专利名称：：结构体、定域型表面等离子共振传感器用芯片、及定域型表面等离子共振传感器、以及它...的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种能够提供灵敏度高的定域型表面等离子共振传感器的结构体、定域型表面等离子共振传感器用芯片、及可从它们获得的定域型表面等离子共振传感器、以及它们的制造方法。更详细而言，涉及一种着眼于在存在液体的条件下基于光照射而产生的光响应性材料的质量转移所开发出的新型的微观结构体、光加工方法及制造方法。
背景技术：
：人体的60%由水分构成，剩余的40%中的一半由蛋白质构成，人体的细胞、肌肉、皮肤的大部分由蛋白质构成。因此，多数情况下认为疾病与蛋白质变异有关，在癌症、流行性感冒及其他疾病中，伴随着病情的发展，体内(血液中等)的特定蛋白质增加。因此，通过对特定蛋白质的状态(特定蛋白质的有无、量等)进行监控，可以知晓患病情况、病情发展的情况，目前已确认数十种蛋白质与疾病有关。例如，与肿瘤(癌症)的发展一起增加的生物分子被称为肿瘤标志物，对应肿瘤的发生部位特定有各不相同的肿瘤标志物。而且,很多时候生物内的蛋白质、DNA(DeoxyribonucleicAcid,脱氧核糖核酸)、糖链等生物分子与疾病的产生有着直接关系，因此通过分析这些生物分子间的相互作用，可以渐渐弄清疾病的机制并进行特效药的开发。作为简便且高精度地测定包含所述肿瘤标志物在内的特定蛋白质的有无或量的工具，有生物传感器，期待其将来应用于防止误诊、早期诊断、预防医疗等中。此处，作为检测蛋白质等生物分子的相互作用的方法，利用的是表面等离子共振(SPRSurfacePlasmonResonance)。所谓表面等离子共振,是通过金属表面的自由电子与电磁波(光)的相互作用而产生的共振现象，与荧光检测方式相比，无须以荧光物质来标记样本，因此作为简便方法而受到瞩目。在利用表面等离子共振的传感器中，有传播型表面等离子共振传感器与定域型表面等离子共振传感器。通过图10的(a)(d)来简单说明传播型表面等离子共振传感器的原理。如图10的(a)及图10的(c)所示，传播型表面等离子共振传感器11是在玻璃基板12的表面形成厚度为50nm左右的Au、Ag等金属膜13而成。该传播型表面等离子共振传感器11是从玻璃基板12侧照射光，并使光在玻璃基板12与金属膜13的界面上全反射。通过接收经全反射的光并测定光的反射率，而感应到生物分子等。S卩，如果通过使光的入射角Θ变化而进行该反射率测定，则如图10的(b)所示，当为某个入射角(共振入射角)ΘI时反射角大幅度减小。其原因在于，当入射至玻璃基板12与金属膜13的界面的光在该界面上全反射时，该界面上产生的瞬逝光(evanescentlight)(近场光)与金属的表面等离子波相互作用。具体而言，当为某种特定波长或特定入射角时，光能被吸收至金属膜13中而转化为金属膜13中的自由电子的振荡能，从而使光的反射率显著降低。因为该共振条件依存于金属膜13的周边物质的介电常数(折射率)，所以这种现象被用作高灵敏度地检测周边物质的物性变化的方法。尤其在用于生物传感器的情况下，如图10的(a)所示，预先使与特定蛋白质(抗原)特异性地结合的抗体14(探针)在金属膜13的表面固定化。在该表面上，如果所导入的检查样本中存在成为目标的抗原16，则如图10的(c)所示，抗原16与抗体14特异性地结合。继而，通过抗原16与抗体14结合，使金属膜13的周边的折射率变化，从而使共振波长或共振入射角变化。因此，通过对导入检查样本前后的共振波长的变化、共振入射角的变化、或者共振波长或共振入射角的时间的变化进行测定，可以检查出检查样本中是否含有抗原16。另外，还可以检查出以何种程度的浓度含有抗原16。图10的(d)表示反射率对于入射角Θ的依存性的测定结果的一例。图10的(d)中，虚线表不导入检查样本之前的反射率光谱17a,实线表导入检查样本而使抗原16与抗体14结合之后的反射率光谱17b。如此，如果对导入检查样本前后的共振入射角的变化ΛΘ进行测定，则可以检查出检查样本是否含有抗原16。另外，还可以检查出抗原16的浓度，可以检查出有无特定病原体及有无疾病等。此外，普通传播型表面等离子共振传感器中，为了将光导入至玻璃基板而使用棱镜。因此，传感器的光学系统复杂且大型化，而且必须以匹配油(matchingoil)来使传感器用芯片(玻璃基板)与棱镜密接。然而，传播型表面等离子共振传感器中，感应区域距玻璃基板表面数百nm，大于蛋白质的尺寸(十nm左右)。因此，该传感器容易受到检查样本的温度变化或检查样本中的夹杂物(例如，检查对象以外的蛋白质)的影响，生物传感器对于未与抗体结合而悬浮于检查样本中的抗原也具有灵敏度。这些成为干扰的起因，因此难以制作信噪比(S/N(Signal/Noise)比)小且灵敏度高的传感器。另外，为了制作灵敏度高的传感器，需要去除成为干扰起因的夹杂物的步骤、以及用来使检查样本的温度保持为固定的严格的温度控制单元，从而使装置变得大型，装置成本变得高昂。相对于此，在定域型表面等离子共振传感器中，金属微粒子(金属纳米微粒子)的表面上产生的近场成为感应区域，因此可以实现衍射极限以下的数十nm的灵敏度区域。其结果为，在定域型表面等离子共振传感器中，可以不对在远离金属微粒子的区域内悬浮的检查对象物具有灵敏度，而仅对金属微粒子表面的非常狭小的区域内所附着的检查对象物具有灵敏度，从而有可能实现灵敏度更闻的传感器。在使用金属微粒子的定域型表面等离子共振传感器中，不对远离金属微粒子而悬浮着的检查对象物具有灵敏度，因此干扰成分变少，在这个意义上而言，与传播型表面等离子共振传感器相比，灵敏度较高。然而，在利用AiuAg等金属微粒子中所产生的表面等离子共振的传感器中，可以从附着在金属微粒子表面的检查对象物获得的信号的强度较小，在这个意义上而言，灵敏度尚低，或者灵敏度并不足够。为了消除这种难操作的现象，公开了一种具有多个凹部的类似衍射光栅的定域型表面等离子共振传感器(例如，参照专利文献I)。如图11所示，所述定域型表面等离子共振传感器包含基板19，该基板19具有规则地配置着通过纳米压印而赋形的凹坑(凹部)的结构，通过蒸镀或溅镀等从凹部上方起叠层金属材料，所获得的金属层20反映下方的形状。而且，如图12所示，该定域型表面等离子共振传感器18中，如果从基板19的金属层20侧照射直线偏振光21，则较强的电场22集中在凹部。另外，专利文献2中记载着一种结构体，该结构体是将包含定量的聚苯乙烯的微小球(直径为250nm)的液体按定量滴落至偶氮聚合物层表面，并在此状态下用特定强度的蓝色LED(LightEmittingDiode,发光二极管)(波长为465nm475nm)照射一定时间之后，去除微小球，由此呈现出如聚苯乙烯微小球接触到的部分凹陷而聚苯乙烯微小球周围的偶氮聚合物隆起的形状(参照专利文献2段落-、图8)(现有技术文献)专利文献I:日本国专利申请公开公报“特开2008-216055号公报(2008年9月18日公开)”。专利文献2:日本国专利申请公开公报“特开2008-170241号公报(2008年7月24日公开)”。
发明内容[发明要解决的问题]然而，专利文献I中记载，专利文献I所述的定域型表面等离子共振传感器中相邻的凹部间距离d优选为400nm以下，但如果凹部间距离d(参照图12)过于靠近的话，那么凹部的底部间的间隙的平坦部会被光识别成凸部，而使所制作的凹部失去其功能。也就是说，专利文献I所述的定域型表面等离子共振传感器中存在如下问题，即，越是想要减小凹部间距离d，增加凹部的密度而使灵敏度提高，则越是会使凹部自身无法发挥功能。本发明是鉴于所述问题而完成，其目的在于提供一种能够提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的结构体、定域型表面等离子共振传感器用芯片、及包含它们的定域型表面等离子共振传感器。另外，本发明目的还在于提供制造所述结构体的方案。[解决问题的技术方案]本发明者等人为了解决所述问题而反复潜心研究，结果成功确立了以下所示的制造结构体的方法，并发现通过将该结构体应用于定域型表面等离子共振传感器中，可以实现灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器，从而完成本发明。S卩，为了解决所述问题，本发明的结构体的特征在于包括平面部及筒状体，筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置，所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内，且所述筒状体的开口部内径A、与所述筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比(A/B)在1.00以上且1.80以下的范围内。尤其是，本发明的结构体的所述筒状体的底部为非球面。根据所述构成，例如可以通过将所述结构体用于定域型表面等离子共振传感器用基板并在其表面沿着基板的形状而形成金属层，从而制作定域型表面等离子共振传感器用芯片。如此获得的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，筒状体所构成的凹部内部及开口部周边的金属中的自由电子与入射光之间产生耦合，电场集中在筒状体所构成的凹部内部及开口部周边而产生极强的定域型表面等离子共振。因此，通过使用该芯片，取得可以提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的效果。另外，因为会出现如上所述的极强的定域型表面等离子共振现象，所以所述定域型表面等离子共振传感器用芯片也可以较佳地用作表面增强拉曼散射光谱用芯片、荧光增强板、双光子突光增强板、二次谐波产生(secondharmonicgeneration)基板等。另外，为了解决所述问题，本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片的特征在于基板上形成着结构体，且以覆盖该结构体表面的至少一部分且反映该结构体的结构的方式形成着金属层；该结构体如下所述包括平面部及筒状体，筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置，所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内，且所述筒状体的开口部内径A、与所述筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比(A/B)在I.00以上且I.80以下的范围内。本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片的所述筒状体的底部为非球面。根据所述构成，筒状体所构成的凹部内部及开口部周边的金属中的自由电子与入射光之间产生耦合，电场集中在筒状体所构成的凹部内部及开口部周边而产生极强的定域型表面等离子共振。因此，取得可以提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的效果O为了解决所述问题，本发明的结构体的制造方法的特征在于包括液体涂覆步骤，在光响应性材料上涂覆不含颗粒状物质的液体；以及光照射步骤，对通过所述液体涂覆步骤而涂覆有液体的所述光响应性材料照射光。根据所述方法，仅通过对涂覆有不含颗粒状物质的液体的所述光响应性材料照射光，便可以简便地制作所述本发明的结构体。目前，针对根据何种原理来制作所述结构体尚在研究中，本发明者等人仅作如下推断。即，在通过于玻璃或塑料等基板表面形成光响应性材料的膜并在该膜上涂覆不含颗粒状物质的液体之后照射光而制作本发明的结构体的情况下，不含颗粒状物质的液体按某种比例渗透至光响应性材料膜内，光响应性材料膜中的分子链的运动性增强。可以推断，通过光照射而使玻璃或塑料基板等的表面的粗糙点(roughnesspoint)上产生近场光,光响应性材料根据该近场光强度而质量转移，由此形成筒状的结构体。另一方面，也可以认为，除了对应近场光强度的光响应性材料的质量转移以外，还同时或单独生成如下机制，即，通过光照射而使该基板表面与光响应性材料膜的界面的亲和性发生变化，而生成如亲和性不同的分布不均的状态，从而通过光照射使光响应性材料质量转移。将通过所述方法制作的结构体用于定域型表面等离子共振传感器用基板，并在其表面沿着基板的形状而形成金属层，由此可以制作定域型表面等离子共振传感器用芯片。