专利名称：温度调整光谱仪的制作方法
技术领域：
本发明涉及ー种对沉积材料的分析技木。
背景技术：
由于振动信息对于分子的対称性和化学键来说是特定的，因此在化学中经常使用拉曼光谱。从而，可以提供特征(fingerprint),通过该特征可以鉴定分子。在固体物理中，自发拉曼光谱可以用于表征材料和获得样品的晶体取向。


图1是示出拉曼散射的示图。图2是示出温度调整光谱仪的示图。图3是示出温度调整光谱仪的组件的示图。图4是示出温度调整光谱仪的操作过程的流程图。
具体实施例方式光伏装置可以包括形成在基板(或覆盖物)上的多个层。基于铜铟镓硒化物(CIGS)的光伏装置可以由诸如共蒸镀的高温真空エ艺、堆叠的基础层的反应或金属前驱体的硒化制得。例如，光伏装置可以包括透明导电氧化物(ITO)层、缓冲层、半导体层和邻近于基板形成的导电层。半导体层可以包括半导体窗ロ层和可以吸收光子的半导体吸收层。半导体吸收层可以包括CIGS。光伏装置中的每个层可以通过任何合适的エ艺来构建(例如，形成或沉积)，可以覆盖装置的全部或一部分以及/或者该层或该层下面的基板的全部或一部分。例如，“层”可以表示与表面的全部或一部分接触的任何量的任何材料。散射光谱是光散射技术,可以简化成光的光子与样品相互作用以产生不同波长的散射辐射的过程。散射光谱的ー个示例是拉曼光谱。拉曼光谱可以用于化学鉴定、分子结构的表征、键、环境和应カ对样品的影响。然而，拉曼光谱可以随着样品的温度改变，从而可能难于在温度变化的环境中鉴定化学键和成分。开发出温度调整光谱仪和相关的方法，用于在样品的温度不是恒量时对样品表面的拉曼光谱应用。在ー个方面，用于监测基板上的沉积エ艺的温度调整光谱仪可以包括光源，用于产生光以照射基板的样品区域；光谱分析器，用于分析散射辐射以得到基板的样品区域的光谱；温度传感器；以及第一透镜，光学地连接到温度传感器。热辐射可以从基板的样品区域通过透镜辐射到温度传感器。温度传感器可以测量基板的样品区域的温度。光可以从样品区域处反射。反射光可以包括散射辐射。光谱仪可以包括利用测量的温度分析光谱以将用于基于温度调整的校准表提供给光谱的校准模块。校准模块可以被构造成产生温度经调整的光谱。基板的样品区域可以包括沉积在基板上的膜。光谱分析器可以被构造成通过分析光谱来得到基板上的沉积膜的化学成分。光谱仪可以包括在温度测量的过程中用于阻挡光以避免光影响温度测量的遮光器。光谱仪可以包括在分析散射辐射的过程中用于阻挡温度传感器以避免干扰散射辐射测量的遮光器。光谱仪可以包括用于将光光学地聚焦到基板的样品区域的第二透镜。光谱仪可以包括用于将光结合到基板的样品区域的波导结构。温度传感器可以包括具有如下波长测量范围的红外检测器大约I微米至大约100微米，例如，大约I微米至大约50微米、大约I微米至大约20微米、大约I微米至大约5微米、大约3微米至大约8微米或者大约7微米至大约18微米。光源可以包括激光二极管。光谱分析器可以被构造成收集来自基板的样品区域的散射辐射。光谱分析器可以包括用于收集来自基板的样品区域的散射辐射的输入通道光学器件。输入通道光学器件可以包括光纤。输入通道光学器件可以包括放置在光谱分析器之前用于在被光谱分析器检测之前滤除环境光线的滤光器。第一透镜可以利用光纤电缆光学地连接到传感器。基板可以在输送机上传输。温度调整光谱仪可以包括用于分析的測量数据存储模块。温度调整光谱仪可以包括用于实时诊断的測量数据处理模块。散射辐射可以包括拉曼散射辐射，光谱可以是拉曼光谱。在另一方面，ー种从基板的样品区域得到温度经调整的光谱的方法可以包括由光源产生光以照射基板的样品区域。光可以从样品区域处被反射。反射的光可以包括散射辐射。所述方法可以包括由光谱分析器分析散射辐射以得到基板的样品区域的光谱，通过第一透镜将来自沉积在基板上的材料的热辐射引导到温度传感器，以及由温度传感器测量沉积在基板上的材料的来自热辐射的温度。所述方法可以包括由校准模块利用测量的温度分析光谱以将用于基于温度调整的校准表提供给光谱。校准模块可以被构造成产生温度经调整的光谱。