专利名称：电流传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电流传感器，进一步详细而言，涉及这样的电流传感器，该电流传感器考虑了以电子设备为对象的安全标准并能够谋求确保爬电距离、谋求小型化、小占有面积化地容易地进行组装，防止具有尺寸偏差的磁芯的晃动。
背景技术：
作为以往的电流传感器，已知有这样的电流传感器为了对在布线于工业用的通用逆变器内、电机控制设备内或者像这样的设备内的被测量电流导体中流过的电流进行检测，而具有大致二字状的芯和配置在该芯的间隙部中的磁传感器，所述芯和磁传感器等的整体被绝缘树脂覆盖而谋求一体化，通过磁传感器将磁芯产生的磁通变化作为电流进行检测(例如，参照专利文献1)。另外，还已知有这样的电流传感器为了利用壳构件和盖构件夹持固定所述芯、磁传感器等，而对芯、磁传感器等进行树脂制模而一体化(例如，参照专利文献2)。近年来，为了谋求电流传感器的小型化、薄型化，要求考虑以电子设备为对象的安全标准并着眼于空间距离和爬电距离的制品开发。为了不利用绝缘物隔离电子零件器件地达到电绝缘，需要确保空间距离及爬电距离(Clearance and Creepage Distance)这两者。空间距离(clearance)是指穿过两个导电性部分之间的空间的最短距离，爬电距离 (creepage distance)是指沿着两个导电性部分间的绝缘物的表面的最短距离。达到绝缘所必要的所述距离受包含必要的绝缘强度、工作电压的程度、估计到的过电压的程度、污染度、绝缘物的耐电蚀性等在内的各种因素的影响，因此，在电流传感器的开发中还需要充分地考虑这些因素。例如，专利文献3所记载的技术涉及即使不使用三层电线也能够确保1次电路-2 次电路间的爬电距离、组装性良好的电流传感器，在形成在线圈架(bobbin)内的筒状的芯腿贯穿部内，贯穿芯的一个腿，在芯腿贯穿部的外侧的线圈安装部的外周上设有线圈的线圈主体，另外，芯的连结部侧位于线圈架的侧面的外侧，能够通过线圈架确保线圈和芯之间的爬电距离。另外，例如，专利文献4所记载的技术涉及电流检测机构及其组装方法，不是着眼于确保爬电距离，该电流检测机构具有磁芯，其被配置在能够拆装的两个被测量电流导体的接合部上、并以围绕该接合部的周围的方式具有至少1个空隙部；磁传感器，其配置在空隙部中。能够以谋求电流检测机构的小型化、小占有面积化方式进行组装。专利文献1 日本特开平09-257836号公报专利文献2 日本特开2009-222729号公报专利文献3 日本特开2005-90982号公报专利文献4 日本特开2007-178241号公报但是，在上述专利文献1及2所记载的技术中，覆盖电流传感器的构成要件整体、 收纳这些构成要件而谋求封装化，在该封装内实施树脂制模，因此用于进行一体化的作业复杂，存在无法实现简便化、小型化的问题。另外，在上述专利文献3的技术中，虽然着眼于爬电距离而谋求小型化，但在电流传感器的零件件数的简化和组装的简便化等方面还有进一步改善的余地。而且，上述专利文献4的技术虽然在以最少的零件件数实现小型且容易组装性方面其意义重大，但不是在用户能够在现场通过很少的构成要件容易地进行电流检测机构的组装的方面有助于使作为电流传感器的制品考虑了以电子设备为对象的安全标准、并着眼于爬电距离的制品开发的技术。因此，对于谋求作为电流传感器单体的组装的简便化、小型化方面要求进一步改善。另外，要求防止具有尺寸偏差的磁芯的晃动。

实用新型内容本实用新型是鉴于这样的情况而研发的，其目的在于提供一种电流传感器，该电流传感器考虑了以电子设备为对象的安全标准并确保爬电距离，即使在高电压环境下也能够工作，且能够谋求小型化、小占有面积化地容易地进行组装，并防止具有尺寸偏差的磁芯的晃动。本实用新型为实现这样的目的而研发，技术方案1是一种电流传感器，其特征在于，具有主体壳构件，其上表面具有能够嵌入的第1嵌合部，该第1嵌合部具有爬电距离， 在该第1嵌合部的长度方向上，在所述上表面和下表面之间形成有第1空隙部；磁传感器， 其搭载于该主体壳构件的所述上表面侧；1次导体，其与被测量电流导体连接，并在所述磁传感器的对面位置沿正交方向配置；盖壳构件，该盖壳构件的下表面具有够嵌入于所述主体壳构件的所述第1嵌合部中的第2嵌合部，以覆盖所述磁传感器和所述1次导体，其中该第2嵌合部具有爬电距离，在该第2嵌合部的长度方向上，在所述下表面和上表面之间形成有第2空隙部；截面二字状的磁芯，其以夹入所述1次导体的方式被插入固定在所述主体壳构件的所述第1空隙部和所述盖壳构件的所述第2空隙部，利用所述主体壳构件的所述第1 嵌合部和所述盖壳构件的所述第2嵌合部确保所述爬电距离，并且通过配置在所述磁芯的所述截面二字状所带有的间隙部的所述磁传感器将所述磁芯产生的磁通变化作为电流检测。