如此获得的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，筒状体所构成的凹部内部及开口部周边的金属中的自由电子与入射光之间产生耦合，电场集中在筒状体所构成的凹部内部及开口部周边而产生极强的定域型表面等离子共振。因此，取得如下效果，即，可以简便而稳定地制造能够提供成本低且灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的结构体。另外，本发明的结构体的制造方法的特征在于包含以下步骤(i)(iii):(i)经过液体涂覆步骤及光照射步骤而制造第一结构体，其中，该液体涂覆步骤是在光响应性材料上涂覆不含颗粒状物质的液体，该光照射步骤是对涂覆有液体的所述光响应性材料照射光；(ii)通过如下方式制造成为第一结构体的模子的第二结构体以完全覆盖所述第一结构体的表面的方式涂覆热固性树脂或光固化性树脂，使该热固性树脂或光固化性树脂硬化后进行剥离；以及(iii)通过如下方式获得作为第一结构体的复制体的第三结构体将热固性树脂或光固化性树脂填充至所述第二结构体中成为第一结构体的模子的部分，使该热固性树脂或光固化性树脂硬化后进行剥离。根据所述方法，例如可以通过在该模子上涂覆热固性树脂或光固化性树脂，使之硬化后剥离，而容易地复制所述本发明的结构体。此外，如上所述，专利文献2中记载着一种结构体，该结构体是将包含定量的聚苯乙烯的微小球(直径为250nm)的液体按定量滴落至偶氮聚合物层表面，并在此状态下通过特定强度的蓝色LED(波长为465nm475nm)照射一定时间之后，去除微小球，由此呈现出如聚苯乙烯微小球接触到的部分凹陷而聚苯乙烯微小球周围的偶氮聚合物隆起的形状(参照专利文献2段落-、图8)。然而，专利文献2的所述记载是为了评价具有偶氮聚合物层的光固定化用固相载体的光变形能而形成的结构体，而并不以制造结构体为目的。而且，原本，在将包含定量聚苯乙烯的微小球(直径为250nm)的液体按定量滴落至偶氮聚合物层表面这一点上，便完全不同于本案发明的结构体的制造方法。另外，专利文献2所涉及的技术中只能是这样的一种结构体，其沿着通过伴随光照射产生的颗粒(聚苯乙烯微小球)附近的近场光而引起偶氮聚合物的变形且仅在颗粒附近引起偶氮聚合物的变形的颗粒表面而形成。也就是说，专利文献2所述的结构体的凹部的底部成为球面(或接近球面的形状)(参照专利文献2的图8)。相对于此，本发明的结构体在筒状体的底部成为非球面这一点上明显不同(参照本案的图13、图20-25)。另外，本发明者等人发现通过在玻璃基板上形成光响应性材料(偶氮聚合物)的薄膜，并在该薄膜之上涂覆分散有平均直径在Inm以上且100μm以下的范围内的颗粒的悬浮液，从玻璃基板侧对涂覆有悬浮液的所述光响应性材料照射光，可以制造出平面上具备藤壶状的形状的结构体，并进行了专利申请(PCT/JP2010/059340，以下称为“相关申请案”)。相关申请案所涉及的发明中，颗粒成为铸模而藤壶状的形状形成在平面上。相对于此，本发明的结构体的制造方法中，在涂覆不含颗粒状物质的液体而非颗粒悬浮液这一点上是不同的。连发明者等人都无法预料的令人震惊的事实是无须存在成为铸模的颗粒便可以形成本案发明的结构体。此外，与相关申请案的结构体的藤壶状的形状相比，本发明的结构体的不同点在于筒状体成为上下一般粗的结构。另外，在光响应性材料上涂覆颗粒悬浮液并照射光这一点上，与专利文献2所记载的技术是共通的，但相关申请案中是从玻璃基板侧对光响应性材料照射光，相对于此，专利文献2中是从颗粒侧照射光，在这一点上两者不同。相关申请案中是从玻璃基板侧对光响应性材料照射光，故光响应性材料整体均照射有光，因此光响应性材料的迁移率较高，所获得的藤壶状的形状的底面为非球面。专利文献2所涉及的技术中是从颗粒侧对光响应性材料照射光，因此所照射的光通过颗粒而分散。尤其是隐藏在颗粒的背光处的光响应性材料上的光的照射量相对变少，光响应性材料的迁移率变低，因此，如上所述，专利文献2所述的结构体的凹部的底部为球面(或者接近球面的形状)(参照专利文献2的图8)。此外，本发明的结构体的制造方法中并未使用颗粒，因此不论光的照射方向如何，结构体的筒状体的底部都成为非球面(参照本案的图13、图20-25)。[发明的效果]如上所述，根据本发明，取得如下效果，S卩，可以提供在能用作灵敏度高的定域型表面等离子共振传感器用的芯片、或表面增强拉曼散射光谱用芯片、荧光增强板、双光子荧光增强板、二次谐波产生基板等方面优选的结构体及其制造方法。尤其，根据本发明的结构体的制造方法，取得如下效果，S卩，可以简便而稳定地制造能用于制作成本低且灵敏度高的定域型表面等离子共振传感器等的结构体。图I是表示本实施方式的定域型表面等离子共振传感器的反射光学系统的基本构成的一例的平面图。图2是表示本实施方式的定域型表面等离子共振传感器的透过光学系统的基本构成的一例的平面图。图3表示本实施方式的定域型表面等离子共振传感器中的测定区域经放大的概略构成，图3的(a)是平面图，图3的(b)是图3的(a)中的沿A-A线切断后沿箭头所示方向所视的截面图。图4是表示本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法的一例的截面图。图5是根据实施例I而获得的结构体的原子力显微镜(以下，简称为“AFM”)像。图6是将折射率不同的液体(水、三甘醇)分别滴落至实施例I中所制作的传感器用芯片的表面并进行透过光谱测定后以峰顶的值标准化的图表。图7是根据实施例2而获得的结构体的AFM像。图8是将折射率不同的液体(水、聚二甲基硅氧烷、三甘醇、丙二醇二环氧丙醚)分别滴落至实施例2中所制作的传感器用芯片的表面并进行透过光谱测定后以峰顶的值标准化的图表。图9是横轴表示滴落至实施例2的传感器用芯片上的液体的折射率、纵轴表示源于等离子共振吸收的光谱的峰值波长的位移量的图表。图10是示意性地表示以往的传播型表面等离子共振传感器的原理的附图。图11是表示以往的定域型表面等离子共振传感器的概略构成的截面图。图12是表示以往的定域型表面等离子共振传感器中较强的电场集中在凹部的截面图。图13是本发明的一实施方式中的结构体的原子力显微镜(AFM)像。图14是在本发明的结构体的制造方法中分别在真空条件下以80°C对光响应性材料膜形成步骤后的光响应性材料进行10分钟、60分钟、20小时退火时形成的结构体的AFM照片。图15是在本发明的结构体的制造方法的光照射步骤中的结构体的AFM像，(a)是在光照射I秒后形成的结构体的AFM像，(b)是在光照射5秒后形成的结构体的AFM像，(c)是在光照射10秒后形成的结构体的AFM像，Cd)是在光照射15秒后形成的结构体的AFM像，Ce)是在光照射25秒后形成的结构体的AFM像，Cf)是在光照射30秒后形成的结构体的AFM像，(g)是在光照射45秒后形成的结构体的AFM像，(h)是在光照射60秒后形成的结构体的AFM像，(i)是在光照射300秒后形成的结构体的AFM像。图16是用来说明本发明的结构体的制造方法中光照射步骤的一实施方式的示意图，图16所示的形态是从基板侧照射光的形态。图17是用来说明本发明的结构体的制造方法中光照射步骤的一实施方式的示意图，图17所示的形态是从液体侧照射光的形态。图18是用来说明本发明的结构体的制造方法中光照射步骤的一实施方式的示意图，图18所示的形态是从液体侧照射光的另一形态。图19是实施例4中所制作的传感器用芯片的平面SEM像。图20是图19所示的传感器用芯片的P-P’截面TEM像。图21是图19所示的传感器用芯片的Q-Q’截面TEM像。图22是图19所示的传感器用芯片的R-R’截面TEM像。图23是图19所示的传感器用芯片的S-S’截面TEM像。图24是图19所示的传感器用芯片的T-T’截面TEM像。图25是图19所示的传感器用芯片的U-U’截面TEM像。图26是实施例4中使用C反应性蛋白质(CRP)抗体被固定化的传感器芯片而研究检测到CRP抗原的可能性的结果，相对于反应的CRP抗原浓度而绘制透过光谱的峰值波长的图。图27是实施例5中使用纤维蛋白原抗体被固定化的传感器芯片而研究检测到纤维蛋白原抗原的可能性的结果，相对于反应的纤维蛋白原抗原浓度而绘制透过光谱的峰值波长的图。图28是实施例6中使用瘦素抗体被固定化的传感器芯片而研究检测到瘦素抗原的可能性的结果，相对于反应的瘦素抗原浓度而绘制透过光谱的峰值波长的图。图29是表不利用FDTD(FiniteDifferenceTimeDomain,时域有限差分法)来模拟实施例7中所制造的定域型表面等离子共振传感器用芯片上的电场集中强度的结果的图。[附图标记说明]18定域型表面等离子共振传感器19基板20金属层21直线偏振光22电场24定域型表面等离子共振传感器(定域SPR传感器)25光源26准直透镜27准直板28分束镜29分光器30定域型表面等离子共振传感器用芯片(定域SPR传感器用芯片)31数据处理装置32测定区域33光检测器34定域型表面等离子共振传感器(定域SPR传感器)45筒状体46透明基板(基板)48光响应性材料层49具有筒状体的基板(结构体、第一结构体)50热固性树脂基板(结构体的模子、第二结构体)51透明基板(第三结构体)52金属层53传感器用芯片具体实施例方式如下所述，对本发明的一实施形态进行说明。此外，本说明书中，表示范围的“AB”是指A以上B以下，本说明书中所举出的各种物性，只要没有特别说明，便是指利用下述实施例所记载的方法测定所得的值。为了解决所述问题，本发明的结构体的特征在于包括平面部及筒状体，筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置，所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上2000nm以下的范围内，且所述筒状体的开口部内径A、与所述筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比(A/B)在1.00以上且1.80以下的范围内。尤其是本发明的结构体的所述筒状体的底部为非球面。根据所述构成，例如可以通过将所述结构体用于定域型表面等离子共振传感器用基板，在其表面沿着基板的形状而形成金属层，以此来制作定域型表面等离子共振传感器用芯片。如此获得的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，筒状体所构成的凹部内部及开口部周边的金属中的自由电子与入射光之间产生耦合，电场集中在筒状体所构成的凹部内部及开口部周边而产生极强的定域型表面等离子共振。因此，通过使用该芯片，取得可以提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的效果。另外，因为会出现如上所述的极强的定域型表面等离子共振现象，所以，所述定域型表面等离子共振传感器用芯片也可以较佳地用作表面增强拉曼散射光谱用芯片、荧光增强板、双光子荧光增强板、二次谐波产生基板等。另外，本发明的结构体中，为了能让通过入射光而产生的电磁场更强地定域在筒状体的凹部周边及内部，所述(A/B)更优选为在1.00以上1.50以下的范围内。另外，本发明的结构体优选为，所述筒状体在平面部的分散密度是在每ΙΟΟμπι见方为I个以上50万个以下的范围内。根据所述构成，在制作定域型表面等离子共振传感器用芯片的情况下，可以产生更强的定域型表面等离子共振，因此可以提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器。本发明的结构体可以包含刺激响应性材料。此处，所述刺激响应性材料可以是热响应性材料或者光响应性材料。所述刺激响应性材料优选为光响应性材料。进而，在本发明的结构体中，所述光响应性材料优选为包含偶氮聚合物衍生物。根据所述构成，可以更容易地获得结构体。本发明的结构体中，所述光响应性材料优选为主链及/或侧链具有偶氮苯基的偶氮聚合物衍生物。根据所述构成，可以更容易地获得结构体。为了解决所述问题，本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片的特征在于基板上形成着所述本发明的结构体，且以覆盖该结构体表面的至少一部分且反映该结构体的结构的方式形成着金属层。