专利名称：一种可控硅检测装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于可控硅检测领域，尤其涉及一种可控珪检测装置。
技术背景可控硅(SCR)又叫晶闸管，是一种大功率开关型半导体器件，有单向、 双向、可关断和光控等几种类型，具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控 制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动 控制和大功率的电能转换的场合。可控硅在运行时经常发生损坏或脉沖控制信 号丟失等故障，从而影响设备的正常运行，给生产带来很大的影响。目前，对可控硅进行检测时，主要通过万用表测量可控硅各管脚间的阻值 来判断可控硅的好坏。但检测时需将可控硅从设备上取下来，检测不方便。同 时，只能检测可控硅是否被击穿短路，不能检测可控硅断路或者触发脉冲信号 的有无，检测不全面。另外，由于受到人为因素的影响，容易造成检测失误。实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种可控硅检测装置，旨在解决现有可控硅4企 测方案检测不方便、检测不全面以及容易造成才企测失误的问题。本实用新型是这样实现的， 一种可控石圭;险测装置，所述装置包括 电源电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供导通电压； 触发电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供触发电压；以及检测结果指示装置，串接在所述电源电路与待检测的可控硅之间，指示待检测的可控硅的检测结果。本实用新型提供的检测装置结构简单，易于制作，造价低，使用方便，具 有多种检测功能，可以方便、迅速、可靠地检测可控硅的好坏，例如是否击穿 或断路，并可以检测触发脉冲信号的有无，给可控硅设备的维修带来很大方便。 采用该检测装置可以直接对设备中的可控硅进行冲企测，不需要将可控硅取出， 检测结果可以直观指示，不会导致检测失误。


图1是本实用新型提供的可控硅检测装置的结构图； 图2是本实用新型第 一 实施例提供的可控硅片企测装置的电路结构图； 图3是本实用新型第二实施例提供的可控硅检测装置的电路结构图； 图4是本实用新型第三实施例提供的可控硅检测装置的电路结构图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图 及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体 实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。在本实用新型中，通过控制可控硅的通断检测可控硅的状态，检测结果全 面，可以直观指示，对设备中的可控硅直接检测时不需要将可控硅从设备中取 出。图l示出了本实用新型提供的可控硅检测装置的结构，为了便于说明，仅示 出了与本实用新型相关的部分。电源电路101、触发电路103分别与待检测的可控硅102连接，电源电路 101为可控硅102提供导通电压，触发电路103为可控硅102提供触发电压， 检测结果指示装置104串接在电源电路101和可控硅102之间。检测结果指示 装置104可以是指示灯，或者声音发生器等，通过灯光信号或者声音信号指示检测结果。对可控珪102进行检测时，如果对可控娃102施加导通电压，不施加触发 电压时，可控硅102导通，检测结果指示装置104得电发出指示信号，表明可 控硅102短路；如果对可控硅102同时施加导通电压和触发电压时,检测结果 指示装置104未发出指示信号，表明可控硅102断路，否则说明表明可控硅102 工作正常。在本实用新型中，利用该;险测装置可以实现对双向可控^ 圭或者单向可控硅 的检测，也可以同时对双向可控硅和单向可控硅进行检测。图2示出了本实用新型提供的实现双向可控硅检测的可控硅检测装置的电 路结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型相关的部分。交流220V电源作为电源电路101，为双向可控硅VS1提供交流导通电压， 其相线直接接双向可控硅VS1的第二阳极T2，双向可控硅VS1的第一阳极T1 接指示灯HL1的一端，指示灯HL1的另一端接交流220V电源的零线。可调电阻RP1和电容C1构成一条阻容移相电路，作为触发电路103为双 向可控硅VS1提供触发电压。该阻容移相电路的一端接控制开关Sl的一端， 控制开关S1的另一端接双向可控硅VS1的第二阳极T2，该阻容移相电路的另 一端接双向可控珪VS1的第一阳极T1，阻容移相电路产生的脉沖信号接双向 触发二极管ST的一端，双向触发二极管ST的另一端接双向可控硅VS1的控 制极G，为双向可控硅VS1提供触发电压。具体工作过程为，合上控制开关Sl， 交流电源通过可调电阻RP1向电容C1充电，当电容C1两端的电压上升到略高 于双向触发二极管ST的转折电压时，双向触发二极管ST导通，并且触发双向 可控硅VS1也导通，指示灯HL1得电发光。当交流电源电压过零瞬间，双向 可控硅VS1自行关断，接着电容C1又被电源反向充电，重复上述过程。该阻 容移相电路工作在交流电路中，阻容移相电路在交流电压的正、负半周分别会 发出正、负触发电压到双向可控硅VS1的控制极G，使双向可控硅VS1在正、 负半周内对称地导通一次，改变可调电阻RP1的阻值，就改变了电容C1的充电速度，也就改变了双向可控硅VS1的导通角，相应地改变了指示灯HL1上 的交流电压，实现了交流调压。当可调电阻RP1调到最大值时，电容C1充电速度变得很隄，以致在交流 电压的半个周期时间内，电容C1上的电压还来不及上升到双向触发二极管ST 的转折电压，双向可控硅VS1就不能导通。为了克服这一缺陷，本实用新型增 加了由电阻R1、电容C2和电阻R2组成的另一条阻容移相电^各，当可调电阻 RP1调到极限值以上时，电容C2上的电压可经电阻R2向电容C1充电，使电 容C1上的电压达到双向触发二极管ST的转折电压，以保证在低输出电压下双 向可控硅VS1仍能导通。