专利名称：准单晶硅片外观测量装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种测量装置，尤其涉及一种准单晶硅片外观测量装置。
背景技术：
目前市场中出现了用多晶铸锭的方法生产准单晶硅的方法，该方法将单晶、多晶优势相结合，提高产品的竞争力，通过上述方法制作的准单晶硅片除了包含大面积单晶晶粒，通常不可避免地出现部分随机生长的多晶晶粒。单、多晶晶粒面积占整个硅片面积的比例是准单晶硅片的一个重要技术参数，用来评价准单晶硅片质量。但是，缺少一种观察测量装置，往往需要采用多种复杂的量具参与才可实现精确的数据对比，不利于推广。

实用新型内容本实用新型的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种准单晶硅片外观测量装置。本实用新型的目的通过以下技术方案来实现准单晶硅片外观测量装置，包括有基底层，其中所述的基底层为透明菲林底片， 所述的透明菲林底片上等距离纵横分布有基准参考线，所述的基准参考线之间构成阵列式网格。进一步地，上述的准单晶硅片外观测量装置，其中所述的基底层外围设置有固定边框，所述固定边框上绘制有定位参考线。更进一步地，上述的准单晶硅片外观测量装置，其中所述基准参考线的线宽为 10 μ m 至 156 μ m。更进一步地，上述的准单晶硅片外观测量装置，其中所述基准参考线的线宽为 30 μ m0更进一步地，上述的准单晶硅片外观测量装置，其中所述透明菲林底片的厚度为 5 μ m M 200 μ m。再进一步地，上述的准单晶硅片外观测量装置，其中所述透明菲林底片的厚度为 40 μ m0本实用新型技术方案的优点主要体现在通过阵列式网格的存在，可以采用直观的统计计算得出单晶晶粒、多晶晶粒占据准单晶硅片面积的比例，可以快速评价准单晶硅片质量。并且，能够提高检测的准确率。再者，本实用新型造价简单，易于推广。

本实用新型的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本实用新型技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本实用新型要求保护的范围之内。这些附图当中，[0014]图1是准单晶硅片外观测量装置的构造示意图。1透明菲林底片 2基准参考线3阵列式网格 4固定边框
具体实施方式
如图1所示的准单晶硅片外观测量装置，包括有基底层，其与众不同之处在于本实用新型采用的基底层为透明菲林底片1，这样可以便于透过透明菲林底片1来观察待测量的准单晶硅片。同时，在透明菲林底片1上等距离纵横分布有基准参考线2，且基准参考线2之间构成阵列式网格3。由此，可以根据阵列式网格3的存在，对待测量的准单晶硅片进行一个检测局域均分。就本实用新型一较佳的实施方式来看，为了提升整体装置的牢固程度，同时，拥有较佳的定位参考，便于使用者的观察便利，在基底层外围设置有固定边框4，且固定边框4 上绘制有定位参考线。进一步来看，考虑到在实际测量过程中，阵列式网格3的分布存在能够符合测量的需要，且不容易出现测量的视觉误差，基准参考线2的线宽为10 μ m至156 μ m。与之对应的是，考虑到透明菲林底片1的透光性能和透明度满足视觉观察的需要，本实用新型采用的透明菲林底片ι的厚度为5 μ m至200 μ m。再进一步来看，就多次对比实验来看，基准参考线2的线宽为30 μ m，透明菲林底片1的厚度为40μπι，可以实现较佳的效果。通过上述的文字表述可以看出，采用本实用新型后，通过阵列式网格的存在，可以采用直观的统计计算得出单晶晶粒、多晶晶粒占据准单晶硅片面积的比例，可以快速评价准单晶硅片质量。并且，能够提高检测的准确率。再者，本实用新型造价简单，易于推广。
权利要求1.准单晶硅片外观测量装置，包括有基底层，其特征在于所述的基底层为透明菲林底片，所述的透明菲林底片上等距离纵横分布有基准参考线，所述的基准参考线之间构成阵列式网格。
2.根据权利要求1所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于所述的基底层外围设置有固定边框，所述固定边框上绘制有定位参考线。
3.根据权利要求1所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于所述基准参考线的线宽为IOym至156 μ m。
4.根据权利要求3所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于所述基准参考线的线宽为30 μ m。
5.根据权利要求1所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于所述透明菲林底片的厚度为5μπ 至200μπ 。
6.根据权利要求5所述的准单晶硅片外观测量装置，其特征在于所述透明菲林底片的厚度为40 μ m。
专利摘要本实用新型涉及一种准单晶硅片外观测量装置，包括有基底层，其特点是基底层为透明菲林底片，该透明菲林底片上等距离纵横分布有基准参考线，且基准参考线之间构成阵列式网格。这样，通过阵列式网格的存在，可以采用直观的统计计算得出单晶晶粒、多晶晶粒占据准单晶硅片面积的比例，可以快速评价准单晶硅片质量。并且，能够提高检测的准确率。再者，本实用新型造价简单，易于推广。
文档编号G01B11/28GK202339326SQ201120503109
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月7日 优先权日2011年12月7日
发明者任军林, 孙利国, 汪燕玲, 钱峰, 陆俊宇, 魏青竹 申请人:中利腾晖光伏科技有限公司