另外，为了解决所述问题，本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片的特征在于基板上形成着结构体，且以覆盖该结构体表面的至少一部分且反映该结构体的结构的方式形成着金属层，该结构体如下所述包括平面部及筒状体，筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置，所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内，所述筒状体的开口部内径A、与所述筒状体的自开口部起的中间深度处的内径8的比(4作)在1.00以上且I.80以下的范围内。本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片的所述筒状体的底部为非球面。根据所述构成，筒状体所构成的凹部内部及开口部周边的金属中的自由电子与入射光之间产生耦合，电场集中在筒状体所构成的凹部内部及开口部周边而产生极强的定域型表面等离子共振。因此，取得可以提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的效果O本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述(A/B)更优选为在1.00以上且I.50以下的范围内。根据所述构成，可以让通过入射光而产生的电磁场更强地定域在筒状体的凹部周边及内部。本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述结构体可以包含刺激响应性材料。所述刺激响应性材料可以是热响应性材料或者光响应性材料。进而，所述刺激响应性材料优选为光响应性材料。本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述金属层的厚度优选为在IOnm以上且500nm以下的范围内，进而优选为在30nm以上且200nm以下的范围内，最优选为在40nm以上且125nm以下的范围内。根据所述构成，可以提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器。本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，优选在所述金属层的表面形成用来使生物分子固定化的有机分子层。根据所述构成，可以用作能够检测特定的生物分子的生物传感器。本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述有机分子层优选为包含距离金属层表面的长度为50nm以上且200nm以下的分子、及距离金属层表面的长度为Inm以上且小于50nm的分子。根据所述构成，长度为Inm以上且小于50nm的分子是在金属层的附近与生物分子结合，长度为50nm以上且200nm以下的分子是在远离金属层处与生物分子结合。而且，与生物分子结合的长度为50nm以上且200nm以下的分子是通过使分子链弯折而将该生物分子吸引至金属层的附近。由此，可以使许多生物分子集中在金属层的附近的区域，从而可以提供传感器灵敏度更高的生物传感器。本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述金属层的材质优选为包含Au、Ag、或者它们的合金。根据所述构成，Au、Ag、或者它们的合金可以产生较强的定域型表面等离子共振。为了解决所述问题，本发明的定域型表面等离子共振传感器的特征在于包括本发明的所述定域型表面等离子共振传感器用芯片；光源，对所述定域型表面等离子共振传感器用芯片照射光；以及光检测器，接收由所述定域型表面等离子共振传感器用芯片所反射的光或透过该定域型表面等离子共振传感器用芯片的光。根据所述构成，具备本发明的所述定域型表面等离子共振传感器用芯片，因此可以使该芯片中的筒状体所构成的凹部内部及开口部周边产生定域性共振电场。而且，从光源对该区域照射光，通过所述光检测器接收在该区域反射或透过的光，由此而可以测定所述传感器用芯片的反射率或透过率、或者由所述光检测器接收的光强度。因此，根据所述构成，取得可以提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的效果。本发明的定域型表面等离子共振传感器优选为，使两种以上的波长的光入射至所述定域型表面等离子共振传感器用芯片的表面，通过所述光检测器来测定由该定域型表面等离子共振传感器用芯片反射的各波长的光的反射率、透过该定域型表面等离子共振传感器用芯片的各波长的透过率、或者这些反射或透过的各波长的光强度。根据所述构成，可以通过对特定的两种以上的波长的反射率、透过率、或光强度进行比较，而评价共振波长的变化。因此，可以较佳地用于检查已知的特定物质的有无等用途。为了解决所述问题，本发明的结构体的制造方法的特征在于包括液体涂覆步骤，在光响应性材料上涂覆不含颗粒状物质的液体；以及光照射步骤，对通过所述液体涂覆步骤而涂覆有液体的所述光响应性材料照射光。根据所述方法，仅通过对涂覆有不含颗粒状物质的液体的所述光响应性材料照射光，便可以简便地制作所述本发明的结构体。目前，针对根据何种原理来制作所述结构体尚在研究中，本发明者等人仅作如下推断。即，在通过于玻璃或塑料等的基板表面形成光响应性材料的膜并在该膜上涂覆不含颗粒状物质的液体之后照射光而制作本发明的结构体的情况下，不含颗粒状物质的液体按某种比例渗透至光响应性材料膜内，光响应性材料膜中的分子链的运动性增强。可以推断，通过光照射在玻璃或塑料基板等的表面的粗糙点产生近场光，光响应性材料根据该近场光强度而质量转移，由此而形成筒状的结构体。另一方面，也可以认为，除了对应近场光强度的光响应性材料的质量转移以外，还同时或单独生成如下机制，即，通过光照射而使该基板表面与光响应性材料膜的界面的亲和性发生变化，而生成如亲和性不同的分布不均的状态，从而通过光照射使光响应性材料质量转移。将通过所述方法制作的结构体用于定域型表面等离子共振传感器用基板，并在其表面沿着基板的形状而形成金属层，由此而可以制作定域型表面等离子共振传感器用芯片。如此获得的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，筒状体所构成的凹部内部及开口部周边的金属中的自由电子与入射光之间产生耦合，电场集中在筒状体所构成的凹部内部及开口部周边而产生极强的定域型表面等离子共振。因此，取得如下效果，即，可以简便而稳定地制造能够提供成本低且灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的结构体。本发明的结构体的制造方法中，所述液体优选为选自由水、醇类、及溶解光响应性材料的有机溶剂所组成的群中的至少I种。所述液体发挥容易处理且可以容易地获得所需结构体的效果。此外，所述液体中也可以包含以往众所周知的表面活性剂。本发明的结构体的制造方法的特征在于包含以下步骤(i)(iii):(i)经过液体涂覆步骤及光照射步骤而制造第一结构体，其中，该液体涂覆步骤是在光响应性材料上涂覆不含颗粒状物质的液体，该光照射步骤是对涂覆有液体的所述光响应性材料照射光；(ii)通过如下方式制造成为第一结构体模子的第二结构体以完全覆盖所述第一结构体的表面的方式涂覆热固性树脂或光固化性树脂，使该热固性树脂或光固化性树脂硬化后进行剥离；以及(iii)通过如下方式获得作为第一结构体复制体的第三结构体将热固性树脂或光固化性树脂填充至所述第二结构体中成为第一结构体的模子的部分，使该热固性树脂或光固化性树脂硬化后进行剥离。根据所述方法，例如可以通过在该模子上涂覆热固性树脂或光固化性树脂，使之硬化后剥离，而容易地复制所述本发明的结构体。尤其是优选多次进行所述步骤(iii)。通过多次进行所述步骤(iii)，可以容易地批量生产所述本发明的结构体。因此，通过将该复制的结构体用于定域型表面等离子共振传感器用基板，并在其表面沿着基板的形状而形成金属层，可以制作定域型表面等离子共振传感器用芯片。如此获得的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，筒状体所构成的凹部内部及开口部周边的金属中的自由电子与入射光之间产生耦合，较强的电场集中在筒状体内部而产生极强的定域型表面等离子共振。因此，取得如下效果，即，可以简便而稳定地制造能够提供成本低且灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的结构体。为了解决所述问题，本发明的定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法的特征在于包括如下步骤通过本发明的结构体的制造方法中的任一种来制造结构体；及以金属覆盖经所述步骤而获得的结构体的表面，形成具有反映了所述结构体形状的形状的金属层。根据所述方法，取得如下效果，即，可以简便而稳定地制造能够提供成本低且灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的定域型表面等离子共振传感器用芯片。另外，本发明还包含可以通过所述本发明的结构体的制造方法而制造的所有结构体(所述本发明的结构体、下述月牙形的结构体或藤壶状的结构体等)。所述结构体可以用于定域型表面等离子共振传感器用芯片、表面增强拉曼散射光谱用芯片、荧光增强板、双光子荧光增强板、二次谐波产生基板等。(I)结构体构成本实施方式的结构体的材料并无特别限定，无论是无机材料还是有机材料均可，还可以是它们的混合物。进而，本实施方式的结构体也可以包含刺激响应性材料(例如光响应性材料、热响应性材料等)。[无机材料]作为无机材料，可以举出硅(晶体、多晶、非晶)、碳(晶体、非晶形)、氮化物、半导体材料等。这些无机材料也可以烧结微粒子而得。[有机材料]作为有机材料，可以举出通用高分子、工程塑料、超级工程塑料或液晶化合物等(可以是混合物，也可以是具有交联结构等的控制住二级结构、三级结构的材料)。这些有机材料之中，有物性或形状根据外部刺激而变化的刺激响应性材料。[刺激响应性材料]所谓刺激响应性材料，是响应外部刺激而使分子链具有运动性的材料，具体而言，可以举出热响应性材料及光响应性材料。[热响应性材料]所谓所述热响应性材料，是通过热刺激而使构成材料的分子链具有激烈运动性的材料。所述热响应性材料，是相对于热刺激，材料呈现流动性或者进行软化等而变形的材料。具体而言，可以使用如以聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯为代表的丙烯酸系材料等非晶性材料，聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯或等规聚苯乙烯(isotacticpolystyrene)等晶质材料，氨基甲酸酯树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、酚醛树脂等。另外，还可以使用苯乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(嵌段共聚物、无规共聚物等)等共聚物。另外，还可以并用这些材料。[光响应性材料]所谓所述光响应性材料，是通过光照射而引起质量转移的材料，更具体而言是沿着照射部的光的明部及暗部而产生质量转移现象的材料。作为所述光响应性材料，是可以引起光变形的材料，只要是对应光照射部的明暗部而显现质量转移的材料，则无特别限定，例如可以举出如基质材料中包含通过光照射而引起消融、光致变色、分子的光致定向等的成分(光反应性成分)，通过光照射而使体积、密度、自由体积等变化的有机或无机的材料。另外，作为所述光响应性材料，还可以举出包含选自由硫、硒及碲所组成的群中的任一种元素、与选自由锗、砷及锑所组成的群中的任一种元素结合的结构的统称为硫族化物玻璃的无机材料等。作为所述光反应性成分，例如可以举出能够引起伴有材料形状变化的各向异性的光反应的成分即光致异构化成分或光致聚合性成分。作为所述光致异构化成分，例如可以举出产生反-顺光致异构化(trans-cisphotoisomerize)的成分,尤其具代表性的是具有含有偶氮基(_N=N-)的色素结构、尤其偶氮苯或其衍生物的化学结构的成分。在所述异构化成分是包含含有偶氮基的色素结构的材料的情况下，该色素结构优选为具备I或2个以上的电子吸引性官能基(电子吸引性取代基)、以及/或者I或2个以上的供电子性官能基(供电子性取代基)，特别优选包括这些电子吸引性官能基及供电子性官能基两者。