(实施例1、2)另外，在技术方案1的基础上，技术方案2的特征在于，所述主体壳构件具有多个所述第1嵌合部，所述1次导体被装入所述主体壳构件的所述第1嵌合部之间，以使所述1 次导体被所述主体壳构件和所述盖壳部贴紧地夹持。(实施例1)另外，在技术方案1的基础上，技术方案3的特征在于，所述磁传感器被所述主体壳构件和所述盖壳构件贴紧地夹持，所述一次导体与所述第ι嵌合部及所述第2嵌合部相接合而配置。(实施例2)另外，在技术方案1至3中任一项的基础上，技术方案4的特征在于，所述第1嵌合部及所述第2嵌合部中的任意一个是具有凸或凹的矩形或波状的形状。另外，在技术方案1至4中任一项的基础上，技术方案5的特征在于，在所述主体壳构件和所述盖壳构件的安装所述磁传感器的位置具有安装槽。另外，在技术方案1至5中任一项的基础上，技术方案6的特征在于，在所述主体壳构件和所述盖壳构件的位于所述磁芯的后端的位置设置有卡定部。另外，在技术方案6的基础上，技术方案7的特征在于，所述卡定部是突起或突起与缺口部的组合。另外，在技术方案1至7中任一项的基础上，技术方案8的特征在于，在所述主体壳构件的搭载所述磁传感器的部分设置有该磁传感器的引线的划分部。另外，在技术方案1至8中任一项的基础上，技术方案9的特征在于，在所述盖壳构件上设置嵌合爪，在所述主体壳构件上设置接受所述嵌合爪的嵌合固定件。另外，在技术方案1至9中任一项的基础上，技术方案10的特征在于，所述磁芯的所述截面二字状的形状包括截面U字状或前端变窄的截面C字状的形状。另外，在技术方案1至10中任一项的基础上，技术方案11的特征在于，所述磁传感器是霍尔IC。另外，技术方案12是一种电流传感器，其特征在于，具有主体壳构件，其上表面具有能够嵌入的第1嵌合部，该第1嵌合部具有爬电距离，在该第1嵌合部的长度方向上， 在所述上表面和下表面之间形成有第1空隙部；磁传感器，其搭载于该主体壳构件的所述上表面侧；1次导体，其与被测量电流导体连接，并在所述磁传感器的对面位置沿正交方向配置；盖壳构件，该盖壳构件的下表面具有够嵌入于所述主体壳构件的所述第1嵌合部中的第2嵌合部，以覆盖所述磁传感器和所述1次导体，其中该第2嵌合部具有爬电距离，在该第2嵌合部的长度方向上，在所述下表面和上表面之间形成有第2空隙部；截面二字状的磁芯，其以夹入所述1次导体的方式被插入固定在所述主体壳构件的所述第1空隙部和所述盖壳构件的所述第2空隙部；侧挡件，其沿与所述盖壳构件及所述主体壳构件的插入所述磁芯的方向垂直的方向设置在所述主体壳构件及所述盖壳构件的壁面上，利用所述主体壳构件的所述第1嵌合部和所述盖壳构件的所述第2嵌合部确保所述爬电距离，并且通过配置在所述磁芯的所述截面二字状所带有的间隙部的所述磁传感器将所述磁芯产生的磁通变化作为电流检测。(实施例3、4)另外，在技术方案12的基础上，技术方案13的特征在于，所述侧挡件是通过与所述磁芯的接触而折断的凸状构件。(实施例3)另外，在技术方案13的基础上，技术方案14的特征在于，所述凸状构件是截面三角形的柱状构件或截面梯形的柱状构件。另外，在技术方案12的基础上，技术方案15的特征在于，所述侧挡件具有锥形构造。(实施例4)另外，在技术方案15的基础上，技术方案16的特征在于，所述锥形构造的锥形面的插入角度是5 10度。另外，在技术方案12至16中任一项的基础上，技术方案17的特征在于，所述主体壳构件具有多个所述第1嵌合部，所述1次导体被装入所述主体壳构件的所述第1嵌合部之间，以使所述1次导体被所述主体壳构件和所述盖壳构件贴紧地夹持。(实施例1)另外，在技术方案12至16中任一项的基础上，技术方案18的特征在于，所述磁传感器被所述主体壳构件和所述盖壳构件贴紧地夹持，所述1次导体与所述第1嵌合部及所述第2嵌合部相接合而配置部。(实施例2)另外，在技术方案12至18中任一项的基础上，技术方案19的特征在于，所述第1 嵌合部及所述第2嵌合部中的任意一个是具有凸或凹的矩形或波状的形状。另外，在技术方案12至19中任一项的基础上，技术方案20的特征在于，在所述主体壳构件和所述盖壳构件的安装所述磁传感器的位置具有安装槽。
