专利名称：一种x射线剂量测量传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型属医疗器械领域，涉及X射线相对剂量测试，具体涉及一种X射线剂量测量传感器。
背景技术：
现有X射线计量测试设备中，通常采用GM计数管或是半导体二极管来制作X射线的剂量测量传感器，而GM计数管和专门用于测量X射线的半导体二极管需特殊工艺制造， 因此成本较高，测量电路复杂。临床实践中，迫切需要一种精度较高，构造简单，性能可靠， 且成本低廉的X射线剂量测量传感器。现有技术中，金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-kmiconductor，M0S)结构的晶体管，是构造简单、性能可靠、成本低廉的常见元件，分为P型MOS管和N型MOS管。金属氧化物硅场效应晶体管(Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor, MOSFET)为平面型器件结构，其核心是位于中央的MOS电容；MOSFET按导电沟道的不同可分为NMOS和 PMOS器件，NMOS和PMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型，即NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。MOSFET同样具有构造简单、性能可靠、成本低廉的优点。目前，尚未见有关采用MOSFET制成X射线的剂量测量传感器的报道。 发明内容本实用新型的目的是克服现有技术的缺陷和不足，提供一种X射线剂量测量传感器。尤其涉及采用MOSFET制作的X射线剂量测量传感器。具体而言，本实用新型的X射线剂量测量传感器，其特征在于，由MOSFET Q、电阻R 和电源VCC组成，所述的MOSFET的栅极G和源级S同时接在电源的公共端GND上，其漏级 D与电阻R的一端相联，电阻R的另一端接电源VCC ；本实用新型中，所述的MOSFET选自η型或ρ型；所述的电阻R的取值稍大，本实用新型的一个实施例中电阻R的取值为10Μ Ω ；所述的电源VCC，在选用η型MOSFET时，为正电压；在选用ρ型MOSFET时，为负电压。本实用新型的特点是没有X射线照射时，所述的栅极G接地，MOSFET截止，管中没有电流流过，电阻R中也没有电流，致使电阻R的a端和b端的电位差为零，即Vab=O ；在 X射线照射到MOSFET上时，X射线从MOSFET中的pn极中激发出电子、空穴对，在电场的作用下各自流向电源的正、负极，使得MOSFET中有电流Ii流动，在电阻RWab两端产生电位差，Vab不等于零，因Vab = Ii XR，电流Ii的大小正比于X射线的剂量，即Vab的大小与X 射线剂量呈线性函数关系，所以测量Vab就能间接测量到X射线的剂量。本实用新型中，所述的Vab可用电压表、万用表等各种能测量电压的仪器、仪表测量。本实用新型与现有设备相比较，具有以下优点⑴电路简单、稳定、易于测量；(2)所采用的MOSFET的制造技术成熟、质量稳定、参数一致性好，且成本低廉，无需专门制造，可市购。本实用新型X射线剂量测量传感器其精度高、构造简单、性能可靠、易于测量，主要用于测量X射线的相对剂量，可用于放射医疗临床的射线剂量验证、放射治疗机的校验寸。为了便于理解，下面通过附图和具体实施例对本实用新型的X射线剂量测量传感器进行详细的描述。需要特别指出的是，具体实施例和附图仅是为了说明，显然本领域的技术人员可以根据本文说明，对本实用新型进行各种修正或改变，这些修正和改变也将纳入本实用新型范围之内。

图1是本实用新型X射线剂量测量传感器的电路结构示意图，其中，Q是MOSFET，G是栅极，S是源极，D是漏级，X是X射线，R是电阻，VCC是电源，Ii是电流，a是电阻的a端，b是电阻的b端。
具体实施方式