基板的样品区域可以包括沉积在基板上的膜。光谱分析器可以被构造成通过分析光谱得到在基板上的沉积膜的化学成分。所述方法可以包括在温度测量的过程中阻挡光以避免光影响温度測量。所述方法可以包括在分析散射辐射的过程中阻挡温度传感器以避免干扰散射辐射测量。所述方法可以包括通过第二透镜将光光学地聚焦到基板的样品区域。所述方法可以包括通过波导结构将光结合到基板的样品区域。温度传感器可以包括具有波长测量范围为大约500nm至大约2000nm的红外检测器。光源可以包括激光二极管。光谱分析器可以被构造成收集来自基板的样品区域的散射辐射。光谱分析器可以包括用于收集来自基板的样品区域的散射辐射的输入通道光学器件。输入通道光学器件可以包括光纤。输入通道光学器件可以包括放置在光谱分析器之前用于在被光谱分析器检测之前滤除环境光线的滤光器。第一透镜可以利用光纤光缆光学地连接到温度传感器。所述方法可以包括在输送机上传输基板。所述方法还可以包括为了分析，将温度经调整的光谱测量数据储存在測量数据存储模块中。所述方法还可以包括由測量数据处理模块实时诊断温度经调整的光谱。引导来自沉积在基板上的材料的热辐射的步骤包括引导来自沉积在基板上的样品区域中的材料的热辐射。引导来自沉积在基板上的材料的热辐射的步骤包括弓I导来自沉积在样品区域外部的材料的热辐射。所述方法可以包括在測量沉积在基板上的材料的温度的步骤后，根据在样品区域外部的材料的温度对在样品区域内的材料的材料温度进行插值。在另一方面，一种制造光伏装置的方法可以包括在基板上形成膜并且由光源产生光以照射基板上的膜的样品区域。光从样品区域处反射，反射光可以包括散射辐射。所述方法可以包括由光谱分析器分析散射辐射以得到基板的样品区域的光谱。所述方法可以包括通过温度传感器分析来自基板的样品区域的热辐射以得到基板的样品区域的温度。所述方法可以包括由校准模块利用测量的温度来分析光谱以提供温度经调整的光谱，并且基于来自基板的样品区域的温度经调整的光谱来监测膜的成分。基板上的膜可以包括铜铟镓硒化物。所述方法可以包括在输送机上传输基板。在另一方面，一种光伏装置包括基板和邻近于基板的分析的光伏吸收器材料。可以通过利用光源照射包括光伏吸收器材料的样品区域来分析光伏吸收器材料。从样品区域反射的光可以包括可以被引导朝向光谱分析器以得到样品区域的光伏吸收器材料的光谱的散射辐射。光谱可以与样品区域处的温度相比。在另一方面，一种在制造エ艺中用于得到来自基板上的材料的温度经调整的光谱的系统可以包括基板处理室和被构造成将光朝着处理室内的基板位置沿着光路引导通过第一透镜的光源。所述系统可以包括被构造成接收从在位于处理室内的基板位置处的基板上的样品区域内的材料样品处散射的光的光谱分析器。所述系统可以包括被构造成測量位于处理室内的基板位置处的基板上的材料样品的温度的温度測量装置。 所述系统可以包括位于处理室内的基板位置处的基板。基板可以包括沉积在基板的表面上的材料。材料可以包括半导体材料。半导体材料可以包括铜铟镓(双)硒化物。半导体材料可以包括碲化镉。所述系统可以包括被构造成基于测量的温度来分析光谱并向光谱提供基于温度调整的校准表的计算机。所述系统可以包括被构造成在温度测量的过程中阻挡来自光源的光以避免光影响温度测量的遮光器。所述系统可以包括被构造成測量处理室内部的水蒸气浓度的水蒸气测量装置。所述系统可以包括被构造成測量处理室内部的氧浓度的氧测量装置。所述系统可以包括被构造成校正从材料处得到的光谱数据的计算机，其中，校正是基于材料温度、处理室内部的氧浓度或者处理室内部的水浓度中的ー种或多种。所述系统可以包括被构造成将基板放置在处理室中的基板位置处的输送机。处理室内部可以具有在大约25摄氏度和大约400摄氏度之间的温度。处理室内部可以具有在大约25摄氏度和大约300摄氏度之间的温度。处理室内部可以具有在大约25摄氏度和大约200摄氏度之间的温度。处理室可以连接到在处理室内能够建立不活泼气体气氛的不活泼气体源。气体源可以包括从由氮气和氩气组成的组中选择的不活泼气体。參照图1，在拉曼光谱中，例如，来自激光器的已知频率Vtl的光束冲击在样品表面上。