另外，在技术方案12至20中任一项的基础上，技术方案21的特征在于，在所述主体壳构件和所述盖壳构件的位于所述磁芯的后端的位置设置有卡定部。另外，在技术方案21的基础上，技术方案22的特征在于，所述卡定部是突起或突起与缺口部的组合。另外，在技术方案12至22中任一项的基础上，技术方案23的特征在于，在所述主体壳构件的搭载所述磁传感器的部分设置有该磁传感器的引线的划分部。另外，在技术方案12至23中任一项的基础上，技术方案24的特征在于，在所述盖壳构件上设置嵌合爪，在所述主体壳构件上设置接受所述嵌合爪的嵌合固定件。另外，在技术方案12至24中任一项的基础上，技术方案25的特征在于，所述磁芯的所述截面二字状的形状包括截面U字状或前端变窄的截面C字状的形状。另外，在技术方案12至25中任一项的基础上，技术方案26的特征在于，所述磁传感器是霍尔IC。采用本实用新型，能够实现如下电流传感器，即利用树脂壳体完全覆盖1次导体而能够确保该1次导体与磁芯、磁传感器间的爬电距离，即使在高电压环境下也能够工作， 且能够谋求小型化、小占有面积化地容易地进行组装。另外，还能够实现如下电流传感器，即利用树脂壳体完全覆盖磁传感器，确保了从 1次导体、磁芯到磁传感器的端子间的爬电距离，从而在有效电流较大的大电流测量的情况下也能够工作，且能够谋求小型化、小占有面积化地容易地进行组装。另外，作为在与主体壳构件及盖壳构件间的与磁芯的插入方向垂直的方向上设置的侧挡件，通过在主体壳构件的壁面设置与该主体壳构件的壁面一体形成的侧挡件，并在盖壳构件的壁面设置与该盖壳构件的壁面一体形成的侧挡件，能够防止具有尺寸偏差的磁芯的晃动。

图1是用于说明本实用新型的电流传感器的实施方式1的立体图。图2是图1的A-A剖视图。图3是用于说明本实用新型的电流传感器的实施方式2的立体图。图4是图3的B-B剖视图。图5是用于说明本实用新型的实施方式1或2的磁芯与盖壳构件之间以及磁芯与主体壳构件之间的磁芯的插入方向的卡合部件即实施例1的剖视图。图6是用于说明本实用新型的实施方式1或2的磁芯与盖壳构件之间以及磁芯与主体壳构件之间的磁芯的插入方向的卡合部件即实施例2的剖视图。图7是用于说明本实用新型的实施方式1或2的磁芯与盖壳构件之间以及磁芯与主体壳构件之间的与磁芯的插入方向垂直的方向的侧挡件即实施例3的俯视图。图8的(a)至(c)是用于说明图7所示的侧挡件的卡合功能的图。图9是图7的C-C剖视图。图10是用于说明本实用新型的实施方式1或2的磁芯与盖壳构件之间以及磁芯与主体壳构件之间的与磁芯的插入方向垂直的方向的侧挡件即实施例4的俯视图。[0054]图11的(a)至(c)是用于说明图10所示的侧挡件的卡合功能的图。图12是图10的D-D剖视图。
具体实施方式
本实用新型的主旨之一是考虑以电子设备为对象的安全标准并确保爬电距离，由于爬电距离比空间距离大，所以在本实用新型中只考虑爬电距离即可。在此，成为高电压的部分是被测量电流 流过的1次导体，相对于此，根据安全标准应保护的部位是控制系统的信号及电源端子，磁传感器的端子部相当于该应保护的部位。通过为了达到上述目的而进行的研究，与对以往的磁传感器整体制模的方式相比，发现了活用了树脂壳体的简便的嵌合方式，由此能够将施加于电流传感器、磁芯的应力抑制到最小限度，能够实现组装后的偏置变动、温度变动少的高精度电流传感器。另外，在利用树脂壳体固定各零件的情况下，需要考虑沿嵌合部的最短爬电距离， 在本实用新型中，为实现小型化，如实施方式1及2说明的那样，将嵌合部形成为矩形或波状，而使爬电距离变长，由此实现了在高电压环境下也能工作的小型电流传感器。以下，参照附图说明本实用新型的各实施方式。实施方式1图1是用于说明本实用新型的电流传感器的实施方式1的立体图，图2是图1的 A-A剖视图。本实用新型的实施方式1是通过利用树脂壳体完全覆盖1次导体而确保该1 次导体与磁芯、磁传感器间的爬电距离的例子，在磁芯的间隙较窄而难以确保磁传感器和磁芯间的距离的情况下是有效的。