专利名称：磁性传感器装置和用于制造磁性传感器装置的方法
技术领域：
本发明涉及一种磁性传感器装置和用于制造磁性传感器装置的方法。
背景技术：
磁性传感器装置能够检测磁性金属件的运动，并能够(例如)被构造成用于测量磁性齿轮的速度。这种磁性速度传感器一般包括具有多个磁性传感器元件的集成电路，所述磁性传感器元件例如，霍尔传感器元件或磁阻传感器(XMR传感器)(例如，AMR (各向异性磁阻)传感器或巨磁阻(GMR)传感器)。永磁体对传感器元件提供偏置磁场。齿轮转动时，齿轮的齿在传感器前方经过，并产生小的磁场变动，该磁场变动由传感器检测并由集成电路处理。检测到的磁场包含关于齿轮的角位置和转速的信息。关于这种磁性传感器装置的制造，稳定的需求是，减少或简化制造步骤，特别是减少拾取-放置步骤或模制步骤。另一个稳定需求与磁性传感器装置封装的尺寸以及与永磁体的形状的可变性有关，因为理想的是，给永磁体提供特定形状，以使永磁场具有特定预期磁场分布。

发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种磁性传感器装置，包括:多个电线；磁体，所述磁体包括聚合物和磁性粒子的材料组合物，所述材料组合物附着于至少一个电线；以及与所述磁体相邻的磁性传感器芯片。根据本发明的另一个方面，提供了一种磁性传感器装置，包括:磁性传感器芯片；多个电线；以及永磁体，被构造成用于产生偏置磁场，所述永磁体被设置为使得所述多个电线中的至少一个电线延伸通过所述永磁体。根据本发明的再一个方面，提供了一种磁性传感器装置，包括:引线框架，包括引线脚；磁性传感器芯片，附着于至少一个引线脚；以及磁体，包括聚合物和磁性粒子的材料组合物，所述材料组合物附着于至少一个引线脚。根据本发明的一个方面，提供了一种用于制造磁性传感器装置的方法，所述方法包括:提供多个电线；提供磁性传感器芯片；将磁体附着于至少一个电线，所述磁体包括聚合物和磁性粒子的材料组合物。根据本发明的又一个方面，提供了一种用于制造磁性传感器装置的方法，所述方法包括:提供包括多个引线脚的引线框架；提供磁性传感器芯片；以及将聚合物和磁性或可磁化粒子的材料组合物模制于至少一个引线脚上或周围。


附图被包含进来是为了用于进一步理解实施例，所述附图并入该说明书且构成该说明书的一部分。附图示出了实施例，并与描述一起用于对实施例的原理进行解释。参考以下详细说明，其他实施例和实施例的多个预期优点可更好理解。附图中的元件不一定相对于彼此是按比例的。相似参考数字表示相应的相似部分。
图1示出了根据一个实施例的磁性传感器装置的示意截面侧视图；图2示出了根据一个实施例的磁性传感器装置的示意截面侧视图；图3A-3C示出了根据实施例的磁性传感器装置的示意截面侧视图；图4A-4C示出了根据实施例的磁性传感器装置的示意截面侧视图；图5A-5C示出了根据实施例的磁性传感器装置的示意截面侧视图；图6示出了根据一个实施例的磁性传感器装置的示意性立体图；图7示出了用于制造根据一个实施例的磁性传感器装置的方法的流程图；图8示出了用于制造根据一个实施例的磁性传感器装置的方法的流程图；图9A-9D示出了用于制造根据一个实施例的磁性传感器装置的方法的示意顶视图和侧视图；以及图10A-10C示出了用于获得根据一个实施例的图1OC所示的中间产品的方法步骤的示意截面侧视图。