作为所述电子吸引性官能基,优选为哈米特方程(Hammettequation)中的取代基常数σ为正值的官能基，作为供电子性官能基，优选为哈米特方程中的取代基常数σ为负值的官能基。也就是说，所述异构化成分优选在下式(I)ΣIσI^IσII+Iσ2I…(I)(上式中，σ为哈米特方程中的取代基常数，σI为氰基的取代基常数，σ2为氨基的取代基常数)成立的条件下，包括所述供电子性取代基及电子吸引性取代基。由此，可包含以荧光分析用的荧光色素中短于荧光峰值波长的波段存在光吸收波长的长波长侧的截止波长的方式得到控制的色素结构。因此，可以进行准确的测定。所述色素结构的种类并无特别限定，但优选为例如具有偶氮基的色素结构、尤其是偶氮苯或其衍生物的化学结构。也就是说，所述光响应性材料优选为包含偶氮聚合物衍生物，更优选为主链及/或侧链具有偶氮苯基的偶氮聚合物衍生物。光响应性材料的基质材料中，所述光响应性成分既可以仅仅只是分散着，也可以与基质材料的构成分子化学结合等。就可以大致完全控制基质材料中的光反应性成分的分布密度的方面、或者材料的耐热性或时效稳定性等方面而言，特别优选为光响应性成分相对于构成基质材料的分子化学性结合。作为所述基质材料，可以使用普通高分子材料等有机材料、或玻璃等无机材料。如果考虑光响应性成分相对于基质材料的均一分散性或者结合性，则更优选为有机材料，尤其是高分子材料。构成基质材料的所述高分子材料的种类并无特别限定，但优选为高分子的重复单元结构具有氨基甲酸酯基、尿素基、或酰胺基，进而就耐热性方面而言，更优选为高分子的主链中具有亚苯基等的环结构。构成基质材料的所述高分子材料只要能够成形为所期望的形状，其分子量或聚合度便无特别限定。另外，其聚合形态还可以是直链状、支链状、梯形、星形等任意形态，不论是均聚物还是共聚物均可。为了光变形的时效稳定性，高分子材料的玻璃转移温度优选为例如高达100°C以上，也可以使用玻璃转移温度为室温程度或其以下的材料。作为本发明中可以利用的光响应性材料，例如可以举出具有[化I]M“X=0.43兔O1Ξ的偶氮聚合物(N-苯基马来酰亚胺(ζ)、4-异丙烯基苯酹(y)、及4’-[N-乙基-N-(4-异丙稀基苯氧基乙基)氣基]-4"_硝基偶氣苯(X)的共聚物(Xyz=O.430.07:0.50)(参照参考文献Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.488(1998),pp.813-818,“SynthesisofHigh-TgAzopolymerandtheoptimizationofitspolingconditionforstableEOsystem”、日本专利特开2006-77239号公报,有时省略为“PMPD43”)，或者在下述实施例中使用的具有[化2]m八οfitCH,Iφ一φ_的偶氮聚合物Theside-chainazo-polymer,poly(orangetom-1isophoronedisocyanate)(参考文献DirectFabricationofSurfaceReliefHolographicDiffusersinAzobenzenePolymerFilms、OPTICALREVIEWVol.12,No.5(2005)383-386,实施例中记作“P0T1”)、或Poly[4’_[[2-(acryloyloxy)ethyl]ethylamino]-4-nitroazobenzene](聚[4'-[[2-(丙烯酸氧基)乙基]乙氨基]-4-硝基偶氮苯])(记作“pDRlA”，参考文献Poly[4'-[[2-(acryloyloxy)ethyl]ethylamino]-4-nitroazobenzene]>MacromoleculeVol.25(1992)2268-2273)等。[结构体]本实施方式的结构体具有如下结构，即，包括平面部及筒状体，筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置。换言之，所述结构体具有如烟囱从地面向天空延伸那样的结构。筒状体的开口部的形状不限于圆形，还可以是椭圆形、方形等。构成本实施方式的结构体的筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内。筒状体的开口部的平均内径可以通过如下方式掌握，即，利用原子力显微镜(AFM,AtomicForceMicroscope)、扫描电子显微镜(SEM,ScanningElectronMicroprobe)、透射电子显微镜(TEM,TransmissionElectronMicroscope)等从上方观察筒状体的开口部，测定该开口部的内径。“开口部的内径”意指相对于开口部的形状的最大内切圆的直径，例如在开口部的形状实质上为圆形的情况下是指该圆的直径，在实质上为椭圆形的情况下是指该椭圆的短径，在实质上为正方形的情况下是指该正方形的边长，在实质上为长方形的情况下是指该长方形的短边长度。宜针对多个(优选为10个以上，更优选为20个以上，进而优选为50个以上)筒状体测定开口部的内径，求出其平均值以作为“筒状体的开口部的平均内径”。此外，构成本实施方式的结构体的筒状体的开口部的平均内径只要在5nm以上且2000nm以下的范围内，则可以让入射光定域在筒状体的凹部内部及开口部周边，因此该结构体可以较佳地用于制造定域型表面等离子共振传感器用芯片。另外，所述筒状体的开口部的平均内径更优选为在200nm500nm的范围内。因为所述筒状体的开口部的平均内径在200nm500nm的范围内，所以可以使入射光更强地定域。另外，本实施方式的结构体中，所述筒状体的开口部内径A、与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比(A/B)成为1.00以上且1.80以下的范围内。因为所述(A/B)在所述范围内，所以可以享有能让通过入射光而产生的电磁场更强地定域在筒状体的凹部内部及开口部周边这一效果。另外，更优选为，所述(A/B)成为I.00以上且I.50以下的范围内，进而优选为，所述(A/B)成为1.00以上且I.30以下的范围内，最优选为，所述(A/B)成为1.00以上且I.20以下的范围内。因为所述(A/B)在所述范围内，所以可以说本实施方式的结构体的内径A与内径B几乎没有差别，即，构成本实施方式的结构体的筒状体的内部结构成为上下一般粗的结构。因为构成本实施方式的结构体的筒状体的内部结构上下一般粗，所以可以享有能让通过入射光而产生的电磁场更强地定域在筒状体的凹部内部及开口部周边这一效果。内径A及内径B可以利用原子力显微镜(AFM)并根据筒状体的截面图来掌握。利用图13来更具体地说明内径A及内径B的测定方法。图13是本实施方式的结构体的原子力显微镜(AFM)像。根据AFM像获取本实施方式的结构体的相对于平面部的垂直截面图。找出成为测量内径的对象的筒状体的截面中从平面部最突出的两个顶点(图中由向下的三角形表示)。求出从这些顶点起相对于表示图中的平面部的平面的线(图中的X轴)所划的垂线与X轴的交点间的距离，将其设为内径A。接下来，说明内径B的测定方法。找出筒状体的最高点(在将y轴的箭头方向设为正方向的情况下的最高点，图中由向下的三角形表示)、与筒状体的最低点(在将y轴的箭头方向设为正方向的情况下的最低点，图中由向上的三角形表示)，将通过所述最低点与X轴平行的线(图中由点线表示)、和通过最高点与X轴平行的线(图中由两端箭头线表示)的距离设为“筒状体的距离开口部的深度”。只要测定该深度的中间点(图中由箭头表示)的筒状体的内径，便可以掌握内径B。此外，本发明中，内径A与内径B是利用AFM测定所得的值。另外，本实施方式的结构体的所述筒状体的距离开口部的深度的平均值优选为在5nm以上10μm以下的范围内，进而优选为在IOnm以上且500nm以下的范围内。宜针对多个(优选为10个以上，更优选为20个以上，进而优选为50个以上)筒状体测定深度，求出其平均值而作为“筒状体的距离开口部的深度的平均值”。此外，只要构成本实施方式的结构体的筒状体的距离开口部的深度的平均值在5nm以上且10μm以下的范围内，则可以让入射光较强地定域在筒状体的凹部内部及开口部周边，因此该结构体可以较佳地用于制造定域型表面等离子共振传感器用芯片。此外，本实施方式的结构体的筒状体的最深部既可以位于表示平面部的平面的线(图中的X轴)的负侧，也可以位于正侧。也就是说，在使结构体的不具备筒状体的面铅垂向下地载置的情况下，筒状体所构成的凹部的底面既可以是位于较平面部更下方的形态，也可以是位于较平面部更上方的形态。另外，所述筒状体在平面部的分散密度优选为在每100μm见方为I个以上且50万个以下的范围内，更优选为每100μm见方为10个以上且30万个以下的范围内。另外，最优选为每100μm见方为50个以上且20万个以下的范围内。所述分散密度宜通过AFM观察等测量存在于任意范围的筒状体的个数，以此为依据计算出每100μm见方的个数。此外，本实施方式的结构体中，筒状体既可以是内径随着从开口部朝向深部逐渐变小的形状(V字型)，筒状体也可以是内径随着从开口部朝向深部逐渐变大的形状(倒V字型)。具体而言，图20或21所示的筒状体因为越往深部而内径变得越大，所以可谓是倒V字型。另外，图22或24所示的筒状体因为越往深部而内径变得越小，所以可谓是V字型。另外，如图13或下述图2025所示，本实施方式的结构体的筒状体的底部成为非球面。尤其是如图2025所示，本实施方式的结构体的筒状体的底部成为大致平面。此处所谓“筒状体的底部”，是位于与开口部为相反侧的位置的部分。(II)定域型表面等离子共振传感器用芯片本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片的特征在于基板上形成着所述结构体，且以覆盖该结构体表面的至少一部分且反映该结构体的结构的方式形成着金属层。换言之，本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片的特征在于基板上形成着结构体，且以覆盖该结构体表面的至少一部分且反映该结构体的结构的方式形成着金属层，该结构体如下包含光响应性材料，且包括平面部及筒状体，筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置，所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内，所述筒状体的开口部内径A、与筒状体的相对于平面部的高度的中间的内径B的比(A/B)在I.00以上且I.80以下的范围内。此外，本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，对于与所述结构体的说明共通的事项沿用“(I)结构体”一项的说明。作为构成本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片的基板，可以较佳地使用玻璃、或丙烯酸系树脂、非晶形碳、晶体硅、多晶硅、非晶硅等。尤其是作为透过型的用于定域型表面等离子共振法的基板，优选为透光性高的基板(总光线透过率为60%以上(换算成厚度为1mm))。本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片具有所述结构体的形状，因此筒状体所构成的凹部内部及开口部周边的金属中的自由电子与入射光之间产生耦合，电场集中在筒状体所构成的凹部内部及开口部周边而产生极强的定域型表面等离子共振。此处，所谓“定域性共振电场”，是指共振电场不会沿着金属表面传播，而使通过共振而增强的电场的区域小于入射光的衍射极限的电场。本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，具有所述“筒状体”。若为该构成，则筒状体所构成的凹部内部及开口部周边的金属中的自由电子与入射光之间更容易产生耦合，更强的电场集中在凹部内部及开口部周边而产生更强的定域型表面等离子共振。本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述筒状结构的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内。