图中附图标记10表示主体壳构件(树脂壳体)，附图标记IOa表示第1嵌合部，附图标记IOb表示磁传感器的安装槽，附图标记IOc表示设置在磁芯的后端位置的卡定部，附图标记IOd表示第1空隙部，附图标记20表示磁传感器，附图标记20a表示磁传感器的引线，附图标记30表示与被测量电流导体连接的1次导体，附图标记40表示盖壳构件(树脂壳体)，附图标记40a表示第2嵌合部，附图标记40b表示磁传感器的定位槽，附图标记40c 表示设置在磁芯的后端位置的卡定部，附图标记40d表示第2空隙部，附图标记50表示磁
-I-H心。本实用新型的实施方式1的电流传感器由主体壳构件10、磁传感器20、1次导体 30、盖壳构件40和磁芯50这5个构成要件能够简便组装地构成。该组装不对这些构成要件使用以往那样的树脂制模、粘接剂而只通过嵌合或接合来实现。主体壳构件10的上表面具有能够嵌入的第1嵌合部10a，该第1嵌合部IOa具有爬电距离，在该第1嵌合部IOa的长度方向上，在主体壳构件10的上表面和下表面之间形成有第1空隙部10d，第1嵌合部IOa具有凹凸部。另外，盖壳构件40的下表面具有能够嵌入的第2嵌合部40a，该第2嵌合部40a具有爬电距离，在该第2嵌合部40a的长度方向上，在盖壳构件40的下表面和上表面之间形成有第2空隙部40d，第2嵌合部40a具有凹凸部。由此，主体壳构件10的凹凸部和盖壳构件40的凹凸部相互嵌合。此外，该凹凸部优选为矩形或波状的形状。另外，在主体壳构件10的搭载磁传感器20的位置设置有安装槽10b，同样地在盖壳构件40的安装磁传感器20的位置设置有安装槽40b，通过所述安装槽10b、40b，磁传感器20被主体壳构件10和盖壳构件40固定。该磁传感器20优选是霍尔IC。另外，磁传感器20具有磁检测元件和对来自该磁检测元件的检测信号进行处理的信号处理电路，该信号处理电路具有用于降低磁检测元件的检测特性的偏差的、能够调整非易失性存储器或电阻微调的功能。1次导体30与被测量电流导体连接，并在磁传感器20的对面位置沿正交方向配置，该1次导体30以此方式被嵌合在主体壳构件10的两个第1嵌合部IOa间的凹部。也就是说，主体壳构件10具有多个第1嵌合部10a、10a，1次导体30被装入主体壳构件10的第1嵌合部10a、10a间，并被盖壳构件40按压地构成。截面二字状的磁芯50以夹入1次导体30及磁传感器20的方式被插入固定在主体壳构件10的第1空隙部IOd和盖壳构件40的第2空隙部40d。另外，该磁芯50的截面 ^字状的形状包括截面U字状或前端变窄的截面C字状的形状。另外，以卡住磁芯50的后端部即截面二字状所带有的间隙部的相反侧的上下端部的方式，在主体壳构件10和盖壳构件40的位于磁芯50的后端的位置设置有由突起构成的卡定部10c、40c。这样，在主体壳构件10的第1嵌合部IOa和盖壳构件40的第2嵌合部40a处能够确保爬电距离，并且能够通过配置在磁芯50的间隙部的磁传感器20将磁芯50所产生的磁通变化作为电流检测。实施方式2图3是用于说明本实用新型的电流传感器的实施方式2的立体图，图4是图3的 B-B剖视图。本实用新型的实施方式2是利用树脂壳体完全覆盖磁传感器的结构，是确保了从1次导体、磁芯到磁传感器的端子之间的爬电距离的例子，由于在有效电流较大的大电流测量的情况下，必须使1次导体较厚，因此在难以确保磁芯和1次导体间的距离的情况下是有效的。与上述实施方式1在结构上的区别在于，在实施方式2中，磁传感器的整体被主体壳构件和盖壳构件贴紧地夹持，除此以外还在于，主体壳构件和盖壳构件的嵌合只有一处， 1次导体和磁芯借助空隙部被绝缘。图中的附图标记110表示主体壳构件(树脂壳体)，附图标记IlOa表示第1嵌合部，附图标记IlOb表示磁传感器的安装槽，附图标记IlOc表示设置在磁芯的后端位置的卡定部，附图标记IlOd表示第1空隙部，附图标记120表示磁传感器，附图标记120a表示磁传感器的引线，附图标记130表示与被测量电流导体连接的1次导体，附图标记140表示盖壳构件(树脂壳体)，附图标记140a表示第2嵌合部，附图标记140b表示磁传感器的定位槽，附图标记140c表示设置在磁芯的后端位置的卡定部，附图标记140d表示第2空隙部， 附图标记150表示磁芯。