具体实施例方式现在将参考附图对上述方面和实施例进行说明，其中，附图中相似参考数字一般用于指代相似元件。在以下说明中，为了便于解释，陈述了多个具体细节，以提供对实施例的一个或多个方面的彻底理解。但是，本领域的技术人员应理解的是，实施例的一个或多个方面可用较低程度的具体细节实施。在其他情况下，已知结构和元件以示意性形式显示，以便于对实施例的一个或多个方面进行说明。应理解的是，只要不脱离本发明的范围，可使用其他实施例，或可对结构或逻辑进行改变。应进一步注意的是，附图并不是按比例的，或不一定是按比例的。另外，虽然一个实施例的特定特征或方面仅参照多个实施方式中的一个进行描述，但所述特征或方面可与任何指定或特定应用需要的和有利于任何指定或特定应用的其他实施方式的一个或多个其他特征或方面组合。另外，就说明书或权利要求中使用的术语“包括”、“具有”、“带有”或其他变型而言，这些术语应宽泛地理解为与术语“包括”相似。可使用术语“耦接”和“连接”以及其派生词。应理解的是，这些术语可用于表示两个元件互相协作或交互作用，无论其直接物理接触或电气接触，还是互相不直接接触。另外，术语“例示性”仅意为示例，而不是最好或最佳示例。因此，以下详细说明不应理解为具有限制性，本发明的范围由所附权利要求限定。在多个实施例中，层或层堆叠互相施加于彼此，或者材料施用或沉积在层或其他衬底上。应理解的是，“施用”或“沉积”等术语在字面上应涵盖将层或材料施用在衬底上的所有种类和技术。特别地，其应涵盖一次性整体施用层或材料的技术(例如，层压技术)，以及以顺序方式沉积层或材料的技术(例如，溅射、电镀、模制、CVD等)。本文所述的实施例包括磁性传感器芯片。所述磁性传感器芯片可包括位于其一个或多个外表面上的接触元件或接触垫，其中，所述接触元件用于电气接触磁性传感器芯片。所述接触元件可具有任何预期形式或形状。其可例如具有半导体封装的外表面上的连接盘(land)形式，即,平接触层。所述接触元件或接触垫可由任何导电材料制成，例如，由金属(例如，铝、金或铜)、或金属合金、或导电有机材料、或导电半导体材料制成。在权利要求和以下说明中，用于制造磁性传感器装置的方法的不同实施例被描述为特定顺序的过程或措施，特别是以流程图描述。应注意的是，实施例不应限制为所述特定顺序。还可同时或以任何其他有用和适当顺序执行不同过程或措施中的特定过程或措施或所有过程或措施。下文对多个实施例进行了说明，其中，使用磁性传感器芯片来感应静态或动态磁场。应注意的是，磁性传感器芯片可以不同方式构成，并可与不同测量原理配合运行。所述磁性传感器芯片能(例如)包括霍尔传感器元件。可替代地，所述磁性传感器芯片能包括磁阻(XMR)元件。另外，技术人员还能采用磁性传感器芯片的其他实施方式。参照图1，其示出了根据一个实施例的磁性传感器装置的示意截面侧视图。磁性传感器装置10包括多个电线2、磁性传感器芯片3和磁体1，所述磁体I包括聚合物和磁性粒子的材料组合物，所述材料组合物附着在至少一个电线2上，特别是如图1实施例所示的附着至所有电线2上。根据一个实施例，所述材料组合物可配置为，磁性粒子涂覆有聚合物或聚合物基材料，特别涂覆有热固性聚合物材料，特别地，使磁性粒子的填充度为>90%。根据一个实施例，所述材料组合物可配置为，使得聚合物或聚合物基材料，特别是热固性材料，填充有磁性粒子，特别地，使磁性粒子的填充度为〈90%，特别地，为80-90%。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述材料组合物附着于至少一个电线2，使至少一个电线延伸通过所述材料组合物。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述材料组合物附着于至少一个电线2，使至少一个电线2沿至少一个电线2的一个线路段完全嵌入材料组合物内。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述材料组合物附着于电线2，特别地，所述多个电线2中的所有电线2沿电线2的相应线路段完全嵌入材料组合物内。在图1的实施例中示出了三个电线沿电线2的各个平行线路段完全嵌入的材料组合物内。这些线路段用虚线示出。但是，还可将电线2以不同方式嵌入材料组合物内，S卩，所述线路段可具有由磁体I的特殊形状导致的不同长度或延伸段。其实施例将在下文显示。根据磁性传感器装置10的一个实施例，附着有材料组合物的那些电线2沿其相应线路段由电绝缘层覆盖。