专利名称：真空管阴极偏心的检测方法
技术领域：
本发明是一种真空管阴极偏心的检测方法，属于真空管阴极偏心检测方法的创新技术。
背景技术：
真空管在密封抽真空后，需要进行检测，其中一项是检测真空管阴极是否偏心，现有的检测方法如图1所示，其检测步骤为1、用线圈套在真空管阳极外部，模拟真空管两端的磁铁；2、装在真空管调整机上的夹具中；3、在真空管的阴、阳极两端加高压；4、阴极灯丝发射电子，经高压电场和磁场的相互作用，形成真空管的暗电流；5、测量暗电流，暗电流值在某一范围(0.3-0.6mA为I类真空管，0.6-1.0mA为II类真空管)为合格产品，超过范围的产品判为灯丝偏心，需要调整；6、利用调整夹具调整阴极灯丝的位置，如果暗电流在范围内，即认为调整产品合格。
上述检测方法存在的缺点是1)因其用线圈模拟磁控管两端的磁铁，由于线圈的机械加工误差和制作的工艺的误差，使线圈磁场和磁铁磁场两者磁芯的中心线存在偏差，即不可能重合在一起，故由线圈模拟调整出来的合格产品在实际中不一定合格，由线圈模拟调整出来的不合格产品在实际中不一定不合格，例如，对灯丝发射能力比较差、且又偏心，或偏心严重的真空管，其暗电流值可能在0.3mA以上，这类真空管会被误判为I类产品。对灯丝发射能力特别好的真空管，其暗电流值就有可能超出范围(大于1.0mA)，甚至更大，这类黑球会误判。但这类真空管不需要调整，可以直接投入生产，这类磁控管工作时，电子回轰就能给灯丝足够的能量而发射电子，提高效率，可作高效管。
2)调整和检测暗电流是通过人工放置真空管，品质差的真空管，每偏差15至30度，由于磁场不均匀分布和灯丝偏心导致，暗电流数值的最大偏差为0.03mA。

发明内容
本发明的目的在于克服上述缺点而提供一种操作方便，简单易行的真空管阴极偏心的检测方法。本发明的检测方法不存在磁轴偏心，不需要人手放置真空管，可避免因磁场不均造成的暗电流值偏差。
本发明真空管阴极偏心的检测方法，包括如下步骤1)将真空管(1)的上下分别安装磁铁(2)、磁铁(3)，组装成磁控管半成品；2)将真空管装在真空管调整机的夹具中；3)在真空管的阴极两端加高压，阴极灯丝发射电子，经高压电场和磁场的相互作用，形成真空管的暗电流；4)测量暗电流，暗电流值在0.3～1.0mA为合格产品。
本发明采用在真空管的上下分别安装磁铁组装成磁控管半成品进行检测的方法，其利用磁控管实际工作的磁场调整，故不存在磁轴偏心，既减少了真空管的调整次数，减少报废产品，且减少检测流程，提高效率。此外，本发明不需要人手放置真空管，可避免因磁场不均造成的暗电流值偏差。本发明是一种操作方便，简单易行的真空管阴极偏心的检测方法。


图1为现有检测方法的检测安装示意图2为本发明检测方法的检测安装示意图。
具体实施例方式实施例本发明真空管阴极偏心的检测方法，包括如下步骤1)将真空管(1)的上下分别安装磁铁(2)、磁铁(3)，组装成磁控管半成品；2)将真空管装在真空管调整机的夹具中；3)在真空管的阴极两端加高压，阴极灯丝发射电子，经高压电场和磁场的相互作用，形成真空管的暗电流；4)测量暗电流，暗电流值在0.3～1.0mA为合格产品，其中暗电流值在0.3～0.6mA为I类真空管，暗电流值在0.6～1.0mA为II类真空管。
权利要求
1.一种真空管阴极偏心的检测方法，其特征在于包括如下步骤1)将真空管(1)的上下分别安装磁铁(2)、磁铁(3)，组装成磁控管半成品；2)将真空管装在真空管调整机的夹具中；3)在真空管的阴极两端加高压，阴极灯丝发射电子，经高压电场和磁场的相互作用，形成真空管的暗电流；4)测量暗电流，暗电流值在0.3～1.0mA为合格产品。
2.根据权利要求1所述的真空管阴极偏心的检测方法，其特征在于上述暗电流值在0.3～0.6mA为I类真空管，暗电流值在0.6～1.0mA为II类真空管。
全文摘要
本发明是一种真空管阴极偏心的检测方法。本发明的检测方法包括如下步骤包括如下步骤1)将真空管(1)的上下分别安装磁铁(2)、磁铁(3)，组装成磁控管半成品；2)将真空管装在真空管调整机的夹具中；3)在真空管的阴极两端加高压，阴极灯丝发射电子，经高压电场和磁场的相互作用，形成真空管的暗电流；4)测量暗电流，暗电流值在0.3～1.0mA为合格产品。本发明采用在真空管的上下分别安装磁铁组装成磁控管半成品进行检测的方法，其利用磁控管实际工作的磁场调整，故不存在磁轴偏心，既减少了真空管的调整次数，减少报废产品，且减少检测流程，提高效率。此外，本发明不需要人手放置真空管，可避免因磁场不均造成的暗电流值偏差。
文档编号G01R31/24GK1767124SQ20041005197
公开日2006年5月3日 申请日期2004年10月28日 优先权日2004年10月28日
发明者刘兆震 申请人:佛山市美的日用家电集团有限公司