本实用新型的实施方式2的电流传感器是由主体壳构件110、磁传感器120、1次导体130、盖壳构件140和磁芯150这5个构成要件能够简便组装地构成。该组装不对这些构成要件使用以往那样的树脂制模、粘接剂而只通过嵌合或接合实现。主体壳构件110的上表面具有能够嵌入的第1嵌合部110a，该第1嵌合部IlOa具有爬电距离，在该第1嵌合部IlOa的长度方向上，在主体壳构件110的上表面和下表面之间形成有第1空隙部liod，第1嵌合部IlOa具有凹凸部。另外，盖壳构件140下表面具有能够嵌入的第2嵌合部140a，该第2嵌合部140a 具有爬电距离，在该第2嵌合部140a的长度方向上，在盖壳构件140的下表面和上表面之间形成有第2空隙部140d，第2嵌合部140a具有凹凸部。由此，主体壳构件110的凹凸部和盖壳构件140的凹凸部相互嵌合。此外，该凹凸部可以是矩形或波状的形状，这与上述实施方式1相同。 在上述实施方式1中，第1嵌合部IOa和第2嵌合部40a具有多组，也就是说，在磁传感器20和1次导体30之间设置有一组嵌合部，在1次导体30和磁芯之间还设置有一组嵌合部，但在该实施方式2中，仅在磁传感器120和1次导体130之间设置有一组嵌合部，1 次导体130和磁芯150之间的绝缘通过空隙来实现。另外，在主体壳构件110的搭载磁传感器120的位置设置有安装槽110b，同样地在盖壳构件140的安装磁传感器120的位置设置有安装槽140b，通过这些安装槽110b、140b， 磁传感器120被主体壳构件110和盖壳构件140贴紧地固定。该磁传感器120优选为霍尔 IC。此外，关于磁传感器120的结构，与上述实施方式1的情况相同。1次导体130与被测量电流导体连接，并在磁传感器120的对面位置沿正交方向配置，以此方式与第1嵌合部IlOa和第2嵌合部140a相接合而配置。截面二字状的磁芯150以夹入1次导体130及磁传感器120的方式被插入固定在主体壳构件110的第1空隙部IlOd和盖壳构件140的第2空隙部140d。关于该磁芯的形状，与上述实施方式1的情况相同。另外，以卡住磁芯150的后端部即截面二字状所带有的间隙部的相反侧的上下端部的方式，在主体壳构件110和盖壳构件140的位于磁芯150的后端位置设置有突起的卡定部110c、140c。这样，在主体壳构件110的第1嵌合部IlOa和盖壳构件140的第2嵌合部140a处能够确保爬电距离，并且能够通过配置在磁芯150的间隙部的磁传感器120将磁芯150产生的磁通变化作为电流来进行检测。实施例1图5是用于说明本实用新型的实施方式1或2的磁芯与盖壳构件之间以及磁芯与主体壳构件之间的卡合部件即实施例1的剖视图。如上述，本实用新型的实施方式1及2的磁芯与盖壳构件之间以及磁芯与主体壳构件之间的卡合部件使用该实施例1的卡合部件。以卡住磁芯50的后端部即截面二字状的间隙部201的相反侧的上下端部的方式， 在主体壳构件10和盖壳构件40的位于磁芯50的后端位置设置有由突起构成的卡定部 10c、40c。通过这样构成，在主体壳构件10和盖壳构件40的位于磁芯50的后端部的至少一个位置设置突起，由此磁芯50向壳构件内插入后不进行粘接就能固定磁芯。另外，也可以将该突起设置在前述的上下端部以外的左右方向。该卡定部适用于容易进行微细加工且具有高强度的硅钢等金属磁芯的情况。此外，在图3所示的本实用新型的实施方式2中也是同样的。实施例2图6是用于说明本实用新型的实施方式1或2的磁芯与盖壳构件之间以及磁芯与主体壳构件之间的卡合部件即实施例2的剖视图。[0092]在磁芯50的后端部，以卡住截面二字状的间隙部201的相反侧的上下端部的方式设置有突起50a，在主体壳构件10和盖壳构件40的位于磁芯50的后端位置，设置有容纳磁芯50的突起50a的缺口部40e。 通过这样构成，施加在磁芯的应力(stress)只是最后的一推，因此对磁芯的损伤少，插入作业变得容易。该卡定部是适于铁素体(ferrite)制的磁芯等强度上脆弱且在外力作用下容易在磁芯上产生裂纹、缺口的材料的情况。此外，在图3所示的本实用新型的实施方式2中也是同样的。这样，在上述卡定部的实施例1及2中，省略了粘接工序，而不需要热效果处置，其结果，能够降低对磁传感器的热应力，能够谋求提高可靠性，并谋求缩短制造工序。