散射光可以从表面分子处获得或损失振动能量(拉曼散射)。如果Vvib是表面振动的频率，则拉曼散射光将具有VcTVvib (斯托克斯线)和VJVvib (反斯托克斯线)两个分量。从而，通过使用光谱仪，ー个人可以测量来自入射频率Vtl的位移(拉曼位移)，ー个人可以利用入射频率Vtl确定表面振动Vvib的频率。表面振动频率的值与标准值的偏差可以反映由于结构变化或成分变化而导致的化学键的变化。由于振动信息对于分子的対称性和化学键来说是特定的，因此可以提供可通过其来鉴定分子的特征。在固体物理中，自发拉曼光谱用于表征材料和获得样品的晶体取向。例如，应用可以是利用拉曼光谱来监测在铜铟镓硒化物(CIGS)光伏膜的加工过程中CIGS膜表面的成分。Al振动模式的Vvib反映出CIGS的表面上的Ga与(Ga+In)之比(GGI)的变化。信息深度(information depth)是入射光的波长的函数。Al线的拉曼位移对于 CuInSe2 (GGI = 0)到 CuGaSe2 (GGI = I)从 175CHT1 改变到 184CHT1，即，对于从 In到Ga的100%的变化为 9CHT1的变化。拉曼光谱还可以用于鉴定诸如硒化铜(Al模式在260cm 1 处)的二次相(secondary phase)的存在。然而，振动频率Vvib可以随着样品的温度而改变。例如，Al峰的位置随着温度以每100°C大约IcnT1的速率移动。即，表面温度上10°C的变化将掩饰In浓度的 1%的变化。在正常的实践中，拉曼光谱可以应用于CIGS膜的离线分析，其中所述膜将处于稳定的温度下一假设没有因入射光的功率的耗散引起加热。对于CIGS生产线的在线分析，基板可能没有足够的时间来达到稳定的温度。在拉曼分析过程中温度的漂移或在分析位置之间的温度不均匀性将导致对表面成分的错误測定。在CIGS的情况下，为了得到铟浓度的I %精确度，应当将温度稳定到 10°C。由于低的信号強度和有限的入射功率密度，为了避免样品损坏，拉曼分析通常持续数秒至数分。分析大型光伏面板所需的时间可能会花费许多分钟。在这个时间段中，表面温度可能会漂移许多度。提出本发明以通过引入温度补偿来克服这些与温度有关的问题。步骤可以如下I)对于成分范围的关系和特定的拉曼设置，确定就样品温度而言拉曼峰位移的速度。这可以根据拉曼峰位置来提供用于温度校正的校准表；2)測量拉曼分析的样品位置的温度；3)根据校准表，确定需要补偿样品区域的温度的峰值位移。在一些实施例中，所述步骤可以包括以下续发步骤中的ー个即刻在获得拉曼光谱之前測量温度；在获得拉曼光谱之后立即測量温度；即刻在获得拉曼光谱之前和之后都測量温度；或者在获得拉曼光谱过程中測量温度。參照图2，对于在线沉积エ艺，温度调整光谱仪100可以包括产生光12来照射基板50的样品区域51的光源10。光12从样品区域51处反射。反射光23可以包括拉曼散射_■身寸(Raman scattered radiation)。温度调整光谱仪100可以包括分析拉曼散射辐射以得到基板50的样品区域51的拉曼光谱的光谱分析器20。基板50的样品区域51可以包括沉积在基板50上的膜或材料。光谱分析器可以被构造成通过分析拉曼光谱来得到在基板50上的沉积膜的化学成分。光谱分析器20可以被构造成收集来自基板50的样品区域51的拉曼散射辐射。温度调整光 谱仪100可以包括用于收集拉曼散射辐射的输入通道光学器件。输入通道光学器件可以包括光纤。输入通道光学器件可以包括透镜22。输入通道光学器件可以包括放置在光谱分析器20之前用于在被光谱分析器20检测之前滤除环境光线的滤光器21。 在一些实施例中，温度调整光谱仪100可以包括用于将光12光学地聚焦到基板50的样品区域51上的透镜。在一些实施例中，温度调整光谱仪100可以包括用于将光12光学地聚焦到基板50的样品区域51上的波导结构。在一些实施例中，光源10可以包括激光ニ极管或具有合适的波长范围的任何合适的光源。温度调整光谱仪100还可以包括传感器30和光学地连接到传感器30并邻近于基板50的样品区域51的透镜33。