另外，在用作生物传感器的情况下，普通蛋白质的尺寸为IOnm左右，因此所述筒状结构的开口部的平均内径更优选为在20nm以上且IOOOnm以下的范围内。本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述筒状体的距离开口部的深度的平均值优选为在5nm以上且10μm以下的范围内，更优选为在IOnm以上且500nm以下的范围内。只要筒状体的深度在所述范围内，则可以使定域型表面等离子共振现象以高传感器灵敏度良好地产生。本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，筒状体间的距离并无限制，所述筒状体在平面部的分散密度优选为在每100μm见方为I个以上且50万个以下的范围内，更优选为在每IOOym见方为10个以上且30万个以下的范围内。另外,最优选为在每100μm见方为50个以上且20万个以下的范围内。本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述金属层的厚度优选为在IOnm以上且500nm以下的范围内。只要金属层的厚度在所述范围内，则对于反射光可以确保足够的光量，另外，对于透过光量也可以确保足够的光量，而使测量精度变高。本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述金属层的材质优选为包含Au、Ag、或者它们的合金。只要所述金属层的材质为Au、Ag、或者它们的合金，则可以产生较强的定域型表面等离子共振。另外，还可以在该金属层之上进而形成无机材料层。这是为了能够防止金属层的氧化劣化，不让测定对象的蛋白质等分子失活。作为所述无机材料，优选为二氧化硅、氧化锌、氧化锡、氧化钛等材料。本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，优选在所述金属层的表面上形成用来使生物分子固定化的有机分子层。由此，可以用作能够检测特定的生物分子的生物传感器。也就是说，只要是本实施方式的芯片，则可以增大用来形成有机分子层的表面积，从而可以提高传感器灵敏度。另外，本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，所述有机分子层优选为包含距离金属层表面的长度为50nm以上且200nm以下的分子、及距离金属层表面的长度为Inm以上且小于50nm的分子。因为所述有机分子层具有如上所述的分子，所以长度为Inm以上且小于50nm的分子在金属层的附近与生物分子结合，长度为50nm以上且200nm以下的分子在远离金属层处与生物分子结合。而且，因为与生物分子结合的长度为50nm以上且200nm以下的分子弯折，所以该生物分子也被吸引至金属层附近。由此，可以使许多生物分子集中在金属层附近的区域，从而可以更进一步提高传感器灵敏度。作为构成所述有机分子层的所述分子，可以举出生物素化聚乙二醇(Biotin-PEG),0RLA18(商品名、ORLAPROTEINTECHNOLOGY公司制造)、右旋糖酐等。另外，所述分子的分子链长的测量可以通过动态光散射法来测定。(III)定域型表面等离子共振传感器本实施方式的定域型表面等离子共振传感器包括所述本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片；光源，对所述定域型表面等离子共振传感器用芯片照射光；以及光检测器，接收由所述定域型表面等离子共振传感器用芯片所反射的光或透过该定域型表面等离子共振传感器用芯片的光。本实施方式的定域型表面等离子共振传感器是在所述定域型表面等离子共振传感器用芯片中的金属层表面产生定域性共振电场，利用所述光检测器接收从所述光源出射并入射至所述传感器用芯片的表面后在所述金属层的表面的产生共振电场的区域反射或透过的光。然后，测定所述传感器用芯片中的反射率、透过率、或由所述光检测器接收的光强度。另外，本实施方式的定域型表面等离子共振传感器也可以是，对于所述传感器用芯片，使两种以上的波长的光垂直入射至传感器用芯片表面，并利用所述光检测器来测定由所述传感器用芯片反射或透过该所述传感器用芯片的各波长的光的反射率或透过率、或者各波长的光的光强度。根据所述实施方式，可以通过对特定的两种波长以上的波长的反射率或透过率、光强度进行比较，而评价共振波长的变化。因此，较理想的是用于检查有无已知的特定物质坐寸ο如果在本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中产生定域型表面等离子共振，那么所照射的光能会被金属层的表面等离子波吸收，因此使某波长(共振波长)中光的反射率或透过率、及由光检测器接收的光强度降低。该共振波长会根据筒状体所构成的凹部内部及开口部周边所存在的介质的折射率而变化，因此通过所述定域型表面等离子传感器，可以侦测到该区域内附着有电介质物质或附着量的变化等。尤其，可以用作生物传感器而较佳地用于检测特定蛋白质。而且，本实施方式的定域型表面等离子共振传感器中，在筒状体所构成的凹部内部及开口部周边可见大幅度的电场增强，因此可以引起极强的表面等离子共振，与以往的传播型表面等离子共振传感器或定域型表面等离子共振传感器相比，可以进行灵敏度非常高的传感。尤其是，因为本实施方式的定域型表面等离子共振传感器中包含所述筒状体，所以如果对形成着该筒状体的区域内的面照射光，那么筒状体内壁的金属侧面的自由电子与入射光之间会产生耦合，使筒状体内部集中有更强的电场，而产生更强的定域型表面等离子共振。进而，本实施方式的定域型表面等离子共振传感器中，距离金属层的表面数十nm左右的狭小区域内具有灵敏度，因此可以制作由远离金属层的区域的物质所引起的干扰较小而S/N比良好的定域型表面等离子共振传感器。以下，用图I对本实施方式的定域型表面等离子共振传感器(以下，称为定域SPR传感器)的反射光学系统的基本构成的一例进行说明。图I是表示本实施方式的定域SPR传感器24的反射光学系统的基本构成的概况的平面图。如图I所示，所述定域SPR传感器24包括光源25、准直透镜26、具有小孔的准直板27、分束镜(beamsplitter)(也可以是半反射镜(halfmirror))28、分光器29、光检测器33、定域SPR传感器用芯片30、及数据处理装置31。将从光源25出射的光引导至准直透镜26。准直透镜26使从光源25出射的光准直化并使其作为平行光束而通过。通过准直透镜26而准直化的光因为通过准直板27的小孔而成为汇聚得较细的平行光束。已通过准直板27的小孔的光入射至分束镜28，仅入射光量的约1/2的光笔直地透过分束镜28。已透过分束镜28的平行光束照射至测定区域(形成着筒状体的区域)32。照射至测定区域32的光由测定区域32反射而沿原方向返回。沿原方向返回的测定光入射至分束镜28。入射至分束镜28的测定光中仅光量的约1/2在分束镜28内的贴合面向90度方向反射。由分束镜28反射的光通过分光器29而分光为各波长的光，并由光检测器33接收。因此，通过利用光检测器33来接收由分光器29分光的光，可以检测出各波长的光强度。数据处理装置31预先被给予了在测定区域32内无样本的状态下照射的光的各波长的光强度作为数据。因此，通过利用数据处理装置31对预先给予的数据与由光检测器33检测出的各波长的光强度进行比较，可以求出测定区域32内的各波长的反射率的分光特性(反射率光谱)等。接下来，用图2对本实施方式的定域SPR传感器的透过光学系统的基本构成的一例进行说明。图2是表示本实施方式的定域SPR传感器34的透过光学系统的基本构成的概况的平面图。定域SPR传感器34包括光源25、准直透镜26、具有小孔的准直板27、包含测定区域32的定域SPR传感器用芯片30、分光器29、光检测器33、及数据处理装置31。将从光源25出射的光引导至准直透镜26。准直透镜26使从光源25出射的光准直化并使其作为平行光束而通过。通过准直透镜26而准直化的光因为通过准直板27的小孔而成为汇聚得较细的平行光束。已通过准直板27的小孔的光照射至测定区域(形成着筒状体的区域)32。照射至测定区域32的光透过测定区域32。已透过的测定光通过分光器29而分光成各波长的光，并由光检测器33接收。数据处理装置31预先被给予了在测定区域32内无样本的状态下照射的光的各波长的光强度作为数据。因此，通过利用数据处理装置31对预先给予的数据与由光检测器33检测出的各波长的光强度进行比较，可以求出测定区域32内的各波长的反射率的分光特性(透过率光谱)等。此外，所述反射光学系统及透过光学系统的构成中，所述光源25较理想的是照射卤素灯等的白色光，但只要是包含用于测定的波段的光即可。另外，通过小孔的平行光束也可以是具有某种偏振光面的直线偏振光或椭圆偏振光、圆偏振光等。进而，也可以是视需要配置用来形成所述各种偏振光状态的光学零件(例如，λ/2板等)。此外，本实施方式中，将光(电磁波)的电场的振荡面定义为偏振光面，将该电场的方向定义为偏振光方向。另外，光检测器33可以包括具有多个光接收面的光电二极管阵列、CXD(ChargeCoupledDevice,电荷稱合元件)或利用等离子现象的光接收器等。接下来，通过图3来对所述定域SPR传感器24及34中的测定区域32进行详细说明。图3的(a)是表示放大测定区域32而表示的平面图，图3的(b)是图3的(a)沿A-A线切断后沿箭头所示的方向所视的截面图。在测定区域32内，在金属层52的表面形成着多个筒状体45(由金属薄膜制成的筒状体，虚线圆形记号内)。如果在此种配置的基础上将光垂直入射至测定区域32，则光会入射至筒状体45，在筒状体45的内部或周边会产生电场。入射至具有筒状体45的金属层52的光在筒状体45的内部及周边产生电场,该电场与金属层52内部的自由电子的固有振荡I禹合，由此而产生定域型SPR。因此，入射至金属层52的光能通过定域型SPR而向筒状体45集中，入射至金属层52的光的一部分被吸收。其结果为，根据由光检测器33接收的光求出的反射率或透过率在某种特定的波长(共振波长)下变小。该特定的波长根据检查样本溶液的折射率而变化，因此通过研究反射率极小点的波长或其变化，可以检查出检查样本溶液中所含的电介质物质的折射率及种类等。另外，通过使用与特定蛋白质特异性地结合的抗体等，可以检查出检查样本溶液中所含的特定蛋白质的有无及含量等。此外，在此种测定区域32内，筒状体45的口径、深度既可以均匀一致，也可以不均匀。(IV)结构体的制造方法本发明的结构体的制造方法是至少包括(i)液体涂覆步骤、及(ii)光照射步骤的方法。在以下的说明中，是对包括(i)液体涂覆步骤、(ii)光照射步骤、(iii)结构体的模子的制造步骤、及(iv)使用模子的结构体的复制步骤的形态进行说明，但本发明并不限定于此。[液体涂覆步骤]所述液体涂覆步骤是在光响应性材料上涂覆不含颗粒状物质的液体的步骤。此处，光响应性材料可以使用与“(I)结构体”中所例示的相同的材料。另外，所谓所述“不含颗粒状物质的液体”，是指实质上不含有颗粒状物质的液体。所谓“颗粒状物质”，是指液体中颗粒状的固体。有时特别是指其平均粒径在Inm100μm的范围内的物质。所述“平均粒径”是指一次粒径的平均粒径，可以通过BET(Brunauer-Emmett-Te11er,布厄特)法(比表面积法)测定。另外，所谓“实质上不含有”，是指无法通过可以检测Inm100μm的物质的检测单元(例如,粒度分布测定器)来检测。另外，所谓所述“颗粒状物质”，只要是液体中作为颗粒状的固体而存在的物质，则无特别限定，指的是如金属颗粒那样的刚体、或如动物细胞那样非常柔软的物体。作为所述“颗粒状物质”，更具体而言，可以例示包含选自由无机材料、金属材料、及高分子材料所组成的群中的至少I种材料的颗粒状的物质，或者包含金属颗粒、金属酸化物颗粒、半导体颗粒、陶瓷颗粒、塑料颗粒、或其中两种以上的材料(例如，两种材料的混合物或多层结构体)的颗粒状的物质。作为所述金属颗粒，例如可以举出金、银、铜、铝、钼等。作为金属氧化物颗粒，例如可以举出二氧化硅、氧化钛、氧化锡、氧化锌等。作为塑料颗粒，例如可以举出聚苯乙烯颗粒、丙烯酸颗粒等。作为本步骤中所使用的“液体”，可以举出水、甲醇或乙醇等醇类、四氢呋喃(THF,tetrahydrofuran)、氯仿、环己酮或丙酮等可溶解光响应性材料的有机溶剂、或者水与所述有机溶剂的混合物。作为液体的涂覆方法，并无特别限定，可以仅利用滴管等进行添加，还可以使用旋涂法、喷涂法、浸涂法等众所周知的方法。