实施例3图7是用于说明本实用新型的实施方式1或2的磁芯与盖壳构件之间以及磁芯与主体壳构件之间的与磁芯的插入方向垂直的方向的侧挡件即实施例3的俯视图，图8的(a) 至(c)是用于说明图7所示的侧挡件的卡合功能的图，图9是图7的C-C剖视图。具体而言，示出了图1的改良型，对表示相同功能的构成要件标注相同的附图标记。图中附图标记 10e、40f表示侧挡件。本实施例3的侧挡件是设置在磁芯50与主体壳构件(树脂壳体)10之间及磁芯 50与盖壳构件(树脂壳体)40之间的与磁芯50的插入方向垂直的方向上的侧挡件，在主体壳构件10的壁面设置有与该主体壳构件10的壁面一体形成的侧挡件10e，并在盖壳构件 40的壁面设置有与该盖壳构件40的壁面一体形成的侧挡件40f，由此防止具有尺寸偏差的磁芯的晃动。如图7的放大部分所示，侧挡件40f的形状为截面三角形的柱状构件或截面梯形的柱状构件等，与被插入的磁芯50接触而折断的前端部a为凸状构件即可。此外，侧挡件 IOe的形状也是同样的。在图7及图9中，沿磁芯50向主体壳构件10及盖壳构件40插入的方向，在主体壳构件10的壁面的左右设置有合计4个侧挡件10e，在盖壳构件40的壁面的左右设置有合计4个侧挡件40f。也就是说，在主体壳构件10及盖壳构件40的壁面设置有合计8个侧挡件 10e、40f。如图8的(a)至(c)所示，在将磁芯50插入主体壳构件10和盖壳构件40之间时， 磁芯50与设置在主体壳构件10的壁面上的侧挡件IOe及设置在盖壳构件40的壁面上的侧挡件40f接触，进一步施加力而插入时，侧挡件10e、40f的前端部a折断。利用该前端部 a折断而露出的面，使磁芯50被主体壳构件10的侧挡件IOe及盖壳构件40的侧挡件40f 支承，从而消除磁芯50的晃动。也就是说，由于侧挡件10e、40f采用薄壁构造，因此与所插入的磁芯50的尺寸相匹配地在较弱的力的作用下使侧挡件10e、40f折断，而具有能够吸收晃动的特征。在磁芯 50由厚度较薄的铁素体构成的情况下尤其有效。另外，在磁芯50的后端部，与图6同样地设置有卡合部件即突起50a。也就是说， 以卡住截面二字状的间隙部的相反侧的上下端部的方式设置突起50a，在主体壳构件10和盖壳构件40的位于磁芯50的后端位置，设置有容纳磁芯50的突起50a的缺口部40e。此外，其他结构与图1及图2相同。另外，图7至图9所示的侧挡件10e、40f当然也能够应用于图3及图4所示的实施方式2。实施例4图10是用于说明本实用新型的实施方式1或2的磁芯与盖壳构件之间以及磁芯与主体壳构件之间的与磁芯的插入方向垂直的方向的侧挡件即实施例4的俯视图，图11的 (a)至(c)是用于说明图10所示的侧挡件的卡合功能的图，图12是图10的D-D剖视图。 具体而言，示出了图1的改良型，对表示相同功能的构成要件标注相同的附图标记。图中附图标记10f、40g表示侧挡件。此外，其他结构与图7及图9相同。本实施例4的侧挡件是设置在磁芯50与主体壳构件(树脂壳体)10之间及磁芯 50与盖壳构件(树脂壳体)40之间的与磁芯50的插入方向垂直的方向上的侧挡件，在主体壳构件10的壁面设置有与该主体壳构件10的壁面一体形成的侧挡件IOf，并在盖壳构件 40的壁面设置有与该盖壳构件40的壁面一体形成的侧挡件40g，由此能够防止具有尺寸偏差的磁芯的晃动。在图10及图12中，沿磁芯50向主体壳构件10及盖壳构件40插入的方向，在主体壳构件10的壁面的左右设置有合计两个侧挡件10f，在盖壳构件40的壁面的左右设置有合计两个侧挡件40g。也就是说，在主体壳构件10及盖壳构件40的壁面设置有合计4个侧挡件 10f、40g。如图10的放大部分所示，侧挡件40g的形状具有锥形构造，优选其插入角度为 5 10度，只要是通过与被插入的磁芯50接触而使锥形面b逐渐被削掉的结构即可。此外，侧挡件IOf的形状也是同样的。在将磁芯50插入主体壳构件10和盖壳构件40之间时，磁芯50与设置在主体壳构件10的壁面上的侧挡件IOf及设置在盖壳构件40的壁面上的侧挡件40g接触，进一步加力而插入时，侧挡件10f、40g的锥形面b逐渐被削掉而磁芯50沿插入方向行进。利用该逐渐被削掉而成的露出面，使磁芯50被主体壳构件10的侧挡件IOf及盖壳构件40的侧挡件40g支承，从而即使在磁芯50插入时存在偏置，也能够利用锥形面修正该偏置而使磁芯 50处于中央位置并消除磁芯50的晃动。