热辐射34从基板50的样品区域51通过透镜33辐射到传感器30。传感器30可以测量基板50的样品区域51的温度。热辐射34可以从沉积在基板50的样品区域51的范围内的材料处福射。热福射34可以从沉积在基板50的样品区域51的外部的材料处辐射。因此，可以根据样品区域51外部的材料的温度来插值沉积在样品区域51的范围内的材料的温度。一个或多个传感器30可以用于确定基板50上的在ー个或多个诸如样品区域51的样品区域内和邻近于ー个或多个诸如样品区域51的样品区域的材料的温度。继续參照图2，透镜33可以利用光纤光缆32光学地连接到传感器30。滤光器31可以放置在传感器30之前。在一些实施例中，传感器30可以包括具有如下波长测量范围的红外检测器:大约I微米至大约100微米，例如，大约I微米至大约50微米、大约I微米至大约20微米、大约I微米至大约5微米、大约3微米至大约8微米或者大约7微米至大约18微米。传感器30可以包括具有合适的波长测量范围的其他合适的检测器。温度调整光谱仪100可以包括在温度测量的过程中用于阻挡光12以避免光12影响温度测量的遮光器11。遮光器11还可以包括任何合适的孔径以控制光12。在一些实施例中，温度传感器可以具有其自己的光源。温度传感器的光源的光路可以具有遮光器以在拉曼散射辐射的测量的过程中阻挡入射光。温度调整光谱仪100可以包括利用测量的温度分析拉曼光谱以提供用于对拉曼光谱的温度校正的校准表的校准模块40。校准模块40可以被构造成产生温度经调整的拉曼光谱。温度调整光谱仪100可以具有实时监测薄膜沉积エ艺的在线构造。如图2所示，基板50在输送机60上传输。在一些实施例中，本发明可以使用诸如例如在7 iim至18 iim操作的红外高温计的非接触式温度測量装置，以测量样品表面的温度。非接触式温度測量装置可以包括任何其他合适的装置，例如，表面电阻抗温度传感器。为了避免激光光束对温度测量的影响，在温度测量过程中激光光束可以被遮光器(图2中的11)阻挡。另外，如果在拉曼测量过程中温度漂移，则可以即刻在拉曼分析之前和在拉曼分析之后立即测量温度，以确定在拉曼分析过程中的平均温度。也可以即刻在获得拉曼光谱之前和之后都測量温度。也可以在获得拉曼光谱的过程中測量温度。继续參照图2，温度调整光谱仪100可以是系统的部件，所述系统可以包括构造成处理放置在其内的基板并构造成包围系统的一个或多个组件(例如，在图2中示出的ー个或多个组件)的基板处理室。系统可以包括在处理室内的包含样品区域51的基板50。处理室可以是在光伏模块制造过程中在其内处理基板50的室。例如，材料可以沉积在处理室内部的基板50上。如上所述，材料可以沉积在基板50的样品区域51内。系统可以包括光源10以产生光12来照射位于基板50的样品区域51处的材料。光12从样品区域51处反射。反射光23可以包括拉曼散射辐射。所述系统可以包括分析拉曼散射辐射的光谱分析器20以得到基板50的样品区域51的拉曼光谱。基板50的样品区域51可以包括沉积在基板50上的膜或材料。光谱分析器可以被构造成通过分析拉曼光谱来得到在基板50上的沉积膜的化学成分。光谱分析器20可以被构造成收集来自基板50的样品区域51的拉曼散射辐射。温度调整光谱仪100可以包括用于收集拉曼散射辐射的输入通道光学器件。输入通道光学器件可以包括光纤。输入通道光学器件可以包括透镜22。输入通道光学器件可以包括放置在光谱分析器20之前用于在被光谱分析器20检测之前滤除环境光线的滤光器21。所述系统可以包括邻近于基板50的样品区域51的ー个或多个温度传感器30。热辐射34从基板50的样品区域51通过透镜33辐射到传感器30。传感器30可以测量基板50的样品区域51的温度。另外，系统可以包括构造成測量处理室内部的条件(包括基板50的条件)的任何其他合适的测量装置。例如，系统可以包括用来測量可能负面影响模块制造エ艺的条件的測量装置，所述条件例如为可能导致光伏模块的组件(例如，正被沉积在基板50上的材料)的氧化的条件。