专利名称：电解电容器用高纯铝箔立方织构比例的测定方法
技术领域：
本发明涉及物理性能测试领域，适用于测定电解电容器用高纯铝箔的立方织构比例。
背景技术：
随着电子工业的发展，为适应电子原件小型化的要求，对电解电容器的性能要求愈来愈高，因而对电解电容器铝箔的质量要求也越来越高。由于电解电容器铝箔用电化学选择腐蚀扩大铝箔比表面积来提高比电容量，而铝箔中立方取向晶粒沿<100>方向腐蚀后扩面效果最好，因此，国内外公认的评价电容铝箔质量的关键指标是铝箔中立方织构的比例(或{100}面占有率)，如高压铝电解电容器铝箔的立方织构比例要求在90％以上。
为了评价电容铝箔质量，测定其立方织构比例必不可少。测定高纯铝箔立方织构比例有X射线衍射、中子衍射、蚀坑和亮晶度等方法，然而这些方法都存在一些不足之处。X射线衍射法先测算极图，根据极图计算ODF，再由ODF计算体积分数，且每次测定的样品面积较小，存在代表性问题，因此测量和计算的工作量都很大。蚀坑法，将样品电解抛光腐蚀后于显微镜下观测，统计方形蚀坑所在区域的比例，为使结果较准确需要测许多视场算平均值，也很耗时间。亮晶度法，把浸蚀后的试样与金相亮晶度和立方织构对照图进行比较来得到立方织构的体积分数，同样要大量观测以得到较准确值。为了克服上述缺陷，本发明提供一种方便、快速、准确的测定电解电容器用高纯铝箔立方织构比例的方法。
电解电容器用高纯铝箔再结晶退火后存在两种主要织构，即立方织构和R织构，且铝箔厚0.104mm厚度方向上很少有多个晶粒。铝箔中不同取向晶粒与酸作用的速度不同，因而反光能力不同。经酸腐蚀后，被腐蚀区域暗色部分是立方取向晶粒，亮色部分为其它取向晶粒，只要能够把暗色部分所占比例计算出来，就可以得到铝箔中立方织构的比例。
本发明用酸直接对铝箔进行宏观腐蚀，使铝箔可区分暗色和亮色部分，被腐蚀铝箔经压平后用扫描仪扫描得到单色位图，黑色代表的是立方晶粒，白色代表的是非立方晶粒，通过编制计算机程序对位图进行分析，计算出黑色部分所占的比例，进而获得铝箔中立方织构的比例。所述的酸为盐酸、硝酸与氢氟酸混合液，其中盐酸浓度35～37％，硝酸浓度65～68％，氢氟酸浓度＞40％；三酸的体积比为(50～55)∶(40～47)∶(3～10)，腐蚀时间15～30秒。
本发明的优点测定过程简单、方便、快捷，结果准确测定电解电容器用高纯铝箔的立方织构比例，为评价铝箔质量提供一个依据，一次性测定的样品尺寸大，大大减小了样品不均匀性带来的影响。


附图1铝箔宏观腐蚀后的形貌；附图2经宏观腐蚀的铝箔扫描得到的单色位图。
具体实施例1.采用本方法和蚀坑法测定一些高纯铝箔样品的立方织构比例，结果列于下表。其中盐酸浓度35％，硝酸浓度68％，氢氟酸浓度＞45％；三酸的体积比为50∶47∶3，腐蚀时间15秒。

权利要求
1.电解电容器用高纯铝箔立方织构比例的测定方法，其特征在于用酸直接对铝箔进行宏观腐蚀，使铝箔可区分暗色和亮色部分，腐蚀铝箔经压平后用扫描仪扫描得到单色位图，通过编制计算机程序对位图进行分析，计算出黑色部分所占的比例，进而获得铝箔中立方织构的比例；所述的酸为盐酸、硝酸与氢氟酸混合液，其中盐酸浓度35～37％，硝酸浓度65～68％，氢氟酸浓度＞40％；三酸的体积比为(50～55)∶(40～47)∶(3～10)，腐蚀时间15～30秒。
全文摘要
电解电容器用高纯铝箔立方织构比例的测定方法。本发明用酸直接对铝箔进行宏观腐蚀，使铝箔可区分暗色和亮色部分，腐蚀铝箔经压平后用扫描仪扫描得到单色位图，通过编制计算机程序对位图进行分析，计算出黑色部分所占的比例，进而获得铝箔中立方织构的比例；本发明的优点测定过程简单、方便、快捷，结果准确测定电解电容器用高纯铝箔的立方织构比例，为评价铝箔质量提供一个依据，一次性测定的样品尺寸大，大大减小了样品不均匀性带来的影响。
文档编号G01N21/77GK1680806SQ20041002307
公开日2005年10月12日 申请日期2004年4月5日 优先权日2004年4月5日
发明者张新明, 肖亚庆, 刘胜胆, 邓运来, 唐建国, 游江海 申请人:中南大学