也就是说，侧挡件10f、40g为朝向磁芯50的插入方向使壳构件间的宽度逐渐变窄的锥形构造，从而在插入得较浅时，能够不费力地容易地插入，随着向深处插入，利用磁芯 50的前端边缘切削侧挡件10f、40g而能够以较宽面积可靠地把持磁芯50。另外，随着磁芯 50的插入，由于侧挡件IOf、40g的锥形面b而使该磁芯50必然地被把持在电流传感器的左右中心，而使磁传感器的感测部位于磁芯50的中心，从而成为抗外来磁场干扰最强的电流传感器。另外，侧挡件IOf、40g不折断地逐渐被切削，因而被削掉的树脂屑不向周围散落而附着在磁芯50前端，被收纳在树脂壳体的前端凹处(pocket)中而不会产生切屑。在磁芯 50较厚不易碎裂的情况下尤其有效。另外，从插入磁芯50时的阻力、侧挡件10f、40g的切削情况来看，锥形面b的插入角度优选为5 10度。另外，图10及图12所示的侧挡件10f、40g当然也能应用于图3及图4所示的实施方式2。
权利要求1.一种电流传感器，其特征在于，该电流传感器具有主体壳构件，其上表面具有能够嵌入的第1嵌合部，该第1嵌合部具有爬电距离，在该第1嵌合部的长度方向上，在所述上表面和下表面之间形成有第1空隙部；磁传感器，其搭载于该主体壳构件的所述上表面侧；1次导体，其与被测量电流导体连接，并在所述磁传感器的对面位置沿正交方向配置；盖壳构件，该盖壳构件的下表面具有够嵌入于所述主体壳构件的所述第1嵌合部中的第2嵌合部，以覆盖所述磁传感器和所述1次导体，其中该第2嵌合部具有爬电距离，在该第2嵌合部的长度方向上，在所述下表面和上表面之间形成有第2空隙部；截面二字状的磁芯，其以夹入所述1次导体的方式被插入固定在所述主体壳构件的所述第1空隙部和所述盖壳构件的所述第2空隙部，利用所述主体壳构件的所述第1嵌合部和所述盖壳构件的所述第2嵌合部确保所述爬电距离，并且通过配置在所述磁芯的所述截面二字状所带有的间隙部的所述磁传感器将所述磁芯产生的磁通变化作为电流检测。
2.如权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，所述主体壳构件具有多个所述第1嵌合部，所述1次导体被装入所述主体壳构件的所述第1嵌合部之间，以使所述1次导体被所述主体壳构件和所述盖壳部贴紧地夹持。
3.如权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，所述磁传感器被所述主体壳构件和所述盖壳构件贴紧地夹持，所述一次导体与所述第1嵌合部及所述第2嵌合部相接合而配置。
4.如权利要求1 3中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述第1嵌合部及所述第2嵌合部中的任意一个是具有凸或凹的矩形或波状的形状。
5.如权利要求1 4中任一项所述的电流传感器，其特征在于，在所述主体壳构件和所述盖壳构件的安装所述磁传感器的位置具有安装槽。
6.如权利要求1 5中任一项所述的电流传感器，其特征在于，在所述主体壳构件和所述盖壳构件的位于所述磁芯的后端的位置设置有卡定部。
7.如权利要求6所述的电流传感器，其特征在于，所述卡定部是突起或突起与缺口部的组合。
8.如权利要求1 7中任一项所述的电流传感器，其特征在于，在所述主体壳构件的搭载所述磁传感器的部分设置有该磁传感器的引线的划分部。
9.如权利要求1 8中任一项所述的电流传感器，其特征在于，在所述盖壳构件上设置嵌合爪，在所述主体壳构件上设置接受所述嵌合爪的嵌合固定件。
10.如权利要求1 9中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述磁芯的所述截面二字状的形状包括截面U字状或前端变窄的截面C字状的形状。
11.如权利要求1 10中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述磁传感器是霍尔ICo