因此，系统可以包括诸如水蒸气测量装置和/或氧测量装置的装置以分别測量处理室的水含量和氧含量。响应于从诸如水蒸气测量装置或氧测量装置的另外的測量装置取得的測量結果，可以控制处理室内的エ艺环境。例如，可以将不活泼气体从不活泼气体源(例如，氮源或氩源)引入到处理室中或者任何其他合适的环境中。该环境可以能够被維持在光伏模块制造的任何合适的温度，例如，在室温(大约25摄氏度)以上的温度，所述温度使其对于温度调整光谱数据可取。例如，处理室环境的温度可以在大约25摄氏度和大约400摄氏度之间、在大约25摄氏度和大约300摄氏度之间、在大约25摄氏度和大约200摄氏度之间、在大约25摄氏度和大约150摄氏度之间、在大约50摄氏度和大约200摄氏度之间、在大约50摄氏度和大约150摄氏度之间、在大约75摄氏度和大约150摄氏度之间或者在任何其他合适的 温度或温度范围。基板50和/或沉积在基板50上(例如，在样品区域51内)的材料可以具有与处理室的内部的温度大致相同的温度或温度范围。參照图3,为了通过红外高温计测量温度,带通滤光器(bandpass filter)31可以放置在检测器30的前面。检测器30可以是红外光电ニ极管。从基板50(图2)的样品区域51发出的热辐射34将通过光纤32来传输。输出可以通过小的准直透镜35校准到红外光电ニ极管30上。參照图4，操作温度调整光谱仪的过程可以包括以下步骤1)将基板传输到測量位置/场所；2)开启光源；3)使光谱分析器操作；4)测量样品区域的温度；5)基于校准表确定补偿峰值位移；以及6)得到温度经调整的拉曼光谱。在一些实施例中，过程可以包括以下续发步骤中的ー个即刻在获得拉曼光谱之前測量温度；在获得拉曼光谱之后立即测量温度；即刻在获得拉曼光谱之前和之后都測量温度；或者在获得拉曼光谱的过程中測量温度。已经描述了发明的一些实施例。然而，将理解的是，在不脱离发明的精神和范围的情况下可以做出各种修改。例如，尽管參照拉曼光谱描述了发明，但是它可以应用于任何其他合适的光谱技术，例如，任何合适的散射光谱技木。还应该理解的是，附图不必是按比例绘制的，给出对发明的基本原理举例说明的各种优选特征的稍微简化的陈述。
权利要求
1.一种温度调整光谱仪，所述温度调整光谱仪包括光源，用于产生光以照射基板的样品区域，其中，光从样品区域反射，反射光包括散射福射;光谱分析器，用于分析散射辐射以得到基板的样品区域的光谱；温度传感器；以及第一透镜，光学地连接到温度传感器，其中，热辐射从基板的样品区域通过透镜辐射到温度传感器，温度传感器测量基板的样品区域的温度。
2.如权利要求2所述的光谱仪，其中，光谱分析器被构造成通过分析光谱得到基板上的沉积膜的化学成分。
3.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，所述光谱仪还包括在温度测量的过程中用于阻挡光以避免光影响温度测量的遮光器。
4.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，所述光谱仪还包括在分析散射辐射过程中用于阻挡温度传感器以避免干扰散射辐射测量的遮光器。
5.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，所述光谱仪还包括用于将光光学地聚焦到基板的样品区域的第二透镜。
6.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，所述光谱仪还包括用于将光结合到基板的样品区域的波导结构。
7.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，温度传感器包括具有大约I微米至大约100微米的波长测量范围的红外检测器。
8.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，温度传感器包括具有大约I微米至大约50微米的波长测量范围的红外检测器。