根据其一个实施例，所述绝缘层包括氧化锌、氧化铬或介电材料或带状材料，或电线金属本身的氧化表面中的一种或多种。其一个实施例将在下文显示和说明。氧化锌或氧化铬可电沉积。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述磁性传感器芯片3附着于一个或多个电线2上，特别是中心电线2。根据其一个实施例，其可附着于一个电线2的端面。根据其一个实施例，所述端面可为电线的端部的一部分，通过锻造或弯曲的一种或多种构成。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述磁体I包括立方体或长方体的形状。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述磁体I具有的形状偏离了立方体或长方体的形状，偏离的程度为在与磁性传感器芯片3相邻的表面内形成凹陷。通过这种凹陷，可使磁体I产生的磁场具有特定预期磁场分布。根据其一个实施例，所述凹陷具有矩形或三角形截面。各个实施例将在下文显示。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述电线2用引线框架(Ieadframe)制成，特别是用铜基引线框架制成。特别地，如下文所示和所述，在制造过程开始时，所述电线2可为连续主引线框架的一部分，所述连续主引线框架包含具有电线2的多个单个引线框架，在制造过程中所述连续主引线框架被分成单个引线框架，每一个单个引线框架包括一个磁性传感器装置。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述磁性传感器芯片3包括霍尔传感器元件或磁阻(XMR)传感器元件。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述磁体I的材料组合物包括环氧树脂或可通过模制或铸造形成为任何预期形状的任何其他材料，或由其构成。根据磁性传感器装置10的一个实施例，所述装置进一步包括一个或多个电容器，每个电容器分别连接在两个电线2之间，或者分别连接在一个电线2与磁性传感器芯片3的一个端子之间。特别地，所述电容器被构造成提供充分的静电放电(ESD)保护。特别地，根据一个实施例，每个所述电容器包括的电容值分别在0.5nF至IOOnF范围内，更特别地，在InF至50nF范围内。包括这种电容器的磁性传感器装置的实施例将在下文显示和说明。根据一个实施例，所述磁性传感器芯片3可由硅芯片或硅片构成。然而，所述磁性传感器芯片3还可包括封装，例如，封闭芯片或硅片的PSSO封装。参照图2，其中示出了根据一个实施例的磁性传感器装置的示意截面侧视图。所述磁性传感器装置20包括与图1磁性传感器装置10相似的结构。由于也在图2中使用与图1中所用的相同参考符号表示多个结构单元，因而此处不再重复其说明。下文仅对磁性传感器装置20的相对于图1所示磁性传感器装置的实施例增加的结构单元进行说明。图2的磁性传感器装置20进一步包括封装材料4，所述封装材料封装磁性传感器芯片3并覆盖除中心电线2之外的电线2的端面以及磁体I的上表面。根据一个实施例，所述封装材料4包括树脂材料(特别是环氧树脂材料)、任何种类的材料组合物、或任何种类的UV固化材料中的一种或多种，或由其构成。根据一个实施例，所述封装材料4可(例如)通过浸涂而施用。根据一个实施例，所述封装材料4仅施用至磁体I的上表面，从而将磁性传感器芯片3嵌入，并覆盖除中心电线2之外的电线2的端面，如图2的实施例中所示。然而，根据下文显示和说明的一个实施例，所述封装材料4还可完全封装磁体I。根据图2所示的磁性传感器装置20的一个实施例，所述磁性传感器芯片3附着至中心电线2，并通过接合线5与其他电线2中的一个或多个电连接。所述接合线5也嵌入封装材料4中。