12.一种电流传感器，其特征在于，具有主体壳构件，其上表面具有能够嵌入的第1嵌合部，该第1嵌合部具有爬电距离，在该第1嵌合部的长度方向上，在所述上表面和下表面之间形成有第1空隙部；磁传感器，其搭载于该主体壳构件的所述上表面侧；1次导体，其与被测量电流导体连接，并在所述磁传感器的对面位置沿正交方向配置；盖壳构件，该盖壳构件的下表面具有够嵌入于所述主体壳构件的所述第1嵌合部中的第2嵌合部，以覆盖所述磁传感器和所述1次导体，其中该第2嵌合部具有爬电距离，在该第2嵌合部的长度方向上，在所述下表面和上表面之间形成有第2空隙部；截面二字状的磁芯，其以夹入所述1次导体的方式被插入固定在所述主体壳构件的所述第1空隙部和所述盖壳构件的所述第2空隙部；侧挡件，其沿与所述盖壳构件及所述主体壳构件的插入所述磁芯的方向垂直的方向设置在所述主体壳构件及所述盖壳构件的壁面上，利用所述主体壳构件的所述第1嵌合部和所述盖壳构件的所述第2嵌合部确保所述爬电距离，并且通过配置在所述磁芯的所述截面二字状所带有的间隙部的所述磁传感器将所述磁芯产生的磁通变化作为电流检测。
13.如权利要求12所述的电流传感器，其特征在于，所述侧挡件是通过与所述磁芯的接触而折断的凸状构件。
14.如权利要求13所述的电流传感器，其特征在于，所述凸状构件是截面三角形的柱状构件或截面梯形的柱状构件。
15.如权利要求12所述的电流传感器，其特征在于，所述侧挡件具有锥形构造。
16.如权利要求15所述的电流传感器，其特征在于，所述锥形构造的锥形面的插入角度是5 10度。
17.如权利要求12 16中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述主体壳构件具有多个所述第1嵌合部，所述1次导体被装入所述主体壳构件的所述第1嵌合部之间，以使所述1次导体被所述主体壳构件和所述盖壳构件贴紧地夹持。
18.如权利要求12 16中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述磁传感器被所述主体壳构件和所述盖壳构件贴紧地夹持，所述1次导体与所述第1嵌合部及所述第2嵌合部相接合而配置。
19.如权利要求12 18中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述第1嵌合部及所述第2嵌合部中的任意一个是具有凸或凹的矩形或波状的形状。
20.如权利要求12 19中任一项所述的电流传感器，其特征在于，在所述主体壳构件和所述盖壳构件的安装所述磁传感器的位置具有安装槽。
21.如权利要求12 20中任一项所述的电流传感器，其特征在于，在所述主体壳构件和所述盖壳构件的位于所述磁芯的后端的位置设置有卡定部。
22.如权利要求21所述的电流传感器，其特征在于，所述卡定部是突起或突起与缺口部的组合。
23.如权利要求12 22中任一项所述的电流传感器，其特征在于，在所述主体壳构件的搭载所述磁传感器的部分设置有该磁传感器的引线的划分部。
24.如权利要求12 23中任一项所述的电流传感器，其特征在于，在所述盖壳构件上设置嵌合爪，在所述主体壳构件上设置接受所述嵌合爪的嵌合固定件。
25.如权利要求12 M中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述磁芯的所述截面二字状的形状包括截面U字状或前端变窄的截面C字状的形状。
26.如权利要求12 沥中任一项所述的电流传感器，其特征在于，所述磁传感器是霍尔IC。
专利摘要本实用新型提供一种电流传感器，其考虑了以电子设备为对象的安全标准并能够谋求确保爬电距离、谋求小型化、小占有面积化地容易地进行组装，防止具有尺寸偏差的磁芯的晃动。主体壳构件的上表面具有能够嵌入的第1嵌合部，第1嵌合部具有爬电距离，在第1嵌合部的长度方向上，在上表面和下表面之间形成有第1空隙部。盖壳构件的下表面具有够嵌入的第2嵌合部，第2嵌合部具有爬电距离，在该第2嵌合部的长度方向上，在下表面和上表面之间形成有第2空隙部。1次导体被装入主体壳构件的第1嵌合部之间，并被盖壳构件按压。截面コ字状的磁芯以夹入1次导体及磁传感器的方式被插入固定在第1空隙部和第2空隙部。
文档编号G01R19/00GK202066893SQ20112017265
公开日2011年12月7日 申请日期2011年5月26日 优先权日2011年5月26日
发明者深泽尚也, 铃木健治, 长谷川秀则 申请人:旭化成微电子株式会社