实施例1如图1所示，本实施例采用η型MOSFET制备X射线剂量测量传感器，由MOSFET Q、 电阻R和电源VCC组成，所述的MOSFET的栅极G和源级S同时接在电源的公共端GND上， 其漏级D与电阻R的一端相联，电阻R的另一端接电源VCC ；所述的电阻R的取值为IOM Ω ； 所述的电源VCC为正电压。没有X射线照射时，所述的栅极G接地，MOSFET截止，管中没有电流流过，电阻R中也没有电流，致使电阻R的a端和b端的电位差为零，即Vab=O ；在X射线照射到MOSFET上时，X射线从MOSFET中的pn极中激发出电子、空穴对，在电场的作用下各自流向电源的正、负极，使得MOSFET中有电流Ii流动，在电阻R的ab两端产生电位差， Vab不等于零，因Vab = Ii X R，电流Ii的大小正比于X射线的剂量，即Vab的大小与X射线剂量呈线性函数关系，所以测量Vab就能间接测量到X射线的剂量。所述的Vab可用电压表、万用表等各种能测量电压的仪器、仪表测量。实施例2如图1所示，本实施例采用ρ型MOSFET制备X射线剂量测量传感器，由MOSFET Q、 电阻R和电源VCC组成，所述的MOSFET的栅极G和源级S同时接在电源的公共端GND上， 其漏级D与电阻R的一端相联，电阻R的另一端接电源VCC ；所述的电阻R的取值为IOM Ω ； 所述的电源VCC为负电压。没有X射线照射时，所述的栅极G接地，MOSFET截止，管中没有电流流过，电阻R中也没有电流，致使电阻R的a端和b端的电位差为零，即Vab=O ；在X射线照射到MOSFET上时，X射线从MOSFET中的pn极中激发出电子、空穴对，在电场的作用下各自流向电源的正、负极，使得MOSFET中有电流Ii流动，在电阻R的ab两端产生电位差， Vab不等于零，因Vab = Ii X R，电流Ii的大小正比于X射线的剂量，即Vab的大小与X射线剂量呈线性函数关系，所以测量Vab就能间接测量到X射线的剂量。本实用新型中所述的Vab可用电压表、万用表等各种能测量电压的仪器、仪表测量。本实用新型只需采用普通的MOSFET即可制备X射线剂量测量传感器，为X射线探测提供了一种简单易行的解决方案。本实用新型X射线剂量测量传感器精度高、构造简单、性能可靠、易于测量，主要用于测量X射线的相对剂量，可用于放射医疗临床的射线剂量验证、放射治疗机的校验等。
权利要求1.一种X射线剂量测量传感器，其特征在于，由MOSFET (Q)、电阻(R)和电源(VCC)组成，所述的MOSFET的栅极(G)和源级(S)同时接在电源的公共端(GND)上，其漏级(D)与电阻(R)的一端相联，电阻(R)的另一端接电源(VCC)。
2.按权利要求1所述的X射线剂量测量传感器，其特征在于，所述的MOSFET选自η型或P型。
3.按权利要求1所述的X射线剂量测量传感器，其特征在于，所述的电阻(R)的取值为 IOM Ω。
4.按权利要求1所述的X射线剂量测量传感器，其特征在于，所述的MOSFET为η型时， 电源(VCC)为正电压。
5.按权利要求1所述的X射线剂量测量传感器，其特征在于，所述的MOSFET为ρ型时， 电源(VCC)为负电压。
专利摘要本实用新型属医疗器械领域，涉及一种X射线剂量测量传感器。由MOSFET、电阻和电源组成，所述的MOSFET的栅极和源级同时接在电源的公共端上，其漏级与电阻的一端相联，电阻的另一端接电源；所述的MOSFET选自n型或p型；所述的电源VCC，在选用n型MOSFET时，为正电压；在选用p型MOSFET时，为负电压。本实用新型精度高、构造简单、性能可靠、易于测量，主要用来测量X射线的相对剂量，可用于放射医疗临床的射线剂量验证、放射治疗机的校验等。
文档编号G01T1/24GK201945691SQ201120039868
公开日2011年8月24日 申请日期2011年2月16日 优先权日2011年2月16日
发明者陈智维 申请人:上海市第一人民医院