本发明的结构体的制造方法中，可以在涂覆液体之后，进行在该液体上放置膜或板状物质而使液体厚度保持固定的操作。所述膜或者板状物质既可以透明，也可以不透明。此外，本发明的结构体的制造方法中还可以包括在所述液体涂覆步骤之前在基板(例如，包含玻璃、丙烯酸系树脂、非晶形碳、晶体硅、多晶硅、非晶硅等的基板)的表面形成光响应性材料的膜的步骤(称为“光响应性材料膜形成步骤”)。光响应性材料膜形成步骤例如可以通过如下方式进行，即，通过旋涂法、喷涂法、浸涂法等众所周知的方法将光响应性材料溶解在适当的有机溶剂(四氢呋喃(THF)、氯仿、环己酮或丙酮等可溶解光响应性材料的有机溶剂)中的溶液涂覆在所述基板上。另外，也可以使通过所述方法形成的光响应性材料的膜退火。所谓所述“退火”，是指通过对光响应性材料的膜中所含的溶剂进行加热而使之挥发的工艺。作为退火的加热温度，可以适当采用优选条件。退火的加热温度例如既可以在光响应性材料的玻璃转移点左右，也可以在室温附近。另外，退火不论是在大气压条件下进行，还是在减压条件下进行均可。以所述方式形成的光响应性材料的膜既可以立即实施所述液体涂覆步骤，也可以放置一段时间后实施液体涂覆步骤。放置时的气体环境温度既可以是室温，也可以是室温以上，还可以是室温以下。另外，还可以视需要在湿度得到控制的条件下放置。图14表示对退火时间与所形成的筒状体的分布的关系进行研究所得的结果。图14的(a)、(b)、(c)是分别在真空条件下以80°C对光响应性材料膜形成步骤后的光响应性材料进行10分钟、60分钟、20小时退火时形成的结构体的AFM照片。可见如下倾向，S卩，退火时间变得越长，则筒状体的开口部的口径变得越小，藤壶体内壁相对于水平面的角度变得越接近于垂直(即变得上下一般粗)。另外，虽然省略数据，但还是可以看到这样的倾向，即，直至所述液体涂覆步骤为止的放置时间变得越长，退火时间变得越长，则筒状体的开口部的口径变得越小，藤壶体内壁相对于水平面的角度越接近于垂直(即变得上下一般粗)。因此启示我们有如下可能性，即，通过控制退火时间或放置时间，可以控制结构体的分布。[光照射步骤]光照射步骤是对通过所述液体涂覆步骤而涂覆有液体的光响应性材料照射光的步骤。换言之，是在将不含颗粒状物质的液体(以下，简称为“液体”)涂覆在光响应性材料的表面之后在直至液体干燥为止的期间进行光照射的步骤。另外，也可以在使所述液体涂覆步骤后的光响应性材料干燥至所涂覆的液体未完全蒸发的程度之后，进行光照射步骤。通过控制光照射时光响应性材料上所存在的液体的残留量，可以控制结构体的形状(筒状体的开口部的口径、筒状体的密度、筒状体的高度、筒状体凹部的深度等)。干燥方法并无特别限定，既可以将液体涂覆步骤后的光响应性材料加入干燥炉内进行加热，也可以利用干燥器等进行热风干燥，也可以通过减压进行干燥，还可以进行自然干燥。所述光照射的时间宜配合想要获得的结构的形状、或光的种类或强度而适当调整。另外，光的照射方向也并无特别限定，既可以从光响应性材料的背面(未涂覆有液体一侦D照射光，也可以从涂覆有液体一侧照射光。用图16-18对光照射步骤的一实施方式进行说明。本发明并不限定于此。图16是在滑动玻璃基板上形成光响应性材料膜(偶氮苯聚合物薄膜)，进而在其上涂覆液体。铝制掩模(具备圆形孔)与滑动玻璃的不面向偶氮苯聚合物薄膜的面接触。来自LED灯的光由简易聚光透镜聚光，通过铝制掩模的孔而照射至偶氮苯聚合物薄膜。然后，在偶氮苯聚合物薄膜的光所照射到的区域形成筒状体。图16所示的形态是从基板侧照射光的形态。图17是在滑动玻璃(盖片)上涂覆液体并放置垫片(例如滑动玻璃片)。然后，将在滑动玻璃基板上形成着光响应性材料膜(偶氮苯聚合物薄膜)的基板，以偶氮苯聚合物与液体接触的方式放置在垫片之上。铝制掩模(具备圆形孔)与滑动玻璃(盖片)的不面向液体的面接触。来自LED灯的光由简易聚光透镜聚光，通过铝制掩模的孔而依次照射至液体、偶氮苯聚合物薄膜。然后，在偶氮苯聚合物薄膜的光所照射到的区域形成筒状体。图17所示的形态是从液体侧照射光的形态。此外，从液体侧对偶氮苯聚合物薄膜照射光的形态也可以是如图18所示的形态。也就是说，也可以对在滑动玻璃基板上形成着光响应性材料膜(偶氮苯聚合物薄膜)的基板照射由简易聚光透镜聚光的来自LED灯的光。此外，通过缩短光的照射时间，可以制作如图15所示将埋在地下的轮胎的一部分拉出至地面上的形状(换言之，为月牙形)的结构体。本发明包含所有通过本发明的结构体的制造方法而制造的结构体，因此所述月牙形的结构体也包含在本发明的范围中。此处，图15的(a)是在光照射I秒后形成的结构体的AFM像，(b)是在光照射5秒后形成的结构体的AFM像，(c)是在光照射10秒后形成的结构体的AFM像，Cd)是在光照射15秒后形成的结构体的AFM像，Ce)是在光照射25秒后形成的结构体的AFM像，Cf)是在光照射30秒后形成的结构体的AFM像，(g)是在光照射45秒后形成的结构体的AFM像，(h)是在光照射60秒后形成的结构体的AFM像，(i)是在光照射300秒后形成的结构体的AFM像。在图15的(a)(d)中尤其可以观察到月牙形的结构。作为照射光，只要与引起光变形的材料的组合并无不匹配，便可以利用传播光、近场光、或瞬逝光等任意照射光。作为传播光，可以利用自然光、激光等。作为传播光、近场光、或瞬逝光，可以利用其偏振光特性。照射光的波长和光源并无限定，关于波长，优选引起光变形的材料的吸收率高的波长。因此，优选紫外光(波长为300400nm)，但也可以照射可见光(波长为400600nm)。在照射可见光的情况下，优选使用通过可见光的照射而使所述固体的光固定化成为可能的光响应性材料。另外，还可以使用峰值功率高的脉冲光。另外，所述光照射步骤既可以在液体涂覆步骤后立即实施，也可以放置一段时间后实施光照射步骤。放置时气体环境温度既可以是室温，也可以是室温以上，还可以是室温以下。另外，还可以视需要在湿度得到控制的条件下放置。[电晕放电处理步骤]本发明的结构体的制造方法中还可以包括在光照射步骤之后进行电晕放电处理的步骤(电晕放电处理步骤)。通过进行电晕放电处理，可以获得所期望的结构体。例如，通过电晕放电处理，可以进一步增加筒状体的隆起部分的高度。电晕放电处理方法可以使用普通电晕放电处理方法(例如，参照OpticsLetters,Vol.26,No.I,JanuaryI,2001,“Diffractionefficiencyincreasebycoronadischargeinphotoinducedsurfacereliefgratingsonanazopolymerfilm”)。另外，宜调节电晕放电的强度、处理时间以便获得所期望的结构。电晕放电处理步骤本身可以视需要进行电晕放电处理，以获得所期望的结构，若无须进行电晕放电处理，则可以不进行。[结构体的模子的制造步骤]所谓结构体的模子的制造步骤，是通过如下方式制造成为第一结构体模子的第二结构体的步骤，该方式是以完全覆盖通过所述光照射步骤而获得的结构体(以下，记作第一结构体)的表面的方式涂覆热固性树脂或光固化性树脂，使该热固性树脂或光固化性树脂硬化后进行剥离。作为所述热固性树脂或光固化性树脂，可以使用通常使用的树脂，关于热固性树月旨，优选使用具有低于光响应性材料的玻璃转移温度的热固温度的树脂。作为本发明中的优选热固性树脂，可以利用硅酮树脂、尤其聚二甲基硅氧烷、或酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺等；作为光固化性树脂，可以利用硅酮树脂、聚酰亚胺、丙烯酸系树脂等。另外，所述热固性树脂或光固化性树脂中，还可以利用已调整折射率的树脂(例如，含有无机纳米颗粒、有机纳米颗粒、或金属纳米颗粒的聚合物材料，或者以包含含有极化率的大的元素(磷、硫、硒等)的原子团的方式完成分子设计的聚合物材料)。通过使用所述已调整折射率的树脂，有蒸镀金属时定域表面等离子共振电场的放大效果变得更大(倾向)这一优点。进而，作为本发明中的光固化性树脂的含义是，不仅包括吸收光而硬化的树脂，还包括如下的树脂，其如偶氮苯聚合物那样，吸收光而增加流动性后阻断光，由此硬化。因此，本步骤中，还可以使用偶氮苯聚合物。通过使用偶氮苯聚合物，可见光波段的折射率较高，因此有蒸镀金属时定域表面等离子共振电场的放大效果变得更大这一优点。此外，在本步骤中使用热固性树脂及光固化性树脂的情况下，有时树脂会起泡，因此优选在将树脂涂覆在结构体上的前后进行消泡步骤。消泡步骤例如通过在减压条件下放置硬化前的树脂而进行。在接下来的复制步骤中，也优选进行相同的消泡步骤。[使用模子的结构体的复制步骤]使用模子(第二结构体)的结构体的复制步骤是通过如下方式而获得作为第一结构体复制体的第三结构体的步骤，该方式是将热固性树脂或光固化性树脂填充至所述第二结构体中成为第一结构体的模子的部分，使该热固性树脂或光固化性树脂硬化后进行剥离。具体而言，通过在所述第二结构体的表面涂覆光(紫外线)固化性树脂或热固性树月旨，照射光(紫外线)或加热使之硬化后剥离该树脂，可以获得具有与光响应性材料表面上所形成的形状大致相同的形状的本实施方式的结构体(第三结构体)。此外，在将偶氮苯聚合物用作光固化性树脂的情况下，也可以通过在所述第二结构体的表面涂覆照射光使之软化的偶氮苯聚合物，此后停止照射光而使之硬化。此外，相当于复制体的第三结构体不仅存在与光响应性材料表面上所形成的结构体完全相同的情况，还存在根据转录率大小而使获得的结构体的形状不同的情况，但平面部、筒状体面内的配置模式大致相同。另外，所述说明中是对包括“结构体的模子的制造步骤”、及“使用模子的结构体的复制步骤”的情况进行了说明，并不限于此。也可以不进行这些步骤，而通过液体涂覆步骤、与光照射步骤来制作结构体。然而，如本实施方式，在制造模子并通过该模子而复制光响应性材料表面上所形成的结构体的情况下，构成结构体的材料并不限定于光响应性材料，而且可以容易地批量生产，因此效果特别大。即，可以说通过多次重复进行使用模子的结构体的复制步骤，能够容易地批量生产结构体。此外，上文中对使用光响应性材料的制造方法进行了说明，而关于使用热响应性材料的制造方法，可以参照实施例7。(V)定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法包括如下步骤通过本实施方式的结构体的所述制造方法制造结构体的步骤；及以金属覆盖经所述步骤而获得的结构体的表面，形成具有反映了所述结构体形状的形状的金属层。[制造结构体的步骤]制造结构体的步骤是通过“(IV)结构体的制造方法”中所记载的方法来制造结构体的步骤。因此，该步骤的说明可以沿用“(IV)结构体的制造方法”的说明。[形成金属层的步骤]所谓形成金属层的步骤，是以金属覆盖经制造所述结构体的步骤而获得的结构体的表面而形成具有反映了所述结构体的形状的金属层的步骤。金属层的形成可以通过例如溅镀法、蒸镀法等众所周知的方法而进行。此外，在通过溅镀或蒸镀而沉积的金属层的厚度较薄的情况下，还可能出现并非传感器用芯片的整个表面均形成有金属层的情况，但本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，即便在这样的情况下，也会引起定域型表面等离子共振现象。[定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法的例子]以下，通过图4对本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法的一例进行详细说明。但本发明并不限定于此。此外，作为结构体的制造方法的实施方式的说明，也可以参考以下的说明中的一部分。首先，利用旋转涂覆机等在透明基板46之上涂覆光响应性材料的溶液，形成包含光响应性材料的层(光响应性材料层)48(参照图4的(a))。其次，将不含颗粒状物质的液体(水等)54滴落至光响应性材料层48上(参照图4的(b))。从透明基板46侧照射特定的光之后(参照图4的(c))，使光响应性材料层48自然干燥，从而制作具有筒状体的基板49(参照图4的(d))。然后，将热固性树脂滴落至基板49之上，放置在热风烘箱中，使之硬化后剥离，从而制作具有筒状体的反转录形状的热固性树脂基板50(参照图4的(e))。然后，将紫外线固化树脂滴落至热固性树脂基板50上，在光固化后剥离，从而制作具有筒状体的透明基板51。可以在以所述方式获得的具有筒状体的透明基板51的表面，以利用溅镀使AiuAg等金属沉积而反映筒状的形状的方式对金属层52进行成膜处理，从而获得如图4的(f)的传感器用芯片53的基板部分。