专利名称：一种新型电磁波场强器的制作方法
技术领域：
本发明属电磁波发射技术，特别涉及一种新型电磁波场强器。 技术背景目前市场上存在的电磁波场强器，大都是一个检波二极管和表头，它的灵敏度很低。

发明内容
本发明为达到改变以上不足，提出了一种新型电磁波场强器，这种新型电磁波场强器包括二极管IN34、三极管、发光二极管、毫安表、电位器。该新型电磁波场强器具有灵敏度高，造价低。本发明通过以下技术方案来实现的如图所示两个二极管作倍压检波，两个三极管作复合管放大器，指示器采用发光二极管，也可用一个毫安表，100K η电位器用来调节灵敏度。检波二极管ΙΝ34可用任何型号的锗检波二极管，晶体三极管可用任何型号的小功率NPN高频管。天线可用46厘米左右长的铜棒， 甚至一般导线。
权利要求
1.这种新型电磁波场强器包括二极管IN34、三极管、发光二极管、毫安表、电位器，该新型电磁波场强器具有灵敏度高，造价低。
2.这种新型电磁波场强器还具有以下特征两个二极管作倍压检波，两个三极管作复合管放大器，指示器采用发光二极管，也可用一个毫安表，iooK η电位器用来调节灵敏度。
全文摘要
本发明涉及一种新型电磁波场强器。这种新型电磁波场强器包括二极管IN34、三极管、发光二极管、毫安表、电位器。该新型电磁波场强器具有灵敏度高，造价低。两个二极管作倍压检波，两个三极管作复合管放大器，指示器采用发光二极管，也可用一个毫安表，100K∩电位器用来调节灵敏度。
文档编号G01R29/08GK102455388SQ20101051685
公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月25日 优先权日2010年10月25日
发明者王金山 申请人:王金山