师在缺陷检测工艺中的工作效率，进而降低设备的生产时间，大大的提高了检测工艺的生产效率。
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图I是本发明背景技术中采用光学检测工艺获得的缺陷与芯片上电路密度的关系不意图；图2a_2c是本发明背景技术中将电路的光学图转换为数据灰阶图形的示意图；图3是本发明缺陷检测的方法的实施例中芯片电路密度分布示意图；图4是本发明缺陷检测的方法的实施例中缺陷检测区域示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式
作进一步的说明如图3-4所示，本发明一种缺陷检测的方法，首先，提供一个作为待检测芯片标本的完整的芯片，采用光学检测工艺中的缺陷检测光源扫描该完整的芯片，并根据缺陷检测工艺需求设定电路密度梯度等级，利用设定好的电路密度等级及光学检测工艺中的探测器接收到的芯片电路图形反射和/或折射回的光信号图形，获得如图3所示的该完整的芯片在一定电路密度梯度等级下的芯片电路密度分布图。
然后，如图4所示，光学检测工艺设备以获得的芯片电路密度分布图为样本，自动划分多个不同的芯片检测区域。
最后，利用该多个不同的芯片检测区域对待检测芯片进行光学检测工艺，以检测分析待检测芯片缺陷的具体位置，即先采用光信号发射装置发射检测光信号至待检测芯片电路图形上，然后利用探测器接受待检测芯片电路图形反射和/或折射回的光信号图形， 之后再将光信号图形转换为灰阶图形，最后再对相邻待检测芯片组的灰阶图形数据进行比对，以确定缺陷在芯片上的具体位置。
进一步的，上述多个缺陷检测区域的范围为1-100，且由于缺陷检测区域是检测设备根据设定的电路密度梯度等级自动划分的，在精确划分的同时，也有效减轻了工程师的工作量。综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明实施例提出一种缺陷检测的方法，通过采用完整的芯片扫描获得电路密度分布图，并以该电路密度分布图设定多个缺陷检测区域， 进而利用该缺陷检测区域进行芯片的缺陷检测分析工艺，由于能精准的划分不同电路密度的检测区域，以提高缺陷检测的精度，有效的降低工程师的工作量，从而提高工程师在缺陷检测工艺中的工作效率，进而降低设备的生产时间，大大的提高了检测工艺的生产效率。
通过说明和附图，给出了具体实施方式
的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。 因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
权利要求
1.一种缺陷检测的方法，其特征在于，提供一个完整的芯片；扫描所述完整的芯片，获得该完整的芯片的电路密度分布图；根据所述电路密度分布图，设定待检测芯片的多个缺陷检测区域；利用所述多个缺陷检测区域，对所述待检测芯片进行缺陷检测分析。
2.根据权利要求I所述的缺陷检测的方法，其特征在于，采用光学检测工艺对所述待检测芯片进行缺陷检测分析。
3.根据权利要求2所述的缺陷检测的方法，其特征在于，采用所述光学检测工艺中的缺陷检测光源扫描所述完整的芯片。
4.根据权利要求I所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述多个缺陷检测区域的范围为1-100。
5.根据权利要求I所述的缺陷检测的方法，其特征在于，根据电路密度梯度等级获得所述电路密度分布图。
6.根据权利要求5所述的缺陷检测的方法，其特征在于，根据缺陷检测工艺需求设定所述电路密度梯度等级。
7.根据权利要求I所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述完整的芯片是所述待检测芯片标本。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的缺陷检测的方法，其特征在于，根据缺陷检测工艺的需求设定所述检测区域的个数。
全文摘要
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种缺陷检测的方法。本发明提出一种缺陷检测的方法，通过采用完整的芯片扫描获得电路密度分布图，并以该电路密度分布图设定多个缺陷检测区域，进而利用该缺陷检测区域进行芯片的缺陷检测分析工艺，由于能精准的划分不同电路密度的检测区域，以提高缺陷检测的精度，有效的降低工程师的工作量，从而提高工程师在缺陷检测工艺中的工作效率，进而降低设备的生产时间，大大的提高了检测工艺的生产效率。
文档编号G01N21/956GK102937597SQ201210432309
公开日2013年2月20日 申请日期2012年11月2日 优先权日2012年11月2日
发明者倪棋梁, 陈宏璘, 龙吟, 郭明升 申请人:上海华力微电子有限公司