此外，在具有筒状体的透明基板51的表面与金属层52的密接性不充分的情况下，也可以在具有筒状体的透明基板51与金属层52之间设置Ti、Cr等的密接层。另外，为了充分获得反射光的光量，较理想的是金属层52的厚度为IOnm以上。但若金属层52过厚，则不能使入射光透过，或者成本或制作生产量不佳，因此实际上较理想的膜厚是10IOOnm程度。如上所述，本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法中，通过在暂时制造的光响应性材料上的具备筒状体的结构体上涂覆热固性树脂或光固化性树月旨，再在硬化后剥离，可以容易地大量生产成为结构体模子的结构体。而且，通过在所获得的成为模子的结构体上进而涂覆热固性树脂或光固化性树月旨，并进行剥离，可以获得具有与光响应性材料上的表面形状相同的形状的结构体。另外，本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法中，因为无需大规模的装置而几乎不用花费设备投资费，且批量生产性优异，因此能够以低成本来生产高精度的传感器用芯片。此外，所述说明中对使用透明基板46作为涂覆光响应性材料的基板的情况进行了说明，但并不限于此。在向光响应性材料侧照射光的情况下，也可以使用不具透光性的基板。另外，所述说明中是使用透明基板51作为最终获得的定域型表面等离子共振传感器用芯片的基板，但并不限于此。在不对定域型表面等离子共振传感器用芯片测定透过率的情况下，也可以使用不具透光性的基板。进而，所述说明中对如下情况进行了说明，但并不限于此，该情况是使用热固性树脂而制作结构体的模子，此后在该模子上涂覆紫外线固化性树脂，从而制作最终的定域型表面等离子共振传感器用芯片的基板。也可以使用紫外线固化性树脂等光固化性树脂而制作结构体的模子，此后在该模子上涂覆热固性树脂，从而制作最终的定域型表面等离子共振传感器用芯片的基板，此外，既可以前后都使用紫外线固化性树脂等光固化性树脂，也可以前后都使用热固性树脂。另外，偶氮苯聚合物也可以用于制作结构体的模子、及定域型表面等离子共振传感器用芯片的基板。此外，至今的定域型表面等离子共振传感器用芯片中，为了使金属纳米微粒子在基板上固定化，必须对基板表面进行化学修饰，而使金属纳米微粒子固定化步骤变得繁琐，难以有效地制造。相对于此，本实施方式的定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法中，可以连续形成金属层，因此可以有效地制造。也就是说，利用蒸镀、溅镀等工艺在可以通过将液体滴落至光响应性材料上并照射能引起伴随光致异构化产生的质量转移的波长的光等而获得的具备平面部及筒状体的基板之上形成金属膜，由此而可以有效地形成具备平面部及筒状体的形状。另外，近年来，作为形成亚微米至数10纳米尺寸的微小的凹部或凸部的方法，常使用纳米压印法。然而，纳米压印法中，需要压模或压印装置，可谓批量生产性优异，但因为初始设备投资费较高，所以不可以说是能够以低成本进行生产。另外，压模上仅形成凹部或凸部中的任一方，难以制作使凸部及凹部双方并存的压模，如果达到亚微米程度的尺寸，则从压模上脱离的脱模性较差，因此纳米压印法难以生产复杂的形状。此外，定域型表面等离子共振传感器可以使用所述定域型表面等离子共振传感器用芯片并通过众所周知的方法来制造。[实施例]以下，根据实施例更详细地说明本发明，但本发明并不限定于以下的实施例。[实施例I:结构体的制造-I]使用所述POTl作为光响应性材料，通过旋涂法使该偶氮聚合物衍生物薄膜(厚度为IOOnm)形成在玻璃基板上。对所形成的偶氮聚合物衍生物薄膜进行退火(以150°C进行10分钟(常压))。在将Icc的纯水滴落至所述偶氮聚合物衍生物薄膜上之后，以40mW/cm2的强度照射波长为470nm的光5分钟。在照射后去除纯水，对光照射后的偶氮聚合物衍生物薄膜进行热风干燥之后，利用AFM观察表面。将其结果于图5。所获得的结构体中的筒状体的平均口径为690nm，深度(平均值)为180nm，筒状体的开口部内径A与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比(A/B)为1.78。另外，所获得的结构体的筒状体在平面部的分散密度是每100μm见方为25000个。通过真空蒸镀法在所获得的结构体表面蒸镀厚度为IOOnm的金，从而制作传感器用芯片。当测定该传感器用芯片的透过光谱时，可见源于等离子共振的吸收峰。将折射率不同的液体(水、三甘醇)分别滴落至表面，进行透过光谱测定，将以峰顶的值标准化的图表示于图6。当计算出传感器用芯片表面的相对于液体的折射率的透过光谱的峰位移量的变化率而测定传感器用芯片的灵敏度时，为154RIU(RefractiveIndexUnit，单位折射率)。因此可知，本实施例的传感器用芯片是透过型且灵敏度高的等离子共振传感器。[实施例2:结构体的制造-2]利用旋转涂覆机，在透明基板上以50nm的厚度涂覆作为光响应性材料的与实施例I中所使用的物质相同的偶氮聚合物衍生物P0T1，而形成偶氮聚合物衍生物薄膜。对所形成的偶氮聚合物衍生物薄膜进行退火(以150°C进行10分钟(常压))。在将Icc的纯水滴落至所述偶氮聚合物衍生物薄膜上之后，以30mW/cm2的强度照射波长为470nm的光5分钟。在照射后去除纯水，对光照射后的偶氮聚合物衍生物薄膜进行热风干燥之后，利用AFM观察表面。将其结果示于图7。所获得的结构体中的筒状体的平均口径为350nm，深度(平均值)为170nm，筒状体的开口部内径A与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比(A/B)为1.20。另外，所获得的结构体的筒状体在平面部的分散密度是每100μm见方为70000个。通过真空蒸镀法在所获得的结构体表面蒸镀厚度为IOOnm的金，从而制作传感器用芯片。当测定该传感器用芯片的透过光谱时，可见源于等离子共振的吸收峰。将折射率不同的液体(水、聚二甲基娃氧烧、三甘醇、丙二醇二环氧丙醚(glyceroldiglycidylether))分别滴落至传感器用芯片的表面，进行透过光谱测定，将以峰顶的值标准化的图表示于图8。另外，将横轴表示滴落至传感器用芯片上的液体的折射率、纵轴表示源于等离子共振吸收的光谱的峰值波长的位移量的图表示于图9。当对图9的数据进行直线近似，根据直线的倾斜度计算传感器用芯片的灵敏度时，为204RIU。因此可知，本实施例的传感器用芯片是透过型且灵敏度高的等离子共振传感器。[实施例3:结构体的制造-3]与实施例2同样地进行结构体的制造。测定此时所形成的结构体之中任意选择的4个结构体的分布(实验批号(LotNo.)302-1)。除了在光照射前进行退火(以150°C进行10分钟(常压))之后以室温放置12小时以外，与实验批号302-1同样进行。测定此时所形成的结构体之中任意选择的两个结构体的分布(实验批号303-1)。将这些结果示于表I。[表I]................................................................................................................................................................号1..................................................................................................302-1308-1,筒状体■.1I……2—I3I4"II6—■■—■■■■臟苯·合_靈亂1|11^·__ψ.............................................................................................................................^_筒状体的I口部内径A(η)450469410371371871_状体的紐口部352390273313273234...........................................................................................................................-———Wgp(邏》_____________________深度(nm)185217200199194164...........................................A/B11.28I1.20I1.50I1.19—Tjj——TjjI本发明并不限定于所述各实施方式，而可以在权利要求所示的范围内进行各种变更，适当组合不同的实施方式中各自公开的技术方案而获得的实施方式也包含在本发明的技术范畴之中。[实施例4:使用传感器芯片的生物传感-I]使用所述POTl作为光响应性材料，使玻璃基板在氯仿溶剂中进行I分钟超声波洗净之后，通过旋涂法使该偶氮聚合物衍生物薄膜(厚度为50nm)形成在该玻璃基板上。对所形成的偶氮聚合物衍生物薄膜进行退火(以150°C进行10分钟(常压))。在将Icc的纯水滴落至所述偶氮聚合物衍生物薄膜上之后，以40mW/cm2的强度照射波长为470nm的光5分钟。在照射后去除纯水，对光照射后的偶氮聚合物衍生物薄膜进行热风干燥。在所获得的结构体表面通过真空蒸镀法蒸镀厚度为IOOnm的金，从而制作传感器用芯片。将通过截面TEM法针对该传感器用芯片的任意部位观察截面结构所得的结果示于图1925。图19是传感器用芯片的平面SEM像，图20是图19所示的传感器用芯片的P-P’截面TEM像，图21是图19所示的传感器用芯片的Q-Q’截面TEM像，图22是图19所示的传感器用芯片的R-R’截面TEM像，图23是图19所示的传感器用芯片的S-S’截面TEM像，图24是图19所示的传感器用芯片的T-T’截面TEM像，图25是图19所示的传感器用芯片的U-U’截面TEM像。此外，图2025中分别表示基板、筒状体、金属层。当利用AFM测定图20所示的筒状体的分布时，深度为176nm，筒状体的开口部内径A(587nm)与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B(529nm)的比(A/B)为I.11。另外，当利用AFM测定图21所示的筒状体的分布时，深度为128nm，筒状体的开口部内径A(503nm)与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B(423nm)的比(A/B)为I.19。另外，当利用AFM测定图22所示的筒状体的分布时，深度为148nm，筒状体的开口部内径A(498nm)与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B(385nm)的比(A/B)为I.29。另外，当利用AFM测定图23所示的筒状体的分布时，深度为137nm，筒状体的开口部内径A(394nm)与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B(319nm)的比(A/B)为I.23。另外，当利用AFM测定图24所示的筒状体的分布时，深度为136nm，筒状体的开口部内径A(418nm)与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B(297nm)的比(A/B)为I.40。另外，当利用AFM测定图25所示的筒状体的分布时，深度为208nm，筒状体的开口部内径A(930nm)与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B(809nm)的比(A/B)为I.15。使C反应性蛋白质(CRP,C-reactiveprotein)的抗体在上文中所获得的传感器用芯片表面以Iμg/ml的浓度固定化之后，以Iμg/mL的浓度的牛血清白蛋白(BSA,Bovineserumalbumin)进行结块。准备10pg/mL、100pg/mL、Ing/mL各浓度的CRP抗原溶液(溶剂PH7.4的磷酸盐缓冲液)，首先将10pg/mL的浓度的CRP抗原溶液滴落至传感器芯片表面，进行CRP的抗原抗体反应(反应时间15分钟)。