这是所述磁性传感器芯片3本身包括硅芯片的实施例。然而，如果所述磁性传感器芯片3由封装构成，则所述封装可包括外部电接触区域，并且所述封装可位于所有三个电线2上，从而形成电线2与封装的电接触区域之间的电接触。根据图2所示的磁性传感器装置20的一个实施例，所述电线2沿磁体I内的相应线路段(显示为阴影区域)涂覆有或覆盖有电绝缘材料，以防止由于嵌在聚合物基磁体I内的磁性粒子可能具有的导电性而导致电短路。所述电绝缘材料可(例如)包括氧化锌或氧化铬的一种或多种，可沿所述线路段电沉积到电线2的表面上。根据另一个实施例，所述电绝缘材料可由任何电绝缘聚合物基材料构成，例如，任何种类的树脂(特别地，环氧树脂)或任何种类的介电绝缘材料。根据另一个实施例，所述电绝缘材料可由沿磁体I内的所述线路段缠绕在电线2周围的电绝缘带状材料提供。根据另一个实施例，所述电绝缘材料可由电线的氧化表面提供。图2的磁性传感器装置20的其他实施例可与以上所述图1的磁性传感器装置10相联系的任何一个特征和实施例一起形成。参照图3A-3C，其中示出了磁性传感器装置的进一步实施例的示意截面侧视图。再次说明，下文将仅对与图1和图2所示的磁性传感器装置相比的增加和改变进行概述。图3A示出了磁性传感器装置30.1，其中，与图2的磁性传感器装置20相比，封装材料4布置为使得，整个磁体I与磁性传感器芯片3及电线2的上端面一起嵌入封装材料4内。图3B示出了磁性传感器装置30.2，其电线2在穿入磁体I之前的位置处以直角弯曲的。所述电线2是以一排电线2在侧视图中示出，因此仅一个电线2可见。图3C示出了磁性传感器装置30.3，其中，电线2从侧壁穿入磁体1，使电线2朝向磁性传感器芯片3和封装材料4以直角在磁体I内弯曲。图4A-4C示出了磁性传感器装置的其他实施例的示意截面侧视图。这些其他实施例旨在示出磁体I产生的永磁场成形的各种可能性。图4A示出了以与图2的磁性传感器装置20相同的方式形成的磁性传感器装置40.1。另外，虚线表示磁体I产生的磁场的场线。所述磁体I具有长方体的形状，其具有矩形截面(具有侧面a和b)和与纸面垂直的高度C。图4B示出了磁性传感器装置40.2，其中，所述磁体I大体上以与图4A中相同的方式形成，但是，其中，具有矩形截面的凹陷从上表面形成到磁体I内，使该区域内仅保留磁体I的侧壁。可以看出，磁场的场线与图4A大不相同，特别地，在图4A的情况下，场线发散，而在图4B的情况下，场线或多或少会聚。图4C示出了磁性传感器装置40.3，其中，所述磁体I也大体以与图4A中相同的方式形成，但是，其中，凹陷从上表面形成到磁体I内，所述凹陷具有三角形截面。再次可以看出，磁场的场线与图4A和4B的实施例不同。参照图5A-5C，其中示出了磁性传感器装置的其他实施例的示意截面侧视图。这些其他实施例旨在显示如何能够有效地防止磁性传感器装置内静电放电(ESD )。再次说明，下文仅对与图2的磁性传感器装置20相比的增加和改变进行说明。图5A示出了包括两个电容器6的磁性传感器装置50.1，每个电容器均连接在两个电线2之间。所述电容器6可(例如)包括陶瓷电容器,例如,技术人员已知的X8R型。这些种类的电容器一般构造为SMD(表面安装器件)装置，所述SMD装置可(例如)通过导电粘合剂安装至电线2。所述电容器6的电容值一般在0.5nF至IOOnF范围内，更特别地，为lnF_50nF。如图5A所示，两个电容器6的其中之一连接在中心电线2与左侧电线2之间，两个电容器6中的另一个连接在中心电线2与右侧电线2之间。所述电容器6在这样一个位置处与电线2连接，即，使得磁体I位于磁性传感器芯片3与电容器6之间。图5B不出了与图5A的实施例相似的磁性传感器装置50.2，但是，其中，所述电容器6与电线2连接使得电容器位于磁体I与磁性传感器芯片3之间。因此，所述电容器6也被封装材料4覆盖。图5C示出了磁性传感器装置50.3，其中，每一个电容器6均连接在磁性传感器芯片3的电端子与左侧或右侧电线2之一之间。