9.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，温度传感器包括具有大约I微米至大约20微米的波长测量范围的红外检测器。
10.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，温度传感器包括具有大约I微米至大约5微米的波长测量范围的红外检测器。
11.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，温度传感器包括具有大约3微米至大约8微米的波长测量范围的红外检测器。
12.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，温度传感器包括具有大约7微米至大约18微米的波长测量范围的红外检测器。
13.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，光源包括激光二极管。
14.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，光谱分析器被构造成收集来自基板的样品区域的散射辐射。
15.如权利要求14所述的光谱仪，其中，光谱分析器包括用于收集来自基板的样品区域的散射辐射的输入通道光学器件。
16.如权利要求15所述的光谱仪，其中，输入通道光学器件包括光纤。
17.如权利要求15所述的光谱仪，其中，输入通道光学器件包括放置在光谱分析器之前用于在被光谱分析器检测之前滤除环境光的滤光器。
18.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，第一透镜利用光纤光缆光学地连接到传感器。
19.如前述权利要求中的任何一项权利要求所述的光谱仪，其中，散射辐射包括拉曼散射辐射并且光谱是拉曼光谱。
20.一种得到来自基板的样品区域的温度经调整的光谱的方法，所述方法包括由光源产生光以照射基板的样品区域，其中，光从样品区域反射，反射光包括散射辐射；由光谱分析器分析散射辐射，以得到基板的样品区域的光谱；将来自沉积在基板上的材料的热辐射通过第一透镜引导到温度传感器；以及由温度传感器测量沉积在基板上的材料的来自热辐射的温度。
21.如权利要求20所述的方法，所述方法还包括基于测量的温度分析光谱并对光谱提供用于基于温度调整的校准表。
22.如权利要求20至21中的任何一项权利要求所述的方法，所述方法还包括在温度测量的过程中阻挡光以避免光对温度测量的影响。
23.如权利要求20至22中的任何一项权利要求所述的方法，所述方法还包括在分析散射辐射的过程中阻挡温度传感器以避免对散射辐射测量的干扰。
24.如权利要求20至23中的任何一项权利要求所述的方法，所述方法还包括由第二透镜将光光学地聚焦到基板的样品区域。
25.如权利要求20至24中的任何一项权利要求所述的方法，所述方法还包括由波导结构将光结合到基板的样品区域。
26.如权利要求20至25中的任何一项权利要求所述的方法,所述方法还包括在输送机上传输基板。
27.如权利要求20至26中的任何一项权利要求所述的方法，所述方法还包括将温度经调整的光谱测量数据储存在测量数据存储模块中用于分析。
28.如权利要求20至27中的任何一项权利要求所述的方法，所述方法还包括由测量数据处理模块实时诊断温度经调整的光谱。
29.如权利要求20至28中的任何一项权利要求所述的方法，其中，引导来自沉积在基板上的材料的热辐射的步骤包括引导来自沉积在基板上的样品区域中的材料的热辐射。
30.如权利要求20至28中的任何一项权利要求所述的方法，其中，引导来自沉积在基板上的材料的热辐射的步骤包括弓I导来自沉积在样品区域外部的材料的热辐射。
31.如权利要求30所述的方法，所述方法还包括在测量沉积在基板上的材料的温度的步骤之后，根据样品区域外部的材料的温度插值样品区域中的材料的材料温度。