检测双向可控硅VS1时，如果控制开关S1未闭合，指示灯HL1发光，表明 双向可控硅VS1被击穿而短路，如果指示灯HL1未发光，控制开关S1闭合后， 指示灯HL1发光，表明双向可控硅VS1正常，否则表明双向可控硅VS1断路损坏。图3示出了本实用新型提供的实现单向可控硅检测的可控硅检测装置的电 路结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型相关的部分。交流220V电源、变压器T、整流桥D和控制开关S2构成电源电^各101, 为单向可控硅VS2提供直流导通电压，控制开关S3和电池组构成触发电路103 ， 为单向可控硅VS2提供触发电压，检测结果指示装置104采用指示灯HL2,待 检测的可控硅102为单向可控硅VS2。变压器T的原边接交流220V电源，变压器T的副边的一端接整流桥D的 一输入端，变压器T的副边的另一端接控制开关S2的一端，控制开关S2的另 一端接整流桥D的另 一输入端。整流桥D的 一输出端接单向可控硅VS2的阳 极A，单向可控硅VS2的阴极K接指示灯HL2的一端，指示灯HL2的另一端 接整流桥D的另 一输出端。电池组的正极接控制开关S3的一端，控制开关S3的另一端接单向可控硅 VS2的控制极G，电池组的负极接单向可控硅VS2的阴极K。检测单向可控硅VS2时，将控制开关S2闭合，若指示灯HL2发光，则表明单向可控硅VS2被击穿而短路，若指示灯HL2不发光，将控制开关S3闭合， 如果指示灯HL2发光，表明单向可控硅VS2正常，否则就表明单向可控硅VS2 断路损坏。本实用新型除了检测可控硅是否短路或断路外，还可以检测可控硅中触发 脉沖信号的有无，具体操作为，将正常的单向可控硅VS2放在检测电路中，断 开控制开关S3，将触发脉冲信号的正极接在'T，的位置，负极接在"2"的位置， 闭合控制开关S2,如果指示灯HL2发光，就表明触发脉冲信号正常，如果指 示灯HL2不发光，就表明没有触发脉冲信号。图4示出了本实用新型提供的同时对双向可控硅和单向可控硅进行检测的 可控硅检测装置的电路结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型相关的部 分。将上述双向可控硅VS1的检测电路和单向可控珪VS2的检测电路结合，可以 同时对双向可控硅和单向可控硅进行检测，检测过程不再赘述。本实用新型提供的检测装置结构简单，易于制作，造价低，使用方便，具 有多种检测功能，可以方便、迅速、可靠地检测可控硅的好坏，例如是否击穿 或断路，并可以检测触发脉冲信号的有无，给可控硅设备的维修带来很大方便。 采用该检测装置可以直接对设备中的可控硅进行检测，不需要将可控硅取出， 检测结果可以直观指示，不会导致检测失误。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型， 凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应 包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1、一种可控硅检测装置，其特征在于，所述装置包括电源电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供导通电压；触发电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供触发电压；以及检测结果指示装置，串接在所述电源电路与待检测的可控硅之间，指示待检测的可控硅的检测结果。
2、 如权利要求1所述的可控硅检测装置，其特征在于，所述电源电路包括 双向可控硅检测电源电路，与待检测的双向可控硅连接，为待检测的双向可控硅提供交流导通电压。
3、 如权利要求1所述的可控硅检测装置，其特征在于，所述电源电路包括 单向可控硅检测电源电路，与待检测的单向可控硅连接，为待检测的单向可控硅提供直流导通电压。
4、 如权利要求3所述的可控硅检测装置，其特征在于，所述单向可控硅检 测电源电路包括变压器、控制开关和整流桥，其中变压器的原边接交流电源，副边的一端接整流桥的一输入端，副边的另一 端接控制开关的一端，控制开关的另 一端接整流桥的另 一输入端；整流桥的一输出端接单向可控硅的阳极，另 一输出端接检测结果指示装置。
5、 如权利要求1所述的可控硅检测装置，其特征在于，所述触发电路包括 双向可控硅触发电路，与待检测的双向可控硅连接，为待检测的双向可控硅提供触发电压。
6、 如权利要求5所述的可控硅检测装置，其特征在于，所述双向可控硅触 发电路包含两条阻容移相电路。
7、 如权利要求1所述的可控硅检测装置，其特征在于，所述触发电路包括 单向可控硅触发电路，与待检测的单向可控硅连接，为待检测的单向可控
8、 如权利要求7所述的可控硅检测装置，其特征在于，所述单向可控硅触 发电路包括电池组和控制开关，其中电池组的正极接控制开关的一端，负极接待检测的单向可控硅的阴极； 控制开关的另 一端接待检测的单向可控硅的控制极。
9、 如权利要求1至8任一权利要求所述的可控硅检测装置，其特征在于， 所述^r测结果指示装置为指示灯或者声音发生器。
专利摘要本实用新型适用于可控硅检测领域，提供了一种可控硅检测装置，包括电源电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供导通电压；触发电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供触发电压；以及检测结果指示装置，串接在所述电源电路与待检测的可控硅之间，指示待检测的可控硅的检测结果。本实用新型结构简单，易于制作，造价低，使用方便，具有多种检测功能，可以方便、迅速、可靠地检测可控硅的好坏，给可控硅设备的维修带来很大方便。采用该检测装置可以直接对设备中的可控硅进行检测，不需要将可控硅取出，检测结果可以直观指示，不会导致检测失误。
文档编号G01R31/27GK201218833SQ20082009372
公开日2009年4月8日 申请日期2008年4月29日 优先权日2008年4月29日
发明者张永清, 罗秋华 申请人:比亚迪股份有限公司