此后，以磷酸盐缓冲液及纯水洗净传感器芯片表面之后，测定传感器芯片的透过光谱。其结果为，相对于在未使抗原发生反应的情况(以下，称为“空白期”)下峰值波长为642.lnm，在使抗原发生反应的情况下峰值波长成为642.8nm,峰值波长向长波长侧位移0.Ixm(参照图26)。其次，当将100pg/mL的CRP抗原溶液滴落至传感器芯片表面，同样测量抗原抗体反应后的传感器芯片表面的透过光谱时，峰值波长成为643.3nm，与空白期相比向长波长侧位移I.2nm(参照图26)。进而，当将Ing/mL的CRP抗原溶液滴落至传感器芯片表面，同样测量抗原抗体反应后的传感器芯片表面的透过光谱时，峰值波长成为644.lnm，与空白期相比向长波长侧位移I.9nm(参照图26)。因此可知，通过使用本实施例的传感器芯片，即便是10pg/mL这样极低的浓度，也可以检测出CRP。此外，CRP作为炎症性疾病的标志物而广为人知。[实施例5:使用传感器芯片的生物传感-2]使用以与实施例4同样的方式获得的传感器芯片，进行作为凝血因子的纤维蛋白原的检测。使纤维蛋白原抗体在上文中所获得的传感器用芯片表面以Iμg/ml的浓度固定化之后，以Iμg/mL的浓度的牛血清白蛋白(BSA)进行结块。准备10pg/mL、100pg/mL、lng/mL的各浓度的纤维蛋白原抗原溶液(溶剂pH7.4的磷酸盐缓冲液)，首先将10pg/mL的浓度的CRP抗原溶液滴落至传感器芯片表面，进行纤维蛋白原的抗原抗体反应(反应时间15分钟)。此后，以磷酸盐缓冲液及纯水洗净传感器芯片表面之后，测定传感器芯片的透过光谱。其结果为，相对于在未使抗原发生反应的情况(以下，称为“空白期”)下峰值波长为662.Onm,在使抗原发生反应的情况下峰值波长成为663.5nm,峰值波长向长波长侧位移I.5nm(参照图27)。其次，当将100pg/mL的纤维蛋白原抗原溶液滴落至传感器芯片表面，同样测量抗原抗体反应后的传感器芯片表面的透过光谱时，峰值波长成为665.5nm，与空白期相比向长波长侧位移3.5nm(参照图27)。进而，当将Ing/mL的CRP抗原溶液滴落至传感器芯片表面，同样测量抗原抗体反应后的传感器芯片表面的透过光谱时，峰值波长成为667.Onm，与空白期相比向长波长侧位移5nm(参照图27)。因此可知，通过使用本实施例的传感器芯片，即便是10pg/mL这样极低的浓度，也可以检测出纤维蛋白原。[实施例6:使用传感器芯片的生物传感-3]使用以与实施例4同样的方式获得的传感器芯片，进行作为糖尿病标志物的瘦素的检测。使瘦素抗体在上文中所获得的传感器用芯片表面以Iμg/ml的浓度固定化之后，以Iμg/mL的浓度的牛血清白蛋白(BSA)进行结块。准备100pg/mL、10ng/mL的各浓度的瘦素抗原溶液(溶剂pH7.4的磷酸盐缓冲液)，首先将100pg/mL的浓度的瘦素抗原溶液滴落至传感器芯片表面，进行瘦素的抗原抗体反应(反应时间15分钟)。此后，以磷酸盐缓冲液及纯水洗净传感器芯片表面之后，测定传感器芯片的透过光谱。其结果为，相对于在未使抗原发生反应的情况(以下，称为“空白期”)下峰值波长为653.Onm，在使抗原发生反应的情况下峰值波长成为668.Onm,峰值波长向长波长侧位移I.5nm(参照图28)。其次，当将10ng/mL的瘦素抗原溶液滴落至传感器芯片表面，同样测量抗原抗体反应后的传感器芯片表面的透过光谱时，峰值波长成为689.5nm，与空白期相比向长波长侧位移3.Onm(参照图28)。因此可知，通过使用本实施例的传感器芯片，即便是100pg/mL这样极低的浓度，也可以检测出瘦素。[实施例7:使用无规聚苯乙烯的情况下的结构体及定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造例]使用无规聚苯乙烯(分子量2000g/mol)作为热响应性材料。在基板(硅晶片)上旋涂2重量％的无规聚苯乙烯-甲苯溶液，形成薄膜(薄膜厚度IOnm)ο在空气环境下以70°C对形成有所述薄膜的基板加热60分钟，并进行退火。当利用AFM测定上文中所获得的结构体的筒状体的分布时，深度为17nm，筒状体的开口部内径A(647nm)与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B(539nm)的比(A/B)为I.20。通过真空蒸镀法在通过所述方式获得的结构体所具有的结构体表面蒸镀厚度为IOOnm的金，从而制作定域型表面等离子共振传感器用芯片。通过FDTD(FiniteDifferenceTimeDomain)法来模拟该定域型表面等离子共振传感器用芯片中的电场集中强度。将其结果示于图29。据图29来看，可确认基于本实施例中所获得的结构体而制作的定域型表面等离子共振传感器用芯片中电场得到放大(参照图29的圆圈部分)，且表示确实可以用作定域型表面等离子共振传感器用芯片。另外，还可确认构成定域型表面等离子共振传感器用芯片的结构体的材料并无特别限定。[产业上的可利用性]本发明取得如下效果，S卩，可以提供能够较佳地用于灵敏度高的定域型表面等离子共振传感器用芯片等的结构体及其制造方法。因此，例如在使用生物传感器等产业中，可以较佳地利用本发明。权利要求1.一种结构体,其特征在于包括平面部及筒状体；筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置；所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内；且所述筒状体的开口部内径A、与所述筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比A/B在I.OO以上且I.80以下的范围内；所述筒状体的底部为非球面。2.根据权利要求I所述的结构体，其特征在于所述A/B在I.00以上且I.50以下的范围内。3.根据权利要求I或2所述的结构体，其特征在于所述筒状体在平面部的分散密度是在每100μm见方为I个以上且50万个以下的范围内。4.根据权利要求I至3中任一项所述的结构体，其特征在于所述结构体包含刺激响应性材料。5.根据权利要求4所述的结构体，其特征在于所述刺激响应性材料为热响应性材料或者光响应性材料。6.根据权利要求4所述的结构体，其特征在于所述刺激响应性材料为光响应性材料。7.根据权利要求6所述的结构体，其特征在于所述光响应性材料包含偶氮聚合物衍生物。8.根据权利要求6所述的结构体，其特征在于所述光响应性材料为主链及/或侧链具有偶氮苯基的偶氮聚合物衍生物。9.一种定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于基板上形成着权利要求I至8中任一项所述的结构体；且以覆盖该结构体表面的至少一部分且反映该结构体的结构的方式形成着金属层。10.一种定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于基板上形成着结构体；且以覆盖该结构体表面的至少一部分且反映该结构体的结构的方式形成着金属层；该结构体如下所述包括平面部及筒状体；筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置；所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内；所述筒状体的开口部内径A、与所述筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比A/B在I.00以上且I.80以下的范围内；所述筒状体的底部为非球面。11.根据权利要求10所述的定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于所述A/B在I.00以上且I.50以下的范围内。12.根据权利要求10或11所述的定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于所述结构体包含刺激响应性材料。13.根据权利要求12所述的定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于所述刺激响应性材料为热响应性材料或者光响应性材料。14.根据权利要求13所述的定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于所述刺激响应性材料为光响应性材料。15.根据权利要求9至14中任一项所述的定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于所述金属层的厚度在IOnm以上且500nm以下的范围内。16.根据权利要求9至15中任一项所述的定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于在所述金属层的表面上形成着用来使生物分子固定化的有机分子层。17.根据权利要求16所述的定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于所述有机分子层包含距离金属层表面的长度为50nm以上且200nm以下的分子、及距离金属层表面的长度为Inm以上且小于50nm的分子。18.根据权利要求9至17中任一项所述的定域型表面等离子共振传感器用芯片，其特征在于所述金属层包含Au、Ag、或者它们的合金。19.一种定域型表面等离子共振传感器，其特征在于包括权利要求9至18中任一项所述的定域型表面等离子共振传感器用芯片；光源，对所述定域型表面等离子共振传感器用芯片照射光；以及光检测器，接收由所述定域型表面等离子共振传感器用芯片所反射的光或透过该定域型表面等离子共振传感器用芯片的光。20.根据权利要求19所述的定域型表面等离子共振传感器，其特征在于使两种以上的波长的光垂直入射至所述定域型表面等离子共振传感器用芯片的表面，并利用所述光检测器来测定由该定域型表面等离子共振传感器用芯片反射的各波长的光的反射率、透过该定域型表面等离子共振传感器用芯片的各波长的透过率、或者这些经反射或透过的各波长的光强度。21.—种结构体的制造方法，其特征在于包括液体涂覆步骤，在光响应性材料上涂覆不含颗粒状物质的液体'及光照射步骤，对通过所述液体涂覆步骤而涂覆有液体的光响应性材料照射光。22.根据权利要求21所述的结构体的制造方法，其特征在于所述液体是选自由水、醇类、及溶解光响应性材料的有机溶剂所组成的群中的至少I种。23.—种结构体的制造方法，其特征在于包含以下步骤(i)(iii):(i)经过液体涂覆步骤及光照射步骤来制造第一结构体，其中，该液体涂覆步骤是在光响应性材料上涂覆不含颗粒状物质的液体，该光照射步骤是对通过所述液体涂覆步骤而涂覆有液体的光响应性材料照射光；(ii)通过如下方式制造成为第一结构体的模子的第二结构体以完全覆盖所述第一结构体的表面的方式涂覆热固性树脂或光固化性树脂，使该热固性树脂或光固化性树脂硬化后进行剥离；以及(iii)通过如下方式获得作为第一结构体的复制体的第三结构体将热固性树脂或光固化性树脂填充至所述第二结构体中成为第一结构体的模子的部分，使该热固性树脂或光固化性树脂硬化后进行剥离。24.根据权利要求23所述的结构体的制造方法，其特征在于多次进行所述步骤(iii)。25.一种定域型表面等离子共振传感器用芯片的制造方法，其特征在于包括如下步骤通过权利要求21至24中任一项所述的结构体的制造方法来制造结构体；及以金属覆盖经所述步骤而获得的结构体的表面，形成具有反映了所述结构体形状的形状的金属层。26.—种结构体，其特征在于通过权利要求21或22所述的结构体的制造方法而制造。全文摘要本发明实现一种能够提供灵敏度更高的定域型表面等离子共振传感器的定域型表面等离子共振传感器用芯片。本发明的结构体的特征在于包括平面部及筒状体；筒状体是以开口部面向所述平面部的平面的方式竖立设置；所述筒状体的开口部的平均内径在5nm以上且2000nm以下的范围内；且所述筒状体的开口部内径A、与筒状体的自开口部起的中间深度处的内径B的比(A/B)在1.00以上且1.80以下的范围内；所述筒状体的底部为非球面。文档编号G01N21/27GK102884414SQ201080065629公开日2013年1月16日申请日期2010年12月8日优先权日2010年3月31日发明者濑崎文康,福田隆史申请人:株式会社钟化,独立行政法人产业技术综合研究所