每个电容器6还附着在左侧或右侧电线2之一的上表面上。参照图6，其中示出了根据一个实施例的磁性传感器装置的立体图。图6的磁性传感器装置60包括三个电线2。中心电线2包括通过弯曲而成形的端部2.11，将在下文说明。所述端部2.11包括其上安装有磁性传感器芯片3的上平坦表面2.1lA0所述端部2.11的上平坦表面2.1lA包括足够大的表面面积，使磁性传感器芯片3可安全地置于其上，这意味着，在实践中，所述表面2.1lA的表面面积稍大于磁性传感器芯片3的下表面。所述磁性传感器芯片3在其上表面处包括电接触垫，每个电接触垫均通过接合线5与其他电线2中之一连接。参照图7，其中示出了根据一个实施例用于解释制造磁性传感器装置的方法的流程图。图7的方法70包括:步骤71，提供多个电线；步骤72，提供磁性传感器芯片；以及步骤73，将磁体附着于至少一个电线，所述磁体包括聚合物和磁性粒子的材料组合物。根据方法70的一个实施例，所述方法进一步包括:将聚合物和磁性或可磁化粒子的材料组合物模制于所述至少一个电线，特别地，将其模制于至少一个电线或一个以上或所有电线上或周围。特别地，沿并列电线的预定线路段将材料组合物模制于电线，使电线沿其预定线路段完全嵌入材料组合物内。之后，在磁化步骤中，材料组合物的可磁化粒子能够通过本技术中的已知方式进行磁化。根据方法70的一个实施例，所述方法进一步包括:附着有材料组合物的电线被电绝缘层沿其相应线路段覆盖。用电绝缘层覆盖的步骤可(例如)通过将氧化锌或氧化铬层电沉积在电线的相应线路段上或通过氧化相应线路段而进行。根据方法70的一个实施例，所述方法进一步包括:给磁体提供立方体或长方体的形状或提供偏离立方体或长方体的形状，偏离的程度使得在与磁性传感器芯片相邻的表面内形成凹陷。根据其一个实施例，所述凹陷可包括矩形或三角形截面。根据方法70的一个实施例，所述磁性传感器芯片附着于至少一个电线的端面。根据方法70的一个实施例，所述方法进一步包括:用封装材料封装磁性传感器芯片。根据其一个实施例，用封装材料封装的步骤可通过将包含磁性传感器芯片的装置浸入包含液态封装材料的槽内而进行。根据一个实施例，所述封装材料可由UV固化材料制成，使封装材料可在下一步骤中接受UV照射，以进行固化。根据图7的方法70的一个实施例，所述多个电线以引线框架的形式提供。图7的方法70的其他实施例能够由结合图1至图6的实施例所述的任何一个特征或实施例构成。参照图8，其中示出了根据一个实施例用于解释制造磁性传感器装置的方法的流程图。所述方法80包括:步骤81，提供包括多个引线脚(Ieadfinger)的引线框架；步骤82，提供磁性传感器芯片；以及步骤83，将聚合物和磁性或可磁化粒子的材料组合物模制于至少一个引线脚上或周围。根据方法80的一个实施例，所述方法进一步包括:用电绝缘层覆盖材料组合物待模制于其上或其周围的的引线脚。根据其一个实施例，用电绝缘层覆盖的步骤通过沉积(特别是电沉积)氧化锌层或氧化铬层或通过氧化引线脚而进行。根据方法80的一个实施例，所述方法进一步包括:将材料组合物模制为立方体或长方体的形状或模制为偏离立方体或长方体的形状，偏离的程度为在与磁性传感器芯片相邻的表面内形成凹陷。根据其一个实施例，所述凹陷可包括矩形或三角形截面。根据方法80的一个实施例，所述磁性传感器芯片附着于至少一个引线脚的端面。图8的方法的其他实施例可由以上结合图7所述的任何特征或实施例构成。参照图9A-9D，其中示出了用于解释制造磁性传感器装置的方法的示意顶视图和侧视图。图9A示出了主引线框架100的顶视图，所述主引线框架100被细分成六段，每段包含旨在成为一个磁性传感器装置的单个引线框架90。所述单个引线框架90以相同方式形成，并包括电线91。在电线91的各个端部上附着有磁性传感器芯片93。所述磁性传感器芯片93可为完全加工和封装好的磁性传感器芯片的形式。特别地，所述磁性传感器芯片
