专利名称：带有外加磁场的深能级测量样品架装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及磁性半导体材料及其相关光电器件电学特性测量装置，特别是提供一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置。
背景技术：
1974年美国Bell实验室D.V.Lang发明了用于测量半导体材料中杂质和缺陷的深能级瞬态谱技术，打开了半导体材料电学特性测量技术的新领域。为研究和应用新型的半导体材料和相关光电器件打下了坚实的基础。随着半导体产业的迅猛发展，新型磁性半导体材料的出现，传统的深能级瞬态谱测量系统无法满足材料电学特性测量的需要，尤其是磁性半导体材料。因为在无外加磁场条件下获得的磁性半导体材料中的深能级信息已不能全面反映其深能级电学行为，迫切需要增加在外加磁场条件下的深能级瞬态谱测量，但到目前为止，查询国内外相关文献资料，均无该项新技术的报导。本实用新型正是为了满足磁性半导体材料及其相关光电器件产业发展的需要。

发明内容
本发明的目的在于，提供一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其可以在较宽的外加磁场强度范围下测量磁性半导体材料及其相关光电器件中深能级电学特性。
本发明的另一目的在于，提供一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其具有结构简单合理和制作容易的优点。
本发明一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其特征在于，其中包括一个磁铁架，该磁铁架为矩形，在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽；一磁铁座，该磁铁座为矩形，该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架，在该磁铁座的上面开有四个圆孔；该磁铁架的一端固定在磁铁座的一长侧边上或一体制作而成，该磁铁架和磁铁座的底面在一水平面上。
其中所述的磁铁架和磁铁座是紫铜材料加工制成。


为进一步说明本发明的技术内容，以下结合实施例及附图详细说明于后，其中图1是本实用新型放置永久磁铁的磁铁架结构的示意图。
图2是利用本实用新型测试II-VI族掺铝ZnS 1半导体材料获得的深能级瞬态谱图。
图3是利用本实用新型测试II-VI族掺铝和铁的ZnS 2半导体材料获得的深能级瞬态谱。
图4是利用本实用新型测试II-VI族掺铝和铁的ZnS 3半导体材料获得的深能级瞬态谱。
图5是利用本实用新型测试II-VI族掺铝和铁的ZnS 4半导体材料获得的深能级瞬态谱。
具体实施方式
具体参阅图1所示，本实用新型一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其特征在于，其中包括
一个磁铁架20，该磁铁架20为矩形，在该磁铁架20的中间开有一圆形凹槽21；一磁铁座10，该磁铁座10为矩形，该磁铁座10的长度和厚度均大于磁铁架20，在该磁铁座10的上面开有四个圆孔11；该磁铁架20的一端固定在磁铁座10的一长侧边上或一体制作而成，该磁铁架20和磁铁座10的底面在一水平面上。
其中所述的磁铁架20和磁铁座10是紫铜材料加工制成。
本实用新型的工作过程为将本装置利用磁铁座10上的四个圆孔11固定在测量装置上，将待测的样品(如II-VI族掺铝ZnS、II-VI族掺铝和铁的ZnS)放入磁铁座10一侧的磁铁架20上的圆形凹槽21内，因磁铁架20是紫铜材料加工制成的，所以可以有效保护样品以防止其磁化，并具有导热性好的优点，启动测量装置对样品进行测试。
本发明与现有技术的比较如图2所示，对于非磁性半导体材料，本发明与现有技术获得的深能级能级位置没有改变。
如图3、4和5所示(分别为II-VI族掺铝和铁的ZnS，其中铝和铁的比例不同)，对于非磁性和磁性半导体材料，本发明与现有技术获得的深能级能级位置发生了明显的改变。现观察到磁性材料里的深能级在外加磁场条件下的电学特性行为。为磁性半导体材料生长工艺改进和相关光电器件设计提供了非常重要的基础性资料。
权利要求1.一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其特征在于，其中包括一个磁铁架，该磁铁架为矩形，在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽；一磁铁座，该磁铁座为矩形，该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架，在该磁铁座的上面开有四个圆孔；该磁铁架的一端固定在磁铁座的一长侧边上或一体制作而成，该磁铁架和磁铁座的底面在一水平面上。
2.根据权利要求1所述的带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其特征在于，其中所述的磁铁架和磁铁座是紫铜材料加工制成。
专利摘要一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其特征在于，其中包括一个磁铁架，该磁铁架为矩形，在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽；一磁铁座，该磁铁座为矩形，该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架，在该磁铁座的上面开有四个圆孔；该磁铁架的一端固定在磁铁座的一长侧边上或一体制作而成，该磁铁架和磁铁座的底面在一水平面上。
文档编号G01N1/36GK2646690SQ20032010086
公开日2004年10月6日 申请日期2003年10月23日 优先权日2003年10月23日
发明者卢励吾, 张砚华, 葛惟昆 申请人:中国科学院半导体研究所