32.—种制造光伏装置的方法，所述方法包括在基板上形成膜；由光源产生光以照射基板上的膜的样品区域，其中，光从样品区域反射，反射光包括散射辐射；由光谱分析器分析散射辐射，以得到基板的样品区域的光谱；由温度传感器分析来自基板的样品区域的热辐射，以得到基板的样品区域的温度；由校准模块利用测量的温度分析光谱，以提供温度经调整的光谱；以及基于来自基板的样品区域的温度经调整的光谱来监测膜的成分。
33.如权利要求32所述的方法，其中，基板上的膜包括铜铟镓硒化物。
34.如权利要求32至33中的任何一项权利要求所述的方法，所述方法还包括在输送机上传输基板。
35.一种光伏装置，所述光伏装置包括基板；以及邻近于基板的被分析的光伏吸收器材料，其中，通过利用光源照射包括光伏吸收器材料的样品区域来分析光伏吸收器材料，其中，从样品区域反射的光包括被引导朝向光谱分析器以得到在样品区域处的光伏吸收器材料的光谱的散射辐射，其中，光谱是与样品区域处的温度相比较的。
36.一种用于在制造工艺期间得到来自基板上的材料的温度经调整的光谱的系统，所述系统包括基板处理室；光源，被构造成将光朝着在处理室中的基板位置沿着光路引导通过第一透镜；光谱分析器，被构造成接收从在位于处理室中的基板位置处的基板上的在样品区域中的材料样品处散射的光；以及温度测量装置，被构造成测量位于处理室中的基板位置处的基板上的材料样品的温度。
37.如权利要求36所述的系统，所述系统还包括放置在处理室中的基板位置处的基板。
38.如权利要求37所述的系统，其中，基板包括沉积在基板的表面上的材料。
39.如权利要求38所述的系统，其中，材料包括半导体材料。
40.如权利要求39所述的系统，其中，半导体材料包括铜铟镓(双)硒化物。
41.如权利要求39所述的系统，其中，半导体材料包括碲化镉。
42.如权利要求36至41中的任何一项权利要求所述的系统，所述系统还包括被构造成基于测量的温度分析光谱并向光谱提供用于基于温度调整的校准表的计算机。
43.如权利要求36至42中的任何一项权利要求所述的系统，所述系统还包括被构造成在温度测量的过程中阻挡来自光源的光以避免光影响温度测量的遮光器。
44.如权利要求36至43中的任何一项权利要求所述的系统，所述系统还包括被构造成测量处理室内部的水蒸气浓度的水蒸气测量装置。
45.如权利要求36至44中的任何一项权利要求所述的系统，所述系统还包括被构造成测量处理室内部的氧浓度的氧测量装置。
46.如权利要求44至45中的任何一项权利要求所述的系统，所述系统还包括被构造成校正从材料处得到的光谱数据的计算机，其中，校正是基于材料的温度、处理室内部的氧浓度或处理室内部的水浓度中的一种或多种。
47.如权利要求36至46中的任何一项权利要求所述的系统，所述系统还包括被构造成将基板放置在处理室中的基板位置处的输送机。
48.如权利要求36至47中的任何一项权利要求所述的系统，其中，处理室内部具有在大约25摄氏度和大约400摄氏度之间的温度。
49.如权利要求36至48中的任何一项权利要求所述的系统，其中，处理室内部具有在大约25摄氏度和大约300摄氏度之间的温度。
50.如权利要求36至49中的任何一项权利要求所述的系统，其中，处理室内部具有在大约25摄氏度和大约200摄氏度之间的温度。
51.如权利要求36至50中的任何一项权利要求所述的系统，其中，处理室连接到能够在处理室内构建不活泼气体气氛的不活泼气体源。
52.如权利要求51所述的系统，其中，不活泼气体源包括从由氮气和氩气组成的组中选择的不活泼气体。
全文摘要
温度调整光谱仪包括光源、温度传感器和光谱分析器。光源被够造成朝着处理室内的基板位置将光沿着光路引导通过第一透镜；光谱分析器被够造成接收从处理室中的基板位置处的基板上的样品区域中的材料样品处散射的光；温度测量装置被构造成测量位于处理室中的基板位置处的基板上的材料样品的温度。另外，由校准模块通过测量的温度来校正光谱以提供温度经调整的光谱。
文档编号G01J3/02GK103026191SQ201180035739
公开日2013年4月3日 申请日期2011年7月14日 优先权日2010年7月21日
发明者马库斯·E·贝克, 余明伦 申请人:第一太阳能有限公司