93可具有PSSO封装装置的形式。所述单个引线框架90以如下方式安装在主引线框架100内，使每个电线91分别分成两个部分，其中，用参考数字91a表示的一个部分(阴影)设有绝缘层，用参考数字91b表示的另一个部分未经处理。所述绝缘层可按上述方式制造，特别地，可通过电镀氧化锌或氧化铬层而制造。图9B示出了将材料组合物92 (特别是环氧涂覆磁体材料)大致压模到每个单个引线框架90的部分91a后的相同设置。所述材料组合物92中嵌有可磁化粒子，所述可磁化粒子在制造方法的下一步骤中旨在被磁化。压模步骤可通过技术人员已知的任何标准工艺进行。图9C示出了图9B所示的主引线框架100在单个引线框架90的端部连同这些端部所承载的磁性传感器芯片93 —起弯曲后的视图。该处理的细节在图10A-10C中进一步详细示出。图1OA示出了图9B的一排单个引线框架90的侧视图。图1OB通过用虚线弯曲箭头另外示出引线框架端部的弯曲方向而示出了该布置。图1OC示出了在引线框架端部弯曲从而置于磁体92的上表面上之后的布置。在图9C所示的步骤之后，所述主引线框架100可分成两半，每一半包含三个单个引线框架90，并且每一半被浸入树脂浴中，以用包含环氧树脂的封装材料封装磁性传感器芯片93。随后，对封装材料进行UV照射，以进行固化。随后，施加外部磁场，以磁化嵌在材料组合物92内的可磁化粒子。随后，将该布置分成单个磁性传感器装置，图9D中示出了其中一个单个磁性传感器装置。虽然上文根据一个或多个实施方式对本发明进行了解释和说明，但在不脱离所附权利要求的主旨和范围的情况下，可对所示示例进行改变和/或修改。特别地，关于由上述部件或结构(组件、装置、电路、系统等)执行的各种功能，除非另有说明，否则用于描述所述部件的术语(包括提到的“方式”)均旨在与执行上述部件的指定功能的任何部件或结构对应(例如，功能上等同)，尽管与本发明示出的例示性实施方式中执行所述功能的公开结构在结构方面不等同。
权利要求
1.一种磁性传感器装置，包括: 多个电线； 磁体，所述磁体包括聚合物和磁性粒子的材料组合物，所述材料组合物附着于至少一个电线；以及 与所述磁体相邻的磁性传感器芯片。
2.根据权利要求1所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述材料组合物以如下方式附着于所述至少一个电线，该方式使所述至少一个电线延伸通过所述材料组合物。
3.根据权利要求1所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述材料组合物以如下方式附着于所述至少一个电线，该方式使所述至少一个电线沿该电线的一个线路段完全嵌入所述材料组合物内。
4.根据权利要求1所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述材料组合物以如下方式附着于所述电线中的多于一个的电线，该方式使所述电线沿所述电线的相应线路段完全嵌入所述材料组合物内。
5.根据权利要求1所述的磁性传感器装置，其特征在于，附着有所述材料组合物的所述至少一个电线由电绝缘层沿其相应线路段覆盖。
6.根据权利要求5所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述绝缘层包括氧化锌或氧化铬或带状材料、或所述电线的氧化表面中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述磁性传感器芯片布置在至少一个电线上。
8.根据权利要求1所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述磁体包括立方体或长方体的形状。
9.根据权利要求1所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述磁体包括的形状偏离立方体或长方体的形状，偏离的程度使得在与所述磁性传感器芯片相邻的表面内形成凹陷。
10.根据权利要求9所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述凹陷具有矩形或三角形截面。
11.一种磁性传感器装置，包括: 磁性传感器芯片； 多个电线；以及 永磁体，被构造成用于产生偏置磁场，所述永磁体被设置为使得所述多个电线中的至少一个电线延伸通过所述永磁体。
12.根据权利要求11所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述至少一个电线沿所述多个电线的一电线线路段完全嵌入材料组合物内。
13.根据权利要求11所述的磁性传感器装置，其特征在于，附着有所述材料组合物的所述至少一个电线沿其相应线路段由电绝缘层覆盖。
14.根据权利要求11所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述永磁体包括立方体或长方体的形状。
15.一种磁性传感器装置，包括: 引线框架，包括引线脚； 磁性传感器芯片，附着于至少一个引线脚；以及磁体，包括聚合物和磁性粒子的材料组合物，所述材料组合物附着于至少一个引线脚。
16.根据权利要求15所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述材料组合物以如下方式附着于所述至少一个引线脚，该方式使所述至少一个引线脚延伸通过所述材料组合物。
17.根据权利要求15所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述材料组合物以如下方式附着于所述至少一个引线脚，该方式使所述至少一个引线脚沿所述引线脚的线路段完全嵌入所述材料组合物内。
18.根据权利要求15所述的磁性传感器装置，其特征在于，附着有所述材料组合物的所述至少一个引线脚由电绝缘层沿其相应线路段覆盖。
19.一种用于制造磁性传感器装置的方法，所述方法包括: 提供多个电线； 提供磁性传感器芯片； 将磁体附着于至少一个电线，所述磁体包括聚合物和磁性粒子的材料组合物。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括:将所述材料组合物模制于所述至少一个电线。
21.根据权利要求19所述的方法 ，进一步包括:将待附着有所述材料组合物的所述至少一个电线沿其相应线路段用电绝缘层覆盖。
22.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述磁体具有立方体或长方体的形状或具有偏离立方体或长方体的形状，偏离的程度使得在与所述磁性传感器芯片相邻的表面内形成凹陷。
23.一种用于制造磁性传感器装置的方法，所述方法包括: 提供包括多个引线脚的引线框架； 提供磁性传感器芯片；以及 将聚合物和磁性或可磁化粒子的材料组合物模制于至少一个引线脚上或周围。
24.根据权利要求23所述的方法，进一步包括:用电绝缘层覆盖所述引线脚中的要在上面或周围模制所述材料组合物的那些弓I线脚。
25.根据权利要求23所述的方法，进一步包括:将所述材料组合物模制为立方体或长方体的形状，或模制为偏离立方体或长方体的形状，偏离的程度使得在与所述磁性传感器芯片相邻的表面内形成凹陷。
全文摘要
一种磁性传感器装置和用于制造磁性传感器装置的方法，该磁性传感器装置包括多个电线、磁性传感器芯片和磁体。所述磁体由聚合物和磁性粒子的材料组合物构成，并附着于至少一个电线。
文档编号G01D5/12GK103090891SQ20121043457
公开日2013年5月8日 申请日期2012年11月2日 优先权日2011年11月4日
发明者克劳斯·埃里安, 托马斯